一般セッション(口頭講演)

[16a-C5-1~11] 12.2 評価・基礎物性

2013年9月16日(月) 09:30 〜 12:30 C5 (TC3 1F-115)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 09:45

[16a-C5-1] 2探針AFMによるオリゴチオフェン薄膜結晶の局所電気伝導計測

^○広瀬政晴¹，小林圭^{1, 2}，山田啓文¹ (京大院工¹，京大白眉セ²)

09:45 〜 10:00

[16a-C5-2] AFMによるシトクロム c₃分子の電気伝導測定

^○角田早¹，山口晴正¹，蔡徳七¹，平野義明²，鈴木雅之³，樋口芳樹³，松本卓也¹ (阪大院理¹，福井大院工²，兵庫県立大院生命理³)

10:00 〜 10:15

[16a-C5-3] 有機半導体分子への異種分子ドーピングにおける分子間相互作用の効果

^○長谷川友里¹，山田洋一¹，佐々木正洋¹，若山裕² (筑波大物工¹，物材機構WPI-MANA²)

10:15 〜 10:30

[16a-C5-4] ポルフィリンダブルデッカー型単分子磁石のHOPG上分子配列制御

^○（D）猪瀬朋子¹，田中大輔¹，田中啓文¹，石川直人¹，永田央²，Oleksandr Ivasenko³，Steven De Feyter³，田原一邦⁴，戸部義人⁴，小川琢治¹ (阪大院理¹，分子科学研究所²，K.U.Keuven³，阪大基礎工⁴)

10:30 〜 10:45

[16a-C5-5] 異なる基板上のcoronene分子層へのカリウム吸着

^○矢野雅大，遠藤めぐみ，長谷川友里，岡田遼介，石津友康，山田洋一，佐々木正洋 (筑波大数物)

休憩　（10:45 〜 11:00）

11:00 〜 11:15

[16a-C5-6] 種々の溶媒で処理したPEDOT薄膜の熱電特性

^○大塚啓志，後北寛明，夛田博一 (阪大院基礎工)

11:15 〜 11:30

[16a-C5-7] 金単原子接合の熱起電力計測

^○筒井真楠，森川高典，有馬彰秀，谷口正輝 (阪大産研)

11:30 〜 11:45

△ [16a-C5-8] 金-ベンゼンジチオール-金接合の熱起電力計測

^○森川高典，有馬彰秀，筒井真楠，谷口正輝 (阪大産研)

11:45 〜 12:00

[16a-C5-9] メカニカルブレークジャンクション法によるポルフィリン－イミド単一分子電気測定

^○片寄慎一¹，田中啓文¹，Handayani Murni¹，山田亮²，多田博一²，小川琢治¹ (阪大院理¹，阪大院基礎工²)

12:00 〜 12:15

[16a-C5-10] アルカンチオール単分子膜のエネルギー準位接続と電気伝導特性～Transition Voltage Spectroscopyによる解析～

^○野勢大輔¹，山本真人¹，石井久夫^1,2，野口裕^1,2 (千葉大院融合¹，千葉大先進²)

12:15 〜 12:30

[16a-C5-11] シトクロム c₃ネットワークの電気特性

^○山口晴正¹，角田早¹，蔡徳七¹，平野義明²，鈴木雅之³，樋口芳樹³，松本卓也¹ (阪大院理¹，福井大院工²，兵庫県立大院生命理³)

一般セッション(口頭講演)

[16p-C5-1~14] 12.2 評価・基礎物性

2013年9月16日(月) 14:00 〜 17:45 C5 (TC3 1F-115)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食　（12:30 〜 14:00）

14:00 〜 14:15

[16p-C5-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）π共役系拡張現象によって誘起される界面準位の発現条件

^○細貝拓也¹，米澤恵一朗²，加藤賢悟²，牧野凜太朗²，Yang Jinpeng²，Koswattage K. R.²，上野信雄²，解良聡² (岩手大¹，千葉大²)

14:15 〜 14:30

[16p-C5-2] 硬X線光電子分光法と低エネルギー逆光電子分光法によるP3HTとPCBMバルクヘテロ接合の界面電子構造

^○吉田弘幸¹，池永英司²，小川薫³，大北英生^3,4，伊藤伸三郎³ (京大化研¹，JASRI²，京大院工³，JSTさきがけ⁴)

14:30 〜 14:45

△ [16p-C5-3] Auナノ粒子が拡散したPEDOT:PSS薄膜の電子構造

^○（M1）安部裕一，板子健太郎，佐藤大気，金井要 (東理大)

14:45 〜 15:00

[16p-C5-4] 二重共鳴SFG分光によるPCBM:P3HT薄膜表面の解析

^○宮前孝行，下位幸弘 (産総研)

15:00 〜 15:15

[16p-C5-5] Alq₃誘導体真空蒸着膜における巨大表面電位のリガンド修飾位置依存性

^○礒島隆史¹，伊藤嘉浩¹，Jin Wook Han² (理研伊藤ナノ医工学¹，ハンヤン大化²)

15:15 〜 15:30

[16p-C5-6] 様々な添加剤を有する複合溶液を用いて作製した活性層を有する有機薄膜太陽電池の特性評価

^○伊藤允一，落合鎮康 (愛知工大)

15:30 〜 15:45

[16p-C5-7] フタロシアニン薄膜の光伝導スペクトル。

^○Richard Murdey，佐藤直樹 (京大化研)

休憩　（15:45 〜 16:00）

16:00 〜 16:15

[16p-C5-8] 銀ナノ粒子の安定性ー銀塩写真からプラズモニクスへ

^○谷忠昭¹，内田孝幸² (日本写真学会¹，東京工芸大工²)

16:15 〜 16:30

[16p-C5-9] 光学顕微鏡による有機薄膜成長形態の観察

^○林広大，小幡誠司，斉木幸一朗 (東大新領域)

16:30 〜 16:45

[16p-C5-10] 可溶性有機・無機複合ペロブスカイトのデバイス化と電子特性

^○長谷川裕之^1,3，大崎剛²，ロレーナジーヤンカルロ²，髙橋幸裕^1,2,3，原田潤^1,2,3，稲辺保^1,2,3 (北大院理¹，北大院総化²，JST-CREST³)

16:45 〜 17:00

△ [16p-C5-11] 有機・無機複合可溶性半導体: CH₃NH₃(Pb_1-xSn_x)I₃ (0≦x≦1)の電子物性とデバイス作製

^○大崎剛¹，ジーヤンカルロロレーナ¹，長谷川裕之^2,3，原田潤^1,2,3，高橋幸裕^1,2,3，稲辺保^1,2,3 (北大院総化¹，北大院理²，JST-CREST³)

17:00 〜 17:15

▼ [16p-C5-12] Electronic Properties and Device Fabrication of Soluble Organic-Inorganic Copper Halide Based Perovskites

^○（D）Giancarlo Lorena¹，大崎剛¹，長谷川裕之^2,3，高橋幸裕^1,2,3，原田潤^1,2,3，稲辺保^1,2,3 (北大院総化¹，北大院理²，JST-CREST³)

17:15 〜 17:30

[16p-C5-13] 金属ナノ粒子被覆したマイクロビーズの光散乱特性に基づく表面評価

^○藤田高大¹，山本陽二郎^1,2，椎木弘¹，長岡勉¹ (阪府大院工¹，グリーンケム²)

17:30 〜 17:45

[16p-C5-14] 表面張力の成分わけによる動的ぬれ性の要因評価

^○石川貴之，表篤志，石野正人，美濃規央 (パナソニック先端技研)

一般セッション(ポスター講演)

[17p-P3-1~10] 12.2 評価・基礎物性

2013年9月17日(火) 13:30 〜 15:30 P3 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 15:30

[17p-P3-1] アルカリドープによる有機分子膜の物性制御

^○遠藤めぐみ，矢野雅大，岡田遼介，山田洋一，佐々木正洋 (筑波大数物)

13:30 〜 15:30

[17p-P3-2] [n]フェナセン単分子膜へのアルカリ吸着

^○石津友康，矢野雅大，遠藤めぐみ，長谷川友里，佐藤翔，山田洋一，佐々木正洋 (筑波大数理)

13:30 〜 15:30

[17p-P3-3] KFMによるハイパーブランチポリスチレン保護金ナノ粒子の表面電位測定

^○東康男^1,2，藤田克彦³，真島豊^1,2 (東工大応セラ研¹，ＣＲＥＳＴ－ＪＳＴ²，九大先導研³)

13:30 〜 15:30

[17p-P3-4] 水晶振動子・光導波路分光複合センサを用いた鉛フタロシアニン薄膜の光学特性評価

^○平川諒，鵜野成博，大平泰生，馬場暁，新保一成，加藤景三，金子双男 (新潟大)

13:30 〜 15:30

[17p-P3-5] PEDOT-PSS膜の可視光領域における発光スペクトル

^○松野泰己，横山泰範，小山剛史，岸田英夫 (名大院工)

13:30 〜 15:30

[17p-P3-6] Ru錯体多層膜の錯体種と錯形成法による電子移動能の違い

^○石田敬雄¹，大山真紀子¹，小澤寛晃²，芳賀正明² (産総研ナノシステム¹，中大理工²)

13:30 〜 15:30

[17p-P3-7] 水面上単分子膜の2相共存領域に関する研究

^○西村哲也，八田英嗣，末岡和久 (北大院情報科研)

13:30 〜 15:30

[17p-P3-8] 水晶振動子による高分子薄膜の分子量測定

^○西脇優将，日比野拓矢，前川翔一，久保野敦史 (静岡大)

13:30 〜 15:30

[17p-P3-9] 電流DLTS法による劣化ホールオンリー素子のトラップ観測

^○内藤秀成¹，徳田豊¹，舘鋼次郎²，加藤哲弥²，片山雅之² (愛知工大¹，デンソー²)

13:30 〜 15:30

[17p-P3-10] 6,13-ビス(ペルフルオロアルキル)ペンタセン薄膜の高次構造制御と有機電界効果トランジスタへの応用

^○山本今日子¹，山田重之²，矢島知子³，久保田俊夫⁴，山崎孝²，田原慎哉¹，海田由里子¹ (旭硝子¹，東農工大院工²，お茶女大院³，茨城大院工⁴)

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12．有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.2 評価・基礎物性

[16a-C5-1~11] 12.2 評価・基礎物性

[16a-C5-1] 2探針AFMによるオリゴチオフェン薄膜結晶の局所電気伝導計測

[16a-C5-2] AFMによるシトクロム c₃分子の電気伝導測定

[16a-C5-3] 有機半導体分子への異種分子ドーピングにおける分子間相互作用の効果

[16a-C5-4] ポルフィリンダブルデッカー型単分子磁石のHOPG上分子配列制御

[16a-C5-5] 異なる基板上のcoronene分子層へのカリウム吸着

[16a-C5-6] 種々の溶媒で処理したPEDOT薄膜の熱電特性

[16a-C5-7] 金単原子接合の熱起電力計測

△ [16a-C5-8] 金-ベンゼンジチオール-金接合の熱起電力計測

[16a-C5-9] メカニカルブレークジャンクション法によるポルフィリン－イミド単一分子電気測定

[16a-C5-10] アルカンチオール単分子膜のエネルギー準位接続と電気伝導特性～Transition Voltage Spectroscopyによる解析～

[16a-C5-11] シトクロム c₃ネットワークの電気特性

[16p-C5-1~14] 12.2 評価・基礎物性

[16p-C5-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）π共役系拡張現象によって誘起される界面準位の発現条件

[16p-C5-2] 硬X線光電子分光法と低エネルギー逆光電子分光法によるP3HTとPCBMバルクヘテロ接合の界面電子構造

△ [16p-C5-3] Auナノ粒子が拡散したPEDOT:PSS薄膜の電子構造

[16p-C5-4] 二重共鳴SFG分光によるPCBM:P3HT薄膜表面の解析

[16p-C5-5] Alq₃誘導体真空蒸着膜における巨大表面電位のリガンド修飾位置依存性

[16p-C5-6] 様々な添加剤を有する複合溶液を用いて作製した活性層を有する有機薄膜太陽電池の特性評価

[16p-C5-7] フタロシアニン薄膜の光伝導スペクトル。

[16p-C5-8] 銀ナノ粒子の安定性ー銀塩写真からプラズモニクスへ

[16p-C5-9] 光学顕微鏡による有機薄膜成長形態の観察

[16p-C5-10] 可溶性有機・無機複合ペロブスカイトのデバイス化と電子特性

△ [16p-C5-11] 有機・無機複合可溶性半導体: CH₃NH₃(Pb_1-xSn_x)I₃ (0≦x≦1)の電子物性とデバイス作製

▼ [16p-C5-12] Electronic Properties and Device Fabrication of Soluble Organic-Inorganic Copper Halide Based Perovskites

[16p-C5-13] 金属ナノ粒子被覆したマイクロビーズの光散乱特性に基づく表面評価

[16p-C5-14] 表面張力の成分わけによる動的ぬれ性の要因評価

[17p-P3-1~10] 12.2 評価・基礎物性

[17p-P3-1] アルカリドープによる有機分子膜の物性制御

[17p-P3-2] [n]フェナセン単分子膜へのアルカリ吸着

[17p-P3-3] KFMによるハイパーブランチポリスチレン保護金ナノ粒子の表面電位測定

[17p-P3-4] 水晶振動子・光導波路分光複合センサを用いた鉛フタロシアニン薄膜の光学特性評価

[17p-P3-5] PEDOT-PSS膜の可視光領域における発光スペクトル

[17p-P3-6] Ru錯体多層膜の錯体種と錯形成法による電子移動能の違い

[17p-P3-7] 水面上単分子膜の2相共存領域に関する研究

[17p-P3-8] 水晶振動子による高分子薄膜の分子量測定

[17p-P3-9] 電流DLTS法による劣化ホールオンリー素子のトラップ観測

[17p-P3-10] 6,13-ビス(ペルフルオロアルキル)ペンタセン薄膜の高次構造制御と有機電界効果トランジスタへの応用

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12．有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.2 評価・基礎物性

[16a-C5-1~11] 12.2 評価・基礎物性

△ [16a-C5-8] 金-ベンゼンジチオール-金接合の熱起電力計測

[16p-C5-1~14] 12.2 評価・基礎物性

△ [16p-C5-3] Auナノ粒子が拡散したPEDOT:PSS薄膜の電子構造

△ [16p-C5-11] 有機・無機複合可溶性半導体: CH3NH3(Pb1-xSnx)I3 (0≦x≦1)の電子物性とデバイス作製

▼ [16p-C5-12] Electronic Properties and Device Fabrication of Soluble Organic-Inorganic Copper Halide Based Perovskites

[17p-P3-1~10] 12.2 評価・基礎物性

△ [16p-C5-11] 有機・無機複合可溶性半導体: CH₃NH₃(Pb_1-xSn_x)I₃ (0≦x≦1)の電子物性とデバイス作製