[19p-C9-1~7] 13.7 シミュレーション

[19p-C9-5] 低バンドギャップ、バンドオフセットを持つ半導体シリサイド/Si接合によるトンネルFETの特性向上

^○長谷川明紀¹，呉研¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

キーワード：トンネルFET,マグネシウムシリサイド,サブスレッショルド係数