10:15 〜 10:30
▲ [20a-C9-6] Photocarrier Buildup Effects in Si Nanostripes Measured by Scanning Probe Microscopy
キーワード:フォトキャリヤー,半導体,プローブ顕微鏡
一般セッション(口頭講演)
13.半導体A(シリコン) » 13.1 基礎物性・評価
2013年9月20日(金) 09:00 〜 12:15 C9 (TC3 2F-202)
10:15 〜 10:30
キーワード:フォトキャリヤー,半導体,プローブ顕微鏡