[19p-B4-1~21] 13.5 Siプロセス技術

[19p-B4-1] マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Si膜のLeading Wave Crystallizationにおける結晶位置制御及びTFTの電気特性評価

^○林将平^1,2，森崎誠司¹，上倉敬弘¹，山本将悟¹，酒池耕平^1,2，赤澤宗樹¹，東清一郎¹ (広大院先端研¹，学振特別研究員DC²)

キーワード：薄膜トランジスタ,アモルファスシリコン膜結晶化,熱プラズマジェット