一般セッション(口頭講演)

[18p-C9-1~14] 11.2 薄膜．厚膜．テープ作製プロセスおよび結晶成長

2013年9月18日(水) 13:00 〜 16:45 C9 (TC3 2F-202)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:00 〜 13:15

△ [18p-C9-1] 無限層構造Sr_1-xLa_xCuO₂薄膜のa軸成長化とその特性

^○（M1）何軼倫，赤塚寛之，作間啓太，宮脇哲也，植田研二，浅野秀文 (名大工)

13:15 〜 13:30

[18p-C9-2] Bi-2212薄膜のCeO₂バッファ層成膜条件依存性

^○（M1）岩本恵祐¹，鈴木渉太²，島影尚¹，川上彰³，齊藤敦⁴，武田正則⁵ (茨城大¹，NTN²，情報通信研究機構³，山形大⁴，静岡大⁵)

13:30 〜 13:45

[18p-C9-3] Y系線材のレーザスクライビングの新技術

^○町敬人，中尾公一，田辺圭一 (超電導工研)

13:45 〜 14:00

[18p-C9-4] ターゲット交換法を用いたBaHfO₃添加Nd_1+xBa_2-xCu₃O_y薄膜の作製

^○澤野友祐¹，吉田隆¹，一野祐亮¹，松本要²，淡路智³ (名大工¹，九工大²，東北大³)

14:00 〜 14:15

[18p-C9-5] コンビナトリアルNd:YAG-PLD法によるYBCO薄膜におけるAPCおよび化学組成の高速最適化

^○一野祐亮，小島翔，吉田隆 (名大工)

14:15 〜 14:30

[18p-C9-6] コンビナトリアル-PLD法を用いた3d遷移金属置換YBa₂(Cu_1-xM_x)₃O_y薄膜の磁場中超伝導特性

^○小島翔，一野祐亮，吉田隆 (名大工)

14:30 〜 14:45

[18p-C9-7] YBa₂Cu₃O_7-x-BaSnO₃/PrBa₂Cu₃O_7-y多層膜の作製とその超伝導特性

^○梶原太智¹，村山拓人¹，田口健太¹，松本要¹，堀出朋哉¹，一瀬中²，吉田隆³，淡路智⁴，パオロメレ⁵ (九工大¹，電中研²，名大³，東北大⁴，広島大⁵)

休憩　（14:45 〜 15:00）

15:00 〜 15:15

[18p-C9-8] BaSnO₃ナノロッドを導入したYBa₂Cu₃O_7-x薄膜のひずみ評価

^○（M1）田口健太，堀出朋哉，松本要 (九工大)

15:15 〜 15:30

[18p-C9-9] PLD法によりIBAD-MgO金属基板上に作製したハイブリッドAPC導入YBa₂Cu₃O_7-x薄膜の超伝導特性

^○原和輝¹，河村武宏¹，堀出朋哉¹，松本要¹，一瀬中²，吉積正晃³，和泉輝朗³，塩原融³ (九工大院¹，電中研²，超工研³)

15:30 〜 15:45

[18p-C9-10] TFA-MOD REBCO線材のPO₂-T状態図と超伝導特性

^○（M1C）河合敦史¹，羽鳥慎也¹，鄭翔赫¹，三浦正志¹，高木裕司²，中岡晃一²，和泉輝郎²，塩原融² (成蹊大¹，超工研²)

15:45 〜 16:00

[18p-C9-11] TFA-MOD法による厚膜におけるSegregationの考察

^○荒木猛司，小林奈央，林真理子，福家浩之 (東芝研究開発センター)

16:00 〜 16:15

△ [18p-C9-12] TFA-MOD法による厚膜仮焼膜での偏析抑制

^○小林奈央，荒木猛司，林真理子，福家浩之 (東芝研究開発センター)

16:15 〜 16:30

[18p-C9-13] MOD法によるYbBa₂Cu₄O₈及びYb_0.9Ca_0.1Ba₂Cu₄O₈薄膜の作製

^○（M1）青柳翔馬¹，福嶋伸悟¹，堀出朋哉¹，美藤正樹¹，松本要¹，吉田隆²，淡路智³，一瀬中⁴，高野義彦⁵ (九工大¹，名大²，東北大³，電中研⁴，物材機構⁵)

16:30 〜 16:45

[18p-C9-14] TFA-MOD法によりBaZrO₃を導入したYBa₂Cu₃O_y膜の結晶成長過程

^○寺西亮¹，紺屋和樹¹，木須隆暢¹，山田和広¹，金子賢治¹，吉積正晃²，和泉輝郎² (九州大工¹，超電導工研²)

一般セッション(口頭講演)

[19a-C9-1~8] 11.2 薄膜．厚膜．テープ作製プロセスおよび結晶成長

2013年9月19日(木) 09:30 〜 11:45 C9 (TC3 2F-202)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 09:45

△ [19a-C9-1] 電気化学法を用いた超伝導FeSeの合成

^○出村郷志^1,2，出口啓太^1,2，藤岡正弥¹，Saleem Demholme¹，岡崎宏之¹，水口佳一^1,3，原裕^1,2，山木拓馬^1,2，山口尚秀¹，竹屋浩幸¹，高野義彦^1,2 (物質・材料研究機構¹，筑波大²，首都大東京³)

09:45 〜 10:00

△ [19a-C9-2] フッ化カルシウム基板を用いた FeSe 薄膜の作製とその超伝導特性

^○鍋島冬樹¹，今井良宗¹，小宮世紀²，花輪雅史²，塚田一郎²，前田京剛¹ (東大院総合¹，電中研²)

10:00 〜 10:15

[19a-C9-3] CaFe₂As₂,SrFe₂As₂系薄膜のMBE成長

^○石丸喜康，中尾公一，筑本知子，安達成司，田辺圭一 (国際超電導産業技術研究センター)

10:15 〜 10:30

△ [19a-C9-4] 高J_c BaFe₂(As,P)₂薄膜のヘテロエピタキシャル成長と等方的な磁束ピニング特性

^○佐藤光¹，平松秀典^1,2，神谷利夫^1,2，細野秀雄^1,2,3 (東工大応セラ研¹，東工大元素センター²，東工大フロンティア³)

休憩　（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[19a-C9-5] 酸化物及びフッ化物基板上の(Ba,K)Fe₂As₂ 薄膜の成長過程

^○渡辺大樹¹，菅原弘晃¹，光田暁弘²，内藤方夫¹ (東京農工大工¹，九州大²)

11:00 〜 11:15

[19a-C9-6] Reel-to-Reel法を用いたIBAD基板上PドープBaFe₂As₂薄膜線材の作製

^○宮田成紀，石丸喜康，安達成司，下出貴史，村井佑多，田辺圭一 (ISTEC)

11:15 〜 11:30

[19a-C9-7] 各種弗化物バリヤ層を用いたMgB₂ジョセフソン接合の作製と特性評価

^○目出和也¹，相原将人¹，半沢幸太¹，石丸喜康²，田辺圭一² (東京農工大院¹，超電導工学研究所²)

11:30 〜 11:45

[19a-C9-8] ジュラルミンテープ上へのMgB₂2 厚膜の作製とJ_cの膜厚依存性

^○土井俊哉，堀井滋 (京大)

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11．超伝導 » 11.2 薄膜．厚膜．テープ作製プロセスおよび結晶成長

[18p-C9-1~14] 11.2 薄膜．厚膜．テープ作製プロセスおよび結晶成長

△ [18p-C9-1] 無限層構造Sr_1-xLa_xCuO₂薄膜のa軸成長化とその特性

[18p-C9-2] Bi-2212薄膜のCeO₂バッファ層成膜条件依存性

[18p-C9-3] Y系線材のレーザスクライビングの新技術

[18p-C9-4] ターゲット交換法を用いたBaHfO₃添加Nd_1+xBa_2-xCu₃O_y薄膜の作製

[18p-C9-5] コンビナトリアルNd:YAG-PLD法によるYBCO薄膜におけるAPCおよび化学組成の高速最適化

[18p-C9-6] コンビナトリアル-PLD法を用いた3d遷移金属置換YBa₂(Cu_1-xM_x)₃O_y薄膜の磁場中超伝導特性

[18p-C9-7] YBa₂Cu₃O_7-x-BaSnO₃/PrBa₂Cu₃O_7-y多層膜の作製とその超伝導特性

[18p-C9-8] BaSnO₃ナノロッドを導入したYBa₂Cu₃O_7-x薄膜のひずみ評価

[18p-C9-9] PLD法によりIBAD-MgO金属基板上に作製したハイブリッドAPC導入YBa₂Cu₃O_7-x薄膜の超伝導特性

[18p-C9-10] TFA-MOD REBCO線材のPO₂-T状態図と超伝導特性

[18p-C9-11] TFA-MOD法による厚膜におけるSegregationの考察

△ [18p-C9-12] TFA-MOD法による厚膜仮焼膜での偏析抑制

[18p-C9-13] MOD法によるYbBa₂Cu₄O₈及びYb_0.9Ca_0.1Ba₂Cu₄O₈薄膜の作製

[18p-C9-14] TFA-MOD法によりBaZrO₃を導入したYBa₂Cu₃O_y膜の結晶成長過程

[19a-C9-1~8] 11.2 薄膜．厚膜．テープ作製プロセスおよび結晶成長

△ [19a-C9-1] 電気化学法を用いた超伝導FeSeの合成

△ [19a-C9-2] フッ化カルシウム基板を用いた FeSe 薄膜の作製とその超伝導特性

[19a-C9-3] CaFe₂As₂,SrFe₂As₂系薄膜のMBE成長

△ [19a-C9-4] 高J_c BaFe₂(As,P)₂薄膜のヘテロエピタキシャル成長と等方的な磁束ピニング特性

[19a-C9-5] 酸化物及びフッ化物基板上の(Ba,K)Fe₂As₂ 薄膜の成長過程

[19a-C9-6] Reel-to-Reel法を用いたIBAD基板上PドープBaFe₂As₂薄膜線材の作製

[19a-C9-7] 各種弗化物バリヤ層を用いたMgB₂ジョセフソン接合の作製と特性評価

[19a-C9-8] ジュラルミンテープ上へのMgB₂2 厚膜の作製とJ_cの膜厚依存性

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11．超伝導 » 11.2 薄膜．厚膜．テープ作製プロセスおよび結晶成長

[18p-C9-1~14] 11.2 薄膜．厚膜．テープ作製プロセスおよび結晶成長

△ [18p-C9-1] 無限層構造Sr1-xLaxCuO2薄膜のa軸成長化とその特性

△ [18p-C9-12] TFA-MOD法による厚膜仮焼膜での偏析抑制

[19a-C9-1~8] 11.2 薄膜．厚膜．テープ作製プロセスおよび結晶成長

△ [19a-C9-1] 電気化学法を用いた超伝導FeSeの合成

△ [19a-C9-2] フッ化カルシウム基板を用いた FeSe 薄膜の作製とその超伝導特性

△ [19a-C9-4] 高Jc BaFe2(As,P)2薄膜のヘテロエピタキシャル成長と等方的な磁束ピニング特性

△ [18p-C9-1] 無限層構造Sr_1-xLa_xCuO₂薄膜のa軸成長化とその特性

△ [19a-C9-4] 高J_c BaFe₂(As,P)₂薄膜のヘテロエピタキシャル成長と等方的な磁束ピニング特性