[29p-PB1-1~20] 13.3 絶縁膜技術

[29p-PB1-7] SiおよびGe上high-k作成におけるSiN界面層導入の検討 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○立川晋平，中谷友哉，岩崎好孝，上野智雄 (農工大工)

キーワード：半導体