一般セッション(口頭講演)

[27p-A3-1~17] 8.4 プラズマエッチング

2013年3月27日(水) 13:30 〜 18:00 A3 (K1号館 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[27p-A3-1] マスクLine-Edge-RoughnessのWigglingへの影響 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○小藤直行¹，根岸伸幸¹，石村裕昭²，西田敏明²，古林均² (日立中研¹，日立ハイテク²)

[27p-A3-2] HBr/O₂/N₂プラズマにおけるプラズマパラメータとSiエッチング形状の相関 (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○野尻康弘，飯野大輝，碇山理究，澤田雅人，鈴木啓之，山内健資 (東芝　生産技術センター)

[27p-A3-3] 誘導結合型HBrプラズマ中のBrラジカル挙動 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○飯野大輝¹，野尻康弘¹，鈴木啓之¹，大池匠²，藤井良隆²，豊田浩孝^2,3 (東芝生産技術センター¹，名大工²，名大プラズマナノ工学研究センター³)

[27p-A3-4] オンウェハモニタリングによるプラズマプロセスダメージ・形状予測 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○久保田智広¹，佐藤充男²，岩崎拓也³，小野耕平³，寒川誠二^1,4 (東北大流体研¹，原田産業²，みずほ情報総研³，東北大WPI-AIMR⁴)

[27p-A3-5] F2+NOx(x=1-2)の反応ポテンシャルと反応速度定数 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○林俊雄，田嶋聡美，石川健治，関根誠，堀勝 (名大)

[27p-A3-6] シャドーイング効果を利用した低エネルギーイオン誘起損傷のその場STM観察 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○（B）武良光太郎¹，神岡武文^1,2，礒野文哉^1,2，川村祐士^1,2，鹿浜康寛^1,2，山下広樹^1,2，山田康平¹，小杉山洋希¹，橋本修一郎¹，渡邉孝信^1,2 (早大理工¹，JST-CREST²)

[27p-A3-7] H₂/N₂プラズマ中のラジカル密度へ前のプロセスが与える影響とその制御 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○鈴木俊哉¹，竹田圭吾^1,2，近藤博基¹，石川健治¹，関根誠^1,2，堀勝^1,2 (名大院工¹，JST-CREST²)

[27p-A3-8] AlGaNのプラズマエッチング機構に関する研究 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○（M1）曹佳棟，米谷亮佑，盧翌，朴鐘胤，竹田圭吾，近藤博基，石川健治，関根誠，堀勝 (名大院工)

[27p-A3-8.1] 休憩(15分)

[27p-A3-9] ｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
分子動力学法を用いたHBrプラズマによるSiエッチング表面反応解析 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○中崎暢也，津田博隆，鷹尾祥典，江利口浩二，斧高一 (京大院工)

[27p-A3-10] △ハイドロフルオロカーボン（HFC）プラズマによるSiNエッチングにおける表面ポリマー形成過程の解析 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○（M1）三宅啓太¹，礒部倫郎¹，深沢正永²，辰巳哲也²，浜口智志¹ (阪大工¹，ソニー²)

[27p-A3-11] △磁性体エッチングプロセスにおけるN⁺イオン照射効果 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○村木裕，李虎，唐橋一浩，浜口智志 (阪大院工)

[27p-A3-12] △Taマスクの形状制御のための斜め入射イオンによるスパッタリング解析 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○李虎，唐橋一浩，浜口智志 (阪大院工)

[27p-A3-13] △酸素ガスクラスタービーム照射によるシリコン表面酸化プロセスの分子動力学シミュレーション (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○（D）溝谷浩平，礒部倫郎，浜口智志 (阪大院工)

[27p-A3-14] △中性粒子ビームによる低損傷・高選択比SiNエッチングメカニズムの解明 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○中山大樹¹，和田章良¹，久保田智広¹，寒川誠二^1,2 (東北大流体研¹，東北大WPI-AIMR²)

[27p-A3-15] △CH_xF_yプラズマにおける活性種生成過程とエッチング機構の解明(II) (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○近藤祐介，宮脇雄大，竹田圭吾，近藤博基，石川健治，林俊雄，関根誠，堀勝 (名大院工)

[27p-A3-16] プラズマプロセス中における有機薄膜表面反応の実時間・その場観察電子スピン共鳴（ESR）解析（4） (5:30 PM ～ 5:45 PM)

石川健治¹，堀邉英夫²，竹田圭吾¹，近藤博基¹，関根誠¹，堀勝¹，^○王浩然¹ (名大院工¹，金沢工大²)

[27p-A3-17] プラズマプロセスによるArFフォトレジスト表面凹凸の解析 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

竹内拓也¹，^○石川健治¹，節原裕一²，竹田圭吾¹，近藤博基¹，関根誠¹，堀勝¹ (名古屋大工¹，大阪大工²)

一般セッション(口頭講演)

[28a-A5-1~6] 8.4 プラズマエッチング

2013年3月28日(木) 09:15 〜 10:45 A5 (K1号館 3F-303)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[28a-A5-1] 中性粒子ビームによるシリコンエッチング（7） (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○久保田智広^1,2，三輪和弘²，アルタンスックバトナサン¹，大塚晋吾³，渡辺尚貴³，岩崎拓也³，入江康郎³，小野耕平³，杉山正和^2,4，寒川誠二^1,2,5 (東北大流体研¹，BEANS²，みずほ情報総研³，東大工⁴，東北大WPI-AIMR⁵)

[28a-A5-2] 第一原理電子状態計算による中性粒子ビーム生成メカニズムの解析VII (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○渡辺尚貴¹，大塚晋吾¹，岩崎拓也¹，小野耕平¹，入江康郎¹，植木真治²，額賀理³，杉山正和^2,4，久保田智広^2,5，寒川誠二^2,5 (みずほ情報総研¹，BEANSプロジェクト 3D BEANSセンター²，フジクラ³，東大⁴，東北大⁵)

[28a-A5-3] 中性粒子ビームエッチングモデルと加工形状解析(3) (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○大塚晋吾¹，渡辺尚貴¹，岩崎拓也¹，小野耕平¹，入江康郎¹，望月俊輔²，三輪和弘³，杉山正和^3,4，久保田智弘^3,5，寒川誠二^3,5 (みずほ情報総研㈱¹，数理システム²，BEANSプロジェクト 3D BEANSセンター³，東大⁴，東北大⁵)

[28a-A5-4] 中性粒子ビームエッチングの加工形状シミュレーション(4) (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○望月俊輔¹，渡辺尚貴²，大塚晋吾²，岩崎拓也²，小野耕平²，入江康郎²，三輪和弘³，久保田智弘^3,4，杉山正和^3,5，寒川誠二^3,4 (数理システム¹，みずほ情報総研²，BEANSプロジェクト³，東北大⁴，東大⁵)

[28a-A5-5] マイクロ波水素プラズマによるSi高速エッチングにおけるSi基板－電極間の原子状水素密度の分布 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○山田高寛^1,2，山田浩輔¹，大参宏昌^1,2，垣内弘章^1,2，安武潔^1,2 (阪大¹，JST CREST²)

[28a-A5-6] ▲In situ Surface analysis of GaAs irradiated by Cl plasma beams (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○朴鐘胤¹，竹内拓也¹，石川健治¹，節原裕一²，竹田圭吾¹，近藤博基¹，関根誠¹，堀勝¹ (名大院工¹，阪大工²)

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