2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

14.半導体B(探索的材料・物性・デバイス) » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[19p-D7-1~17] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2013年9月19日(木) 13:00 〜 17:45 D7 (MK 3F-302)

15:45 〜 16:00

[19p-D7-10] ディプレッションモードGa2O3 MOSFET

東脇正高1,佐々木公平2,1,上村崇史1,マンホイ ワン1,キルシナムルティ ダイワシガマニ1,倉又朗人2,増井建和3,山腰茂伸2 (情報通信研究機構1,タムラ製作所2,光波3)

キーワード:酸化ガリウム,Ga2O3,MOSFET