2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.1 基礎物性・評価

[20a-C9-1~12] 13.1 基礎物性・評価

2013年9月20日(金) 09:00 〜 12:15 C9 (TC3 2F-202)

10:15 〜 10:30

[20a-C9-6] Photocarrier Buildup Effects in Si Nanostripes Measured by Scanning Probe Microscopy

Leonid Bolotov1,2,多田哲也2,福田浩一2,Vladimir Poborchii2,金山敏彦2 (筑波大1,産総所2)

キーワード:フォトキャリヤー,半導体,プローブ顕微鏡