一般セッション(口頭講演)

[18a-D6-1~9] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

2013年9月18日(水) 09:30 〜 12:00 D6 (MK 3F-301)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 09:45

△ [18a-D6-1] (111)A面上量子ドットからの量子もつれ光子対生成

^○中島秀朗^1,2,3，黒田隆¹，熊野英和²，間野高明¹，迫田和彰¹，末宗幾夫² (物材機構¹，北大電子研²，学振DC³)

09:45 〜 10:00

△ [18a-D6-2] 高成長温度、低成長量で作製された低密度InP(311)B基板上InAs量子ドットの光学特性

^○小西広一郎¹，高熊亨¹，赤羽浩一²，末宗幾夫³，早瀬潤子¹ (慶大理工¹，情通機構²，北大電子研³)

10:00 〜 10:15

[18a-D6-3] 電気二重層ゲートによる単一量子ドットトランジスタの伝導特性の変調

^○柴田憲治^1,2，Yuan Hongtao³，岩佐義宏^3,4，平川一彦^1,2,5 (東大ナノ量子機構¹，東大生産研²，東大院工³，理研CEMS⁴，CREST-JST⁵)

10:15 〜 10:30

▼ [18a-D6-4] Terahertz Spectroscopy of Sublevel Structures in Single Self-Assembled InAs Quantum Dots

^○（D）張亜¹，柴田憲治¹，長井奈緒美¹，平川一彦^1,2,3 (東大生産研¹，東大ナノ量子機構²，CREST-JST³)

10:30 〜 10:45

[18a-D6-5] ゲルマニウム量子ドットを用いた中間バンド型太陽電池における最適構造検討

^○岡田健¹，胡衛国^1,2，肥後昭男³，李明義⁴，李義明^3,4，寒川誠二^1,2,3 (東北大流体研¹，JST-CREST²，東北大WPI-AIMR³，台湾国立交通大⁴)

休憩　（10:45 〜 11:00）

11:00 〜 11:15

▼ [18a-D6-6] Formation and Characterization of a Three Dimensional Silicon Quantum Dot Superlattice Fabricated by Top-Down Process Using Bio-Template and Neutral Beam Etching Technology for its Application to a High Efficiency Quantum Dot Solar Cell

^○Mohammad Rahman^1,4，五十嵐誠^1,4，胡衛国^1,4，Mohd Erman Fauzi^1,4，星裕介²，宇佐美徳隆²，寒川誠二^1,3,4 (東北大流体研¹，名大院工²，東北大WPI-AIMR³，JST-CREST⁴)

11:15 〜 11:30

▲ [18a-D6-7] GaAs surface investigation for high density quantum nanodisk array with a bio-template top-down process

^○Cédric Thomas^1,3，田村洋典^1,3，肥後昭男²，岡田健¹，岡本尚文⁴，山下一郎⁴，寒川誠二^1,2,3 (東北大流体研¹，東北大WPI-AIMR²，JST-CREST³，奈良先端大⁴)

11:30 〜 11:45

△ [18a-D6-8] バイオテンプレート極限加工によるGaAsナノディスクの作製プロセスの最適化

^○田村洋典^1,4，肥後昭男²，Cédric Thomas^1,4，岡田健¹，山下一郎^3,4，寒川誠二^1,2,4 (東北大流体研¹，東北大WPI-AIMR²，奈良先端大³，JST-CREST⁴)

11:45 〜 12:00

[18a-D6-9] バイオテンプレート極限加工によるGaAs量子ナノディスクの作製とフォトルミネッセンス特性

^○肥後昭男¹，田村洋典^2,7，木場隆之^3,7，Cédric Thomas^2,7，王云鵬⁴，山下一郎^5,7，杉山正和⁶，仲野義昭^4,6，村山明宏^3,7，寒川誠二^1,2,7 (東北大WPI-AIMR¹，東北大流体研²，北大院情報科学³，東大先端研⁴，奈良先端大⁵，東大工学部⁶，JST-CREST⁷)

一般セッション(口頭講演)

[18p-D6-1~17] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

2013年9月18日(水) 13:30 〜 18:00 D6 (MK 3F-301)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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昼食　（12:00 〜 13:30）

13:30 〜 13:45

[18p-D6-1] バイオテンプレート極限加工GaAs量子ナノディスクにおける光励起キャリアダイナミクス

^○木場隆之^1,4，須崎健太¹，田村洋典^2,4，肥後昭男³，寒川誠二^2,3,4，村山明宏^1,4 (北大院情報科学¹，東北大流体研²，東北大WPI-AIMR³，JST-CREST⁴)

13:45 〜 14:00

[18p-D6-2] バイオテンプレート極限加工GaAs量子ナノディスクにおける光学利得

^○須崎健太¹，木場隆之^1,5，Kwangseuk Kyhm²，田村洋典^3,5，肥後昭男⁴，寒川誠二^3,4,5，村山明宏^1,5 (北大院情報科学¹，韓国釜山大²，東北大流体研³，東北大WPI-AIMR⁴，JST-CREST⁵)

14:00 〜 14:15

[18p-D6-3] バイオテンプレート極限加工GaAs量子ナノディスクの反射ポンププローブ分光

^○田中亨¹，佐々木義¹，木場隆之^1,5，Kwangseuk Kyhm²，田村洋典³，肥後昭男⁴，寒川誠二^3,4,5，村山明宏^1,5 (北大院情報科学¹，韓国釜山大²，東北大流体研³，東北大 WPI-AIMR⁴，JST-CREST⁵)

14:15 〜 14:30

[18p-D6-4] 量子ドット中の励起子・励起子分子光非線形におけるFano共鳴効果

^○後藤秀樹，眞田治樹，山口浩司，寒川哲臣 (NTT物性研)

14:30 〜 14:45

▲ [18p-D6-5] InAs/GaAsナノワイヤ量子ドットの微細構造分裂の測定

^○Edmund Harbord¹，舘林潤¹，石田悟己^1,2，西岡政雄^1,2，岩本敏^1,2，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生研²)

14:45 〜 15:00

[18p-D6-6] 立方晶GaN量子ドットを用いた単一光子発生

^○加古敏¹，Sylvain Sergent²，Mark Holmes²，Matthias Buerger³，Donat As³，荒川泰彦^1,2 (東大生研¹，東大ナノ量子機構²，Ｐａｄｅｒｂｏｒｎ大³)

15:00 〜 15:15

[18p-D6-7] 共鳴励起準位の選択による量子ドット単一光子発生器の純度改善

^○宮澤俊之¹，竹本一矢²，佐久間芳樹³，宋海智³，高津求³，山本剛之¹，荒川泰彦^{2, 4} (富士通研¹，東大ナノ量子機構²，物質材料研究機構³，東大生研⁴)

15:15 〜 15:30

▲ [18p-D6-8] Two-Dimensional Finite Element Modeling for Stress Analysis of Emission Energy Control of Quantum Dots using Phase Change Material

^○ビンティフマムヌルーシャファワティ，佐藤悠，津守伸宏，斎木敏治 (慶大院理工)

15:30 〜 15:45

[18p-D6-9] InAs/AlGaAs量子ロッド構造の電流電圧特性

^○（M1）小嶋友也，大森雅登，Pavel Vitushinskiy，榊裕之 (豊田工業大)

休憩　（15:45 〜 16:00）

16:00 〜 16:15

[18p-D6-10] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）通信波長帯ピコ秒単一光子量子ビットの量子ドット集合体への転写・再生

^○鈴木一将¹，赤羽浩一²，小西広一郎¹，早瀬潤子¹ (慶大理工¹，情通機構²)

16:15 〜 16:30

[18p-D6-11] 酸化エルビウムエピタキシャル薄膜のスカンジウム混晶化による光学特性の改善

^○俵毅彦^1,2，尾身博雄^1,2，穂積貴人³，鍜治怜奈³，足立智³，後藤秀樹¹，寒川哲臣¹ (NTT物性基礎研¹，NTTナノフォトニクスセンタ²，北大院工³)

16:30 〜 16:45

[18p-D6-12] ダブル誘導ラマン断熱通過による酸化エルビウム薄膜での量子ビット任意回転操作

^○川上欣洋¹，穂積貴人¹，鍜治怜奈¹，足立智¹，俵毅彦^2,3，尾身博雄^2,3 (北大院工¹，NTT物性基礎研²，NTTナノフォトニクスセンタ³)

16:45 〜 17:00

[18p-D6-13] (113)B基板上のInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs結合共振器へのフェムト秒パルス照射によるテラヘルツ帯差周波発生

^○大柄根斉宣¹，加藤翔¹，中川義典^1,2，森田健¹，北田貴弘¹，井須俊郎¹ (徳島大院フロンティア¹，日亜化学²)

17:00 〜 17:15

[18p-D6-14] InAs量子ドットを利得媒質とするGaAs/AlAs結合共振器のウエハ直接接合による作製と光学特性評価

^○原山千穂¹，加藤翔¹，中河義典^1,2，森田健¹，北田貴弘¹，井須俊郎¹ (徳島大院フロンティア¹，日亜化学²)

17:15 〜 17:30

[18p-D6-15] CdSe/ZnS量子ドットの時間分解発光測定

^○北村繁宏，千秋政也，今井啓太，温映輝，勝山俊夫 (福井大・院工)

17:30 〜 17:45

[18p-D6-16] TiO₂基板上の単一CdSe/ZnS量子ドットの発光特性解析

^○長尾優樹，藤原英樹，笹木敬司 (北大電子研)

17:45 〜 18:00

[18p-D6-17] 超伝導電極をつけたInAs/InP コア/シェルナノワイヤにおける電子伝導

^○布施智子¹，林尚生^1,2，Russell Deacon¹，Guoqiang Zhang³，舘野功太³，石橋幸治¹ (理化学研究所¹，東京理科大²，NTT基礎研究所³)

一般セッション(口頭講演)

[19a-D6-1~9] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

2013年9月19日(木) 09:30 〜 12:00 D6 (MK 3F-301)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 09:45

[19a-D6-1] 量子閉じ込め励起子の波動共鳴による超高速光カー応答

^○一宮正義^1,2，木下岳³，石原一³，芦田昌明¹ (阪大院基礎工¹，阪歯大²，阪府大院工³)

09:45 〜 10:00

[19a-D6-2] GaAs量子井戸における正孔スピン重ね合わせ状態の励起エネルギー依存性

^○伊藤哲^1,2，後藤秀樹³，市田正夫⁴，安藤弘明⁴ (静岡大電子研¹，静岡大院工²，NTT物性科学基礎研³，甲南大院自然⁴)

10:00 〜 10:15

[19a-D6-3] GaAs/AlAs三結合共振器への波長帯域制限したパルス光照射による四光波混合信号光のスペクトル形状

^○北田貴弘¹，安長千徳¹，中河義典^1,2，森田健¹，井須俊郎¹ (徳島大院フロンティア¹，日亜化学²)

10:15 〜 10:30

[19a-D6-4] 微小開口部アレイからの選択エッチングにより作製したGaAs/Air多層膜共振器構造

^○小松秀士¹，中川義典^1,2，森田健¹，北田貴弘¹，井須俊郎¹ (徳島大院フロンティア¹，日亜化学²)

10:30 〜 10:45

[19a-D6-5] GaAs結合機械共振器におけるフォノン多重波混合

^○岡本創，Imran Mahboob，山口浩司 (ＮＴＴ物性基礎研)

休憩　（10:45 〜 11:00）

11:00 〜 11:15

[19a-D6-6] 1次元フォトニック結晶によるフォトルミネッセンスの増強に関する研究

^○菖蒲谷晃平，森藤正人 (大阪大工)

11:15 〜 11:30

[19a-D6-7] シリコンフォノニックナノ構造の熱伝導率測定

^○野村政宏^1,2，Jeremie Maire^1,3 (東大生研¹，東大ナノ量子機構²，東大LIMMS³)

11:30 〜 11:45

[19a-D6-8] マイクロ・ナノシリコンへのSiC超薄膜の作製

^○金野健太郎，安永順二，本橋光也 (電機大工)

11:45 〜 12:00

[19a-D6-9] SiNｘ薄膜による第二次高調波発生

^○（B）北尾明大，河村息吹，今北健二，藤井稔 (神戸大工)

一般セッション(ポスター講演)

[19p-P9-1~7] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

2013年9月19日(木) 13:30 〜 15:30 P9 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 15:30

[19p-P9-1] CoSi₂バッファ層を用いたSi上弗化物共鳴トンネル構造の高温成長

^○高橋剛，田村智晃，高橋慶太，筒井一生 (東工大総理工)

13:30 〜 15:30

[19p-P9-2] ナノクリスタルシリコン/CaF₂共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性

^○越田悠太，須田慶太，桑田友哉，傳田純也，小池進，瀬川美奈人，渡辺正裕 (東工大院総理工)

13:30 〜 15:30

[19p-P9-3] Si/CaF₂/CdF₂共鳴トンネル量子井戸構造のパルス応答特性

^○傳田純也，須田慶太，桑田友哉，渡辺正裕 (東工大院総理工)

13:30 〜 15:30

[19p-P9-4] Si/CaF₂/CdF₂量子井戸構造を用いた抵抗スイッチング素子の理論解析

^○須田慶太，傳田純也，桑田友哉，渡辺正裕 (東工大)

13:30 〜 15:30

[19p-P9-5] マイクロ波共振器と結合したInAsナノワイヤ二重結合量子ドット

^○富沢啓^1,2，布施智子¹，Russell Deacon¹，Guoqiang Zhang³，舘野功太³，石橋幸治^1,2 (理研¹，東理大²，NTT物性研³)

13:30 〜 15:30

[19p-P9-6] In-flush法で作製した自己組織化InAs量子ドットの時間分解発光測定

^○北村繁宏¹，温映輝¹，千秋政也¹，今井啓太¹，勝山俊夫¹，日野雄司²，尾崎信彦²，杉本喜正³ (福井大・院工¹，和歌山大シス工²，物材機構³)

13:30 〜 15:30

[19p-P9-7] 高速MBE成長法で作製した多積層InGaAs量子ドット構造のPLスペクトルの偏光依存性

^○（DC）田之上文彦^1,2，菅原宏治¹，赤羽浩一²，山本直克² (首都大SD¹，情通機構²)

セッション一覧

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

[18a-D6-1~9] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

△ [18a-D6-1] (111)A面上量子ドットからの量子もつれ光子対生成

△ [18a-D6-2] 高成長温度、低成長量で作製された低密度InP(311)B基板上InAs量子ドットの光学特性

▼ [18a-D6-4] Terahertz Spectroscopy of Sublevel Structures in Single Self-Assembled InAs Quantum Dots

▼ [18a-D6-6] Formation and Characterization of a Three Dimensional Silicon Quantum Dot Superlattice Fabricated by Top-Down Process Using Bio-Template and Neutral Beam Etching Technology for its Application to a High Efficiency Quantum Dot Solar Cell

▲ [18a-D6-7] GaAs surface investigation for high density quantum nanodisk array with a bio-template top-down process

△ [18a-D6-8] バイオテンプレート極限加工によるGaAsナノディスクの作製プロセスの最適化

[18p-D6-1~17] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

▲ [18p-D6-5] InAs/GaAsナノワイヤ量子ドットの微細構造分裂の測定

▲ [18p-D6-8] Two-Dimensional Finite Element Modeling for Stress Analysis of Emission Energy Control of Quantum Dots using Phase Change Material

[19a-D6-1~9] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

[19p-P9-1~7] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造