一般セッション(口頭講演)

[27a-B9-1~12] 9.4 熱電変換

2013年3月27日(水) 09:00 〜 12:15 B9 (K2号館 4F-1407)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[27a-B9-1] A-siteを置換したSr₃Fe₂O₇の熱電特性 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○掛本博文，石川政彦，矢崎穣，入江寛 (山梨大クリーンエネルギー研究センター)

[27a-B9-2] スピンゼーベック効果を用いたフレキシブルな熱電変換フィルム (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○桐原明宏¹，石田真彦¹，染谷浩子¹，近藤幸一²，山本直治²，内田健一^3,4，齊藤英治^3,5,6,7，河本滋¹，村上朝夫¹ (ＮＥＣ¹，ＮＥＣトーキン²，東北大金研³，ＪＳＴさきがけ⁴，ＪＳＴ－ＣＲＥＳＴ⁵，東北大ＷＰＩ－ＡＩＭＲ⁶，原研⁷)

[27a-B9-3] SrTiO3の熱電特性と新たな熱電材料の設計 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○白井光雲 (阪大産研)

[27a-B9-4] 酸化タングステンの酸素欠損に伴う熱伝導率の変化 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○弓削勇輔¹，原田俊太²，田川美穂³，宇治原徹⁴ (名大院工¹，名大院工²，名大院工³，名大院工⁴)

[27a-B9-5] Ba₈Al₁₆Si₃₀系クラスレート焼結体の熱的安定性 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○阿武宏明^1,2，白瀧律子^1,2 (山口東理大工¹，ＪＳＴ　ＣＲＥＳＴ²)

[27a-B9-6] p型Ba₈Au_xSi_46-xクラスレートの合成および熱電性能評価 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○宗藤伸治，最所誠，長友雄也，岡拓也，長田稔子，三浦秀士，古君修 (九大工)

[27a-B9-6.1] 休憩(15分)

[27a-B9-7] 熱電クラスレートBa₈M₁₆Ge₃₀ (M = Al, Ga, In)のキャリア移動度 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○岸本堅剛¹，小柳剛¹，赤井光冶² (山口大院理工¹，山口大メディア²)

[27a-B9-8] Al-Mn-Si系環境調和型熱電材料の創成 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○竹内恒博^1,2,3，山本晃生³ (名大エコトピア¹，JSTさきがけ²，名大工³)

[27a-B9-9] (A,Mg)₂Si;A=Sr,Ba型Zintl相の単結晶構造解析 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○梶谷剛¹，林慶¹，湯蓋邦夫²，上野亨¹，窪内将隆^M1，宮崎譲¹ (東北大院工¹，東北大金研²)

[27a-B9-10] 熱電性A-Mg-Si (A=Ca, Sr, Ba) 系の不純物相 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○梶谷剛，林慶，上野亨，窪内将隆，宮﨑譲 (東北大院工)

[27a-B9-11] △アルミノボライドの緻密化と添加効果 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○丸山恵史^1,2，宮﨑讓²，林慶²，梶谷剛²，森孝雄¹ (物材機構¹，東北大院工²)

[27a-B9-12] SiAu薄膜の熱電特性に及ぼす熱処理温度依存性 (12:00 PM ～ 12:15 AM)

^○渡邊伸，岡本庸一，宮﨑尚，守本純 (防衛大機能材料)

一般セッション(口頭講演)

[27p-B9-1~17] 9.4 熱電変換

2013年3月27日(水) 13:15 〜 18:00 B9 (K2号館 4F-1407)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[27p-B9-0] 昼食(60分)

[27p-B9-1] 熱起電力出力因子に対するポテンシャル障壁高さのゆらぎの影響 (1:15 PM ～ 1:30 PM)

^○梶川靖友 (島根大総合理工)

[27p-B9-2] Bi_0.5Sb_1.5Te₃/Ni熱発電チューブを用いた新規熱発電熱交換器の検討 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○高橋宏平，菅野勉，酒井章裕，玉置洋正，草田英夫，山田由佳 (パナソニック先端技研)

[27p-B9-3] Bi_0.5Sb_1.5Te₃/Ni傾斜積層体からなる熱発電チューブにおける積層の薄層化による発電特性の向上 (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○玉置洋正，菅野勉，酒井章裕，高橋宏平，草田英夫，山田由佳 (パナソニック先端技研)

[27p-B9-4] ▲Oxide Thermoelectric Power Generator Operated at 800 K in Air (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○謝育秦，岡崎竜二，寺崎一郎 (名古屋大)

[27p-B9-5] KFMによるSOI層のゼーベック係数測定 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

三輪一聡¹，鈴木悠平¹，サレファイズ^1,2，^○池田浩也¹ (静大電研¹，学振特別研究員DC²)

[27p-B9-6] 熱電物性の熱履歴について (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○岩崎秀夫 (北陸先端大)

[27p-B9-6.1] 休憩(15分)

[27p-B9-7] 石英テンプレート中のBiナノワイヤー熱伝導率測定法の開発 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○長谷川靖洋¹，常見文昭¹，村田正行¹，齋藤佑介¹，代田雄人¹，小峰啓史²，Dames Chris³ (埼玉大¹，茨城大²，カリフォルニア大バークレー校³)

[27p-B9-8] 3ω法を用いたBi-Te系熱電厚膜の熱伝導率測定 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○（M2）西野俊佑，末國晃一郎，小矢野幹夫，大平圭介 (北陸先端大)

[27p-B9-9] △Ba₈Al_xSi_46-xクラスレートのGa添加による熱電特性に及ぼす影響 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○鬼塚裕介，長友雄也，最所誠，岡拓也，古君修，宗藤伸治 (九大工)

[27p-B9-10] 遷移元素をドープしたCuOの微細構造の変化と熱電特性 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○煙山武廣¹，長南安紀²，小宮山崇夫³，山口博之⁴，青山隆⁵，杉山重彰⁶ (秋田県大システム科学¹，秋田県大システム科学²，秋田県大システム科学³，秋田県大システム科学⁴，秋田県大システム科学⁵，秋田産業技術センター⁶)

[27p-B9-11] △鉱物テトラヘドライトCu_12-xNi_xSb₄S₁₃の熱電・構造物性 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○末國晃一郎¹，鶴田光次郎¹，國井勝²，西当弘隆²，西堀英治³，真木祥千子³，太田道広²，山本淳²，小矢野幹夫¹ (北陸先端大¹，産総研²，理研³)

[27p-B9-11.1] 休憩(15分)

[27p-B9-12] △Si系熱電材料におけるエピタキシャルナノドット散乱体の形成とその熱伝導率評価 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○山阪司祐人¹，中村芳明^1,2，上田智広¹，竹内正太郎¹，酒井朗¹ (阪大院基礎工¹，さきがけ‐JST²)

[27p-B9-13] △Biナノワイヤー上へのホール測定用局所電極の作製と評価 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○（DC）村田正行^1,3，常見文昭¹，齋藤佑介¹，代田雄人¹，藤原啓資¹，長谷川靖洋¹，小峰啓史² (埼玉大¹，茨城大²，日本学術振興会特別研究員³)

[27p-B9-14] フレキシブル基板上PEDOT-PSS膜の熱電特性および熱的安定性 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○外園昌弘¹，阿武宏明^1,2，戸嶋直樹^1,2 (山口東理大工¹，山口東理大工・先進研²)

[27p-B9-15] 導電性ポリマー/CNTコンポジットの熱電変換特性 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○西尾亮，林直之，高橋依里，丸山陽一，青合利明 (富士フイルム)

[27p-B9-16] 外部電圧によるキャリア注入とSOIのゼーベック係数 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○（D）サレファイズ^1,2，鈴木悠平¹，三輪一聡¹，池田浩也¹ (静大電研¹，学振特別研究員DC²)

[27p-B9-17] フォノニックナノ構造を用いた熱伝導制御の検討 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○野村政宏^1,2 (東大生研¹，東大ナノ量子機構²)

一般セッション(ポスター講演)

[29a-PB4-1~9] 9.4 熱電変換

2013年3月29日(金) 09:30 〜 11:30 PB4 (第二体育館)

ポスター掲示時間9:30〜11:30(PB会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[29a-PB4-1] 塑性成型法によって作製したカルシウム・コバルト酸化物熱電材料の表面形態と熱電特性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（B）奥山剛史¹，水野達貴¹，小川清²，田橋正浩¹，高橋誠¹，後藤英雄¹ (中部大¹，オザワ科学²)

[29a-PB4-2] △La-Nb共添加SrTiO₃セラミックスにおける熱電特性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○寺西貴志，石川裕介，林秀考，岸本昭 (岡山大)

[29a-PB4-3] 新規なB-S化合物の合成と熱電的性質 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○森孝雄^1,2,3，オクサナソロフブ¹，道上勇一¹，松下能孝¹ (物材機構¹，広大²，筑波大³)

[29a-PB4-4] クラスレート半導体Ba-Ga-Snの電子構造に対するGe置換効果の計算 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○赤井光治¹，岸本堅剛²，河野欣^2,3，小柳剛²，山本節夫² (山口大メディア¹，山口大院理工²，デンソー³)

[29a-PB4-5] p型Bi-Te系薄膜の電析および熱電変換素子の作製 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○宇田和布¹，関佑太¹，齋藤美紀子²，園部義明³，謝育秦⁴，高橋英史⁴，寺崎一郎⁴，本間敬之^1,2 (早大先進理工¹，早大ナノテク研²，サムスン横浜研³，名大理⁴)

[29a-PB4-6] VLS法を用いたBi₂Te₃ナノワイヤの作製及びと電気抵抗測定 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（D）Hosung Kim，赤堀誠志，山田省二，岩﨑秀夫 (北陸先端大)

[29a-PB4-7] RFスパッタにより形成したMg₂Si薄膜の熱電特性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（M1）林佳範¹，森田幸弘^1,2，西谷幹彦^1,2，倉敷哲生¹ (阪大¹，パナソニック²)

[29a-PB4-8] 熱磁気特性を利用したマイクロ熱電発電 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○酒寄圭佑，小野崇人，川合祐輔 (東北大工)

[29a-PB4-9] カレンダ処理を用いたフレキシブル熱電変換素子の作製 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○荒木圭一，樋口章二 (KRI)

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