一般セッション(口頭講演)

[16p-B1-1~11] 17.4 デバイス応用

2013年9月16日(月) 15:45 〜 18:30 B1 (TC2 1F-101)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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15:45 〜 16:00

▲ [16p-B1-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）Effect of Strain on Chemical Reactions on Flexible Graphene Substrates

^○Mark Bissett¹，小鍋哲²，岡田晋²，辻正治¹，吾郷浩樹¹ (九大先導研¹，筑波大²)

16:00 〜 16:15

[16p-B1-2] Few-layer MoS2 FETのH2アニールによる特性変化

^○村瀬将哉，松井優輔，田畑博史，久保理，片山光浩 (阪大院工)

16:15 〜 16:30

△ [16p-B1-3] 遷移金属ダイカルコゲナイドを用いた電気二重層トランジスタ

^○蒲江¹，Jing-Kai Huang²，清水諒¹，舟橋一真¹，Lain-Jong Li²，岩佐義宏³，竹延大志¹ (早大先進¹，Academia Sinica²，東大院工³)

16:30 〜 16:45

△ [16p-B1-4] レジストフリープロセスを用いたグラフェンデバイスの作製

^○中村仁俊，Zaifuddin Nursakinah，大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，松本和彦 (阪大産研)

16:45 〜 17:00

[16p-B1-5] 量子伝導計算による GNRFET でのゲート静電制御の解析

^○伊藤正勝¹，佐藤信太郎¹，横山直樹¹，Christian Joachim² (産総研¹，CEMES-CNRS²)

17:00 〜 17:15

[16p-B1-6] CVD転写グラフェンによる面型FET受光素子の光電流と環境依存性

^○小勝負信建¹，土居芳行¹，山田貴¹，都甲浩芳² (NTTフォトニクス研究所¹，NTTマイクロシステムインテグレーション研究所²)

17:15 〜 17:30

△ [16p-B1-7] グラフェンFETを利用したインフルエンザウイルスの検出

^○（M1）麻植丈史¹，大野恭秀¹，前橋兼三¹，松本和彦¹，渡邊洋平²，生田和良²，河原敏男³，鈴木康夫³ (阪大産研¹，阪大微研²，中部大³)

17:30 〜 17:45

[16p-B1-8] 酸化グラフェン薄膜デバイスによるタンパク質特異吸着の検出

^○松崎通弘¹，根岸良太¹，大野恭秀²，前橋謙三²，松本和彦²，小林慶裕¹ (阪大院工¹，阪大産研²)

17:45 〜 18:00

[16p-B1-9] 平面分子吸着によるグラフェンナノリボンの電気特性制御

^○福森稔，田中啓文，田中大輔，小川琢治 (阪大院理)

18:00 〜 18:15

[16p-B1-10] グラフェンフラワーにおける電界放出特性の評価

^○岩井勇輔^1,3，村松一生²，坪井升吾¹，定塚淳生¹，中村智宣¹，鬼塚好弘¹，三村秀典³ (鬼塚硝子¹，インキュベーションアライアンス²，静大電研³)

18:15 〜 18:30

[16p-B1-11] CVD成長多層グラフェン配線へのインターカレーション

^○中野美尚，久保田一郎，周波，近藤大雄，林賢二郎，高橋慎，佐藤元伸，八木克典，中払周，佐藤信太郎，横山直樹 (産総研　GNC)

一般セッション(口頭講演)

[17p-B2-1~14] 17.4 デバイス応用

2013年9月17日(火) 13:00 〜 16:45 B2 (TC2 1F-102)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:00 〜 13:15

[17p-B2-1] 印刷型カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの微細化に向けたフレキソ印刷技術の高解像度化の検討

^○前田迪彦¹，樋口健太郎¹，中嶋勇太²，外村卓也²，武居正史²，岸本茂¹，畑克彦²，大野雄高¹ (名大工¹，バンドー化学²)

13:15 〜 13:30

△ [17p-B2-2] 電子皮膚応用を目指したカーボンナノチューブトランジスタの大規模集積化技術

^○竹井邦晴^1,2，Ali Javey² (大阪府立大¹，University of California, Berkeley²)

13:30 〜 13:45

△ [17p-B2-3] 高濃度ドープによるCNT/SiC界面の接触抵抗の低減

^○鈴木和真¹，稲葉優文¹，渋谷恵¹，明道三穂¹，平岩篤¹，増田佳穂²，乗松航²，楠美智子²，川原田洋¹ (早大理工¹，名大エコトピア研²)

13:45 〜 14:00

△ [17p-B2-4] 原子層堆積法を用いたカーボンナノチューブメモリの作製

^○清家康平，大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，松本和彦 (阪大　産研)

14:00 〜 14:15

△ [17p-B2-5] ナノチューブ・ナノリレーにおける機械的共振による不揮発状態の制御

^○（M2）駕田達哉¹，長瀧篤子^1,2，竹井邦晴¹，有江隆之¹，秋田成司¹ (大阪府大工¹，KRI²)

14:15 〜 14:30

[17p-B2-6] 単一カイラリティ半導体型単層カーボンナノチューブにおける熱抵抗変化率

^○工藤光，加治聖也，柳和宏 (首都大東京)

14:30 〜 14:45

[17p-B2-7] 高結晶化単層カーボンナノチューブを用いた電界電子放出型平面発光デバイスの特性

^○下位法弘¹，北條俊昌¹，アドリアナレデスマエストラダ¹，シャロンマリーガリド¹，田中泰光¹，田路和幸¹ (東北大院環境¹)

休憩　（14:45 〜 15:00）

15:00 〜 15:15

[17p-B2-8] 色素増感太陽電池における単層カーボンナノチューブ対極の性能評価

^○千葉孝昭，木下英典，崔可航，エリックエイナルソン，千足昇平，丸山茂夫 (東大工)

15:15 〜 15:30

[17p-B2-9] MWNT分散PMMA薄膜を用いた脳波電極Ⅰ

^○川本昂¹，伏里直樹¹，湶孝介²，北井隆平² (福井高専¹，福井大²)

15:30 〜 15:45

[17p-B2-10] 半導体単層カーボンナノチューブを用いた極微量NH₃ガスセンシング

^○松竹直斗¹，鈴木雄登¹，野本龍一¹，田畑博史¹，久保理¹，片山光浩¹，上田剛²，嶋嵜僚太郎²，丹上博雅²，堀内雅司² (阪大院工¹，新コスモス電機²)