一般セッション(ポスター講演)

[17a-PB4-1~21] 16.3 シリコン系太陽電池

2014年9月17日(水) 09:30 〜 11:30 PB4 (第2体育館)

ポスター掲示時間9:30～11:30(PB4会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

[17a-PB4-1] 顕微メスバウア分光観察に向けたPL・EBSDマッピングによる多結晶シリコン結晶粒と鉄不純物分布評価

^○伊野裕司¹，田中清高¹，花田剛²，原田芳仁³，小粥啓子³，森口幸一³，吉田豊¹ (静岡理工科大¹，Bruker AXS²，アプコ³)

09:30 〜 11:30

▲ [17a-PB4-2] Grain Boundary Electrical Activity and Growth in Multicrystalline Silicon

^〇（D）Ronit Roneel Prakash^1,2，Yoshiji Miyamura¹，Jun Chen¹，Karolin Jiptner¹，Hirofumi Harada¹，Takashi Sekiguchi^1,2 (NIMS¹，Tsukuba Univ.²)

09:30 〜 11:30

[17a-PB4-3] 化学的転写法で作製した極低反射Si基板の光閉じ込め

^○野中啓章^1,2，入鹿大地^1,2，今村健太郎^1,2，小林光^1,2 (阪大¹，CREST-JST²)

09:30 〜 11:30

[17a-PB4-4] SiN_x/Si構造の電気特性におけるファイヤースルー処理の影響

^○榎本裕也¹，高柳暢¹，吉田晴彦^1,3，新船幸二^1,3，小椋厚志^2,3，佐藤真一^1,3 (兵庫県立大¹，明治大²，JST-CREST³)

09:30 〜 11:30

△ [17a-PB4-5] シリコン窒化膜製膜時に導入される結晶欠陥と表面形状の関係

^○立花福久，高井大輔，大下祥雄 (豊田工大)

09:30 〜 11:30

[17a-PB4-6] エネルギー障壁を制御したショットキー型Si太陽電池の発電特性

^○伊藤勇磨¹，角嶋邦之¹，筒井一生¹，若林整¹，片岡好則¹，西山彰¹，杉井信之¹，名取研二²，岩井洋² (東工大総理工¹，東工大フロンティア研²)

09:30 〜 11:30

[17a-PB4-7] Ion Beam Assist法を用いたa-Si:H膜への過剰水素添加に関する研究

^○美山和樹¹，深純平¹，松川誠也¹，久保田弘¹，吉岡昌雄²，大津宗一郎² (熊大院自¹，熊大工²)

09:30 〜 11:30

[17a-PB4-8] スパッタエピタキシー法を用いたSiC膜の形成と太陽電池への応用

^○渡辺崚介，塚本貴広，須田良幸 (東京農工大院工)

09:30 〜 11:30

[17a-PB4-9] 太陽電池用a-Si:H膜の高速成膜と高品質アニール効果の研究

^○岡田祐希，栗林志頭眞，牟田浩司，西田哲 (岐阜大院工)

09:30 〜 11:30

[17a-PB4-10] 非平衡プラズマジェットCVDを用いた微結晶シリコン膜(μc-Si)の高速成膜

^○千藤彰大，西田哲，牟田浩司，栗林志頭眞 (岐阜大院工)

09:30 〜 11:30

[17a-PB4-11] 太陽電池のテクスチャ構造の形状による電流漏れの変化の評価

^○兼松雅斗，西田哲，牟田浩司，栗林志頭眞 (岐阜大院工)

09:30 〜 11:30

[17a-PB4-12] 選択的Si酸化を用いたc-Si/a-Siヘテロ接合界面における漏れ電流抑制技術の開発

^○三和寛之，西田哲，牟田浩司，野々村修一，栗林志頭眞 (岐阜大院工)

09:30 〜 11:30

[17a-PB4-13] 導電性AFMによるヘテロ接合部のリーク電流測定時の雰囲気温度および圧力による影響

^○武藤芳樹，西田哲，吉田憲充，栗林志頭眞，野々村修一 (岐大院工)

09:30 〜 11:30

[17a-PB4-14] 微粒子光散乱層を用いた薄膜Si太陽電池における光閉じ込め

^○鈴木一鋭¹，三浦修平¹，野田真一¹，井上将成²，村上功一²，野々村修一^1,2 (岐大院工¹，岐大工²)

09:30 〜 11:30

[17a-PB4-15] ClF3プラズマレスドライエッチングを用いた多結晶Si太陽電池のテクスチャ処理の最適化

安倍友佳，市川由美子，^○渡邊良祐，齋藤洋司 (成蹊大院理工)

09:30 〜 11:30

[17a-PB4-16] テクスチャ化Si基板上へのスピンコーティング法における反射防止膜の形成と光学的特性

山田拓也，江口陽平，中井康人，^○渡邊良祐，齋藤洋司 (成蹊大院理工)

09:30 〜 11:30

[17a-PB4-17] スピンコート法で作製したアルミナ薄膜の表面パッシベーション効果Ⅱ

川島瑞穂，^○渡邊良祐，齋藤洋司 (成蹊大院理工)

09:30 〜 11:30

[17a-PB4-18] 液体原料SiO₂によるSi表面パッシベーションの安定性評価

^○萩原千拡，永吉浩 (東京高専)

09:30 〜 11:30

▲ [17a-PB4-19] PEDOT:PSS/poly-Si heterojunction solar cells

^○（D）劉奇明，大木達也，石川良，上野啓司，白井肇 (埼玉大理工研)

09:30 〜 11:30

[17a-PB4-20] 光照射を含んだ太陽電池モジュールの複合加速試験

^○Thi Hong Trang Ngo¹，辺田祐志¹，土井卓也²，増田淳² (太陽光発電技術研究組合¹，産総研²)

09:30 〜 11:30

[17a-PB4-21] フォトンフォトキャリア直交型高効率太陽電池のための導波路の検討

^○谷口朝哉^1,2，河西剛²，近藤憲治^1,2，石橋晃^1,2 (北大院理¹，電子研²)

一般セッション(口頭講演)

[18a-A25-1~13] 16.3 シリコン系太陽電池

2014年9月18日(木) 09:00 〜 12:30 A25 (E318)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[18a-A25-1] 多結晶シリコンナノワイヤの水素化処理およびキャリアライフタイム評価

^○山崎竜也¹，加藤慎也²，宮島晋介¹，小長井誠^1,2 (東工大院理工¹，科学技術振興機構²)

09:15 〜 09:30

[18a-A25-2] 太陽電池用Siナノウォールの形成技術

^○市川幸美¹，冨澤浩¹，加藤慎也¹，小長井誠^1,2 (科学技術振興機構¹，東工大院理工²)

09:30 〜 09:45

[18a-A25-3] Si/SiO₂超格子太陽電池におけるSi層膜厚の影響

^○山田繁¹，石川亮佑²，比嘉隆也³，小長井誠^1,3，宮島晋介³ (科学技術振興機構¹，新潟大工²，東工大院理工³)

09:45 〜 10:00

[18a-A25-4] ドーピングペーストをドープ源とするワイヤー構造結晶シリコン太陽電池の作製

^○白柳裕介¹，檜座秀一¹，屋敷保聡¹，袴田朋宏¹，小長井誠^1,2 (科学技術振興機構¹，東工大²)

10:00 〜 10:15

[18a-A25-5] 歪み補償系多重積層Ge/Si_1-xC_x自己形成量子ドットの構造評価

^○後藤和泰¹，大島隆治²，菅谷武芳²，坂田功²，松原浩司²，近藤道雄^1,2 (東工大総理¹，産総研²)

10:15 〜 10:30

[18a-A25-6] 紫外線照射がSiナノワイヤ太陽電池の発電特性に及ぼす影響

^○宮澤遼太¹，小路智也¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，大橋弘通¹，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

10:30 〜 10:45

△ [18a-A25-7] 凝集したシリコンナノワイヤの光学解析

^○加藤慎也¹，森田尊彦²，山崎竜也²，宮島晋介²，小長井誠^1,2 (科学技術振興機構¹，東工大院理工²)

休憩10:45～11:00 （10:45 〜 11:00）

11:00 〜 11:15

[18a-A25-8] 表面フォトニックナノ構造における光透過特性と光閉じ込め効果

^○太野垣健¹，岸本祐子¹，星裕介²，宇佐美徳隆² (京大化研¹，名大工²)

11:15 〜 11:30

[18a-A25-9] Si微粒子の塗布とレーザー焼結による太陽電池の試作

^○川上雄平^1,2，吉本昌広²，實野孝久³ (レーザー技術推進センター¹，京都工繊大²，阪大レーザー研³)

11:30 〜 11:45

[18a-A25-10] 硫黄を過飽和ドープしたＳｉ単結晶への熱アニーリングの効果

^○長尾克紀¹，斎藤正²，稲田貢²，丹野裕貴²，内藤宗幸¹，小林勇輝¹，青木珠緒¹，杉村陽¹，梅津郁朗¹ (甲南大理工¹，関西大システム理工²)

11:45 〜 12:00

[18a-A25-11] 硫黄を過飽和ドープしたSi単結晶の光吸収と電気伝導特性

^○中井達也，内藤宗幸，小林勇輝，長尾克紀，青木珠緒，杉村陽，梅津郁朗 (甲南大理工)

12:00 〜 12:15

△ [18a-A25-12] 霧化塗布法PEDOT:PSSのテクスチャーSi上へのミスト輸送,基板付着過程の診断 Ⅱ

^○大木達也¹，菅原広充¹，市川浩気¹，古佩儒²，藤山和彦³，花尻達郎⁴，石川良¹，上野啓司¹，孫建文²，白井肇¹ (埼玉大理工研¹，台湾交通大²，チャレンジ³，東洋大バイオナノエレクトロニクス研究センター⁴)

12:15 〜 12:30

▲ [18a-A25-13] Effects of surface modification on the photovoltaic performance of nanocrystalline silicon membrane cells

^〇（P）Romain Mentek¹，Bernard Gelloz²，Daihei Hippo¹，Nobuyoshi Koshida¹ (Tokyo Univ. of Agr. & Tech.¹，Nagoya Univ.²)

一般セッション(口頭講演)

[18p-A25-1~17] 16.3 シリコン系太陽電池

2014年9月18日(木) 13:45 〜 18:15 A25 (E318)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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昼食12:30～13:45 （12:30 〜 13:45）

13:45 〜 14:00

[18p-A25-1] 「応用物理学会論文奨励賞受賞記念講演」（15分）
Control of Grain Boundary Propagation in Mono-Like Si: Utilization of Functional Grain Boundaries

^○沓掛健太朗 (東北大，JST)

14:00 〜 14:15

[18p-A25-2] 炭素・水素を含むCZ-Si結晶中に形成されるUltrashallow Thermal Donorの形成メカニズム

^○原明人，淡野照義 (東北学院大)

14:15 〜 14:30

▲ [18p-A25-3] Potential and limitation of 3D Alexander-Haasen model in analyzing experimental dislocation-density distribution in single-crystal silicon

^○高冰¹，Karolin Jiptner²，中野智¹，原田博文²，宮村佳児²，関口隆史²，柿本浩一¹ (九大応力研¹，物材機構²)

14:30 〜 14:45

[18p-A25-4] 太陽電池用多結晶シリコン結晶育成方法と転位密度の関係

^○中野智，高冰，柿本浩一 (九大応力研)

14:45 〜 15:00

▲ [18p-A25-5] Effects of Argon Flow on Carbon Contamination during Melting Process of Czochralski Silicon Crystal Growth

^〇Xin Liu，Bing Gao，Satoshi Nakano，Koichi Kakimoto (RIAM, Kyushu Univ.)

15:00 〜 15:15

[18p-A25-6] mono Si 結晶表面の晶癖線

^○宮村佳児¹，原田博文¹，関口隆史¹，中野智²，柿本浩一² (物材機構¹，九大²)

15:15 〜 15:30

△ [18p-A25-7] 多結晶シリコン中の窒素酸素複合体の熱処理挙動

^○佐藤邦孝^1,2，小椋厚志¹，小野春彦^1,2 (明治大¹，神奈川県産技セ²)

15:30 〜 15:45

△ [18p-A25-8] キャスト成長多結晶シリコン中の酸素析出物分布と粒界との関係

^○（M1）宇野匠^1,2，佐藤邦孝^1,2，小椋厚志¹，小野春彦^1,2 (明治大¹，神奈川県産技セ²)

15:45 〜 16:00

[18p-A25-9] Siバルク多結晶の結晶組織制御に向けた炉内温度分布計算

^○（M1）平松巧也，高橋勲，松島悟，宇佐美徳隆 (名大工)

16:00 〜 16:15

[18p-A25-10] 実用サイズSiインゴットにおけるデンドライト成長を利用した多結晶組織制御

^○高橋勲，平松巧也，松島悟，宇佐美徳隆 (名大工)

休憩16:15～16:30 （16:15 〜 16:30）

16:30 〜 16:45

△ [18p-A25-11] 顕微PLイメージングによるSi結晶中粒界の電気的特性評価

^○二宮駿也¹，沓掛健太朗^1,2，出浦桃子¹，大野裕¹，宇佐美徳隆³，米永一郎¹ (東北大金研¹，JSTさきがけ²，名大院工³)

16:45 〜 17:00

[18p-A25-12] ⁵⁷Fe汚染シリコンのゲッタリング処理とメスバウア・スペクトル

^○田中清高¹，藤田裕也²，伊野裕司¹，吉田豊² (静理大総技研¹，静理大理工²)

17:00 〜 17:15

▲ [18p-A25-13] Additional Low Temperature Multiple Cycles of Annealing and Cooling after Phosphorus Diffusion to Improve Lifetime in Multicrystalline Silicon

^〇（PC）Supawan Joonwichien，Isao Takahashi，Satoru Matsushima，Noritaka Usami (Grad. of Engineering, Nagoya University)

17:15 〜 17:30

[18p-A25-14] ボロンSiペーストを用いたレーザードーピングと高効率太陽電池への応用

^○富澤由香¹，今村哲也¹，添田雅也^1,2，池田吉紀¹，城尚志^1,2 (帝人¹，NanoGram²)

17:30 〜 17:45

△ [18p-A25-15] CO₂レーザードーピングのレーザー周波数が結晶シリコン太陽電池に与える影響

^○本多竜規¹，石河泰明¹，池上浩²，渡邊陽介²，吉永征矢¹，姜雲健¹，浦岡行治¹ (奈良先端大¹，九州大²)

17:45 〜 18:00

[18p-A25-16] レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡による結晶Si 太陽電池の局所特性評価－シート抵抗値依存性－

^○中西英俊¹，伊藤明¹，高山和久²，川山巌²，村上博成²，斗内政吉² (大日本スクリーン製造¹，阪大レーザー研²)

18:00 〜 18:15

△ [18p-A25-17] シリコン太陽電池に利用するナノインプリントテクスチャ構造の最適化

^○吉永征矢，石河泰明，荒木慎司，本多竜規，姜雲建，堀田昌宏，浦岡行治 (奈良先端大)

一般セッション(口頭講演)

[19a-A25-1~13] 16.3 シリコン系太陽電池

2014年9月19日(金) 09:00 〜 12:30 A25 (E318)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[19a-A25-1] 低純度Si精製に向けたジボラン（B₂H₆）選択除去手法の開発とその特性評価

^○大参宏昌，垣内弘章，安武潔 (阪大院工)

09:15 〜 09:30

△ [19a-A25-2] Self-consistent-charge density-functional tight-binding法を用いたアモルファスSiCのCVD成長機構の検討

^○（D）桑原卓哉，伊藤寿，樋口祐次，尾澤伸樹，久保百司 (東北大院工)

09:30 〜 09:45

[19a-A25-3] 分光エリプソメトリーおよび赤外分光によるa-SiO:Hネットワーク構造の評価

^○佐藤正規，細井優，藤原裕之 (岐大工院)

09:45 〜 10:00

[19a-A25-4] 光熱輻射分光法によるシリコン系薄膜の欠陥密度評価(Ⅱ)

^○近藤宏紀¹，安井彬絋²，松田耀右³，石井克典⁴，高橋昌吾⁵，吉田憲充⁶，野々村修一⁷ (岐阜大工¹，岐阜大工²，岐阜大工³，岐阜大工⁴，岐阜大工⁵，岐阜大工⁶，岐阜大工⁷)

10:00 〜 10:15

△ [19a-A25-5] 走査型非線形誘電率顕微鏡によるアモルファスシリコン太陽電池のpin接合の可視化

^○廣瀬光太郎，茅根慎通，長康雄 (東北大通研)

10:15 〜 10:30

[19a-A25-6] a-SiO_x:H薄膜の欠陥評価

^○松井研人¹，伊藤貴司¹，片山竜一¹，山川幸輝¹，斉藤潤²，杉山秀一郎²，Porponth Sichanugrist³，野々村修一¹，小長井誠³ (岐阜大工¹，シャープ²，東工大院理工³)

10:30 〜 10:45

[19a-A25-7] 光起電力顕微鏡によるa-Si:H系薄膜太陽電池の局所的発電特性評価

^○（M2）川口巧，栗山寛，松井研人，松浦知樹，山本大貴，稲吉芳紀，伊藤貴司，野々村修一 (岐阜大)

休憩10:45～11:00 （10:45 〜 11:00）

11:00 〜 11:15

[19a-A25-8] ケルビンプローブ顕微鏡を用いたSiヘテロ接合(SHJ)太陽電池における表面構造界面の局所的仕事関数測定

^○（PC）山田郁彦，神岡武文，立花福久，中村京太郎，大下祥雄，神谷格 (豊田工大)

11:15 〜 11:30

△ [19a-A25-9] a-Si:H/c-Siヘテロ接合型太陽電池特性における2層構造ITO膜を用いたスパッタイオン衝撃の影響解明

^○玉腰正人，松木伸行 (岐阜大)

11:30 〜 11:45

[19a-A25-10] n/i型a-Si:H層がp/i層に部分的に重なった構造の裏面電極型ヘテロ接合Si太陽電池の特性シミュレーション

^○野毛宏¹，齊藤公彦¹，佐藤愛子¹，金子哲也²，近藤道雄^1,3 (福島大¹，東海大工²，産総研³)

11:45 〜 12:00

[19a-A25-11] Cat-CVDを用いて作製したa-Si/c-Siヘテロ接合太陽電池の極薄酸化膜形成による特性改善

^○及川貴史¹，大平圭介^1,2，松村英樹^1,2 (北陸先端大¹，JST CREST²)

12:00 〜 12:15

▲ [19a-A25-12] Optimum Design of Antireflection coating for Heterojunction Solar Cell with nc-3C-SiC:H Emitter

^○（D）Erick Ateto¹，Makoto Konagai¹，Shinsuke Miyajima^1,2 (Tokyo tech¹，Tokyo tech PVREC²)

12:15 〜 12:30

[19a-A25-13] セリウムをドープした酸化インジウム膜を備えるヘテロ接合太陽電池の優位性

^○小林英治，渡部嘉 (長州産業)

一般セッション(口頭講演)

[19p-A25-1~16] 16.3 シリコン系太陽電池

2014年9月19日(金) 13:45 〜 18:00 A25 (E318)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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昼食12:30～13:45 （12:30 〜 13:45）

13:45 〜 14:00

△ [19p-A25-1] 微結晶Si太陽電池におけるMgF₂裏面反射層の応用

^○阿部祐介¹，Porponth Sichanugrist¹，Christophe Wronski³，小長井誠^1,2 (東工大院理工¹，東工大PVREC²，The Pennsylvania State Univ.³)

14:00 〜 14:15

[19p-A25-2] MOCVD法による薄膜シリコン太陽電池用ZnO透明導電膜の開発

^○（PC）前島圭剛¹，鯉田崇²，齋均²，松井卓矢²，吉田功¹ (PVTEC¹，産総研²)

14:15 〜 14:30

△ [19p-A25-3] アモルファスSiにおけるプラズモンを利用した光吸収量増大効果

^○末永慧¹，石河泰明¹，大平圭介²，上沼睦典¹，浦岡行治¹ (奈良先端大¹，北陸先端大²)

14:30 〜 14:45

[19p-A25-4] Siテクスチャ基板を用いたGeドット成長とその太陽電池応用

^○星裕介¹，青沼理¹，太野垣健²，宇佐美徳隆¹ (名大院工¹，京大化研²)

14:45 〜 15:00

[19p-A25-5] 結晶成長温度の変化によるフォトニックナノ構造の形状制御と光学特性

^○（M1）青沼理¹，星裕介¹，太野垣健²，Alexey Novikov³，Dmitry Yurasov^3,4，宇佐美徳隆¹ (名大院工¹，京大化研²，ロシア科学アカデミー³，ニジェゴロド国立大⁴)

15:00 〜 15:15

[19p-A25-6] フォトニック結晶を導入したµc-Si太陽電池の評価

^○Menaka De Zoysa²，石崎賢司¹，梅田尚実¹，田中良典¹，藤田奨也¹，川本洋輔¹，野田進¹ (京大院工¹，京大白眉²)

15:15 〜 15:30

[19p-A25-7] フォトニック結晶を有するµc-Si太陽電池の変換効率向上の検討

^○石崎賢司¹，Menaka De Zoysa^1,2，梅田尚実¹，田中良典¹，川本洋輔¹，藤田奨也¹，野田進¹ (京大院工¹，京大白眉²)

15:30 〜 15:45

△ [19p-A25-8] 化学的転写法を用いた極低反射Si表面のパッシベーション

^○入鹿大地^1,2，今村健太郎^1,2，小林光^1,2 (阪大産研¹，CREST-JST²)

休憩15:45～16:00 （15:45 〜 16:00）

16:00 〜 16:15

[19p-A25-9] 硝酸酸化法によるSi表面の新規パッシベーション方法

^○中島寛記，入鹿大地，野中啓章，今村健太郎，松本健俊，小林光 (阪大産研)

16:15 〜 16:30

[19p-A25-10] 硝酸酸化膜を用いるアンモニアプラズマによる基板Siの直接窒化防止とシリコン太陽電池の効率向上

^○松本健俊，廣瀬諒，小林光 (阪大産研、CREST-JST)

16:30 〜 16:45

▼ [19p-A25-11] A Low Surface Recombination Velocity Realized on Textured c-Si by Cat-CVD SiN_x/P Cat-doped Layers

^〇（D）Cham Thi Trinh^1,2，Koyama Koichi^1,2，Ohdaira Keisuke^1,2，Matsumura Hideki^1,2 (JAIST¹，CREST²)

16:45 〜 17:00

[19p-A25-12] ミストCVD法により製膜したAlO_x膜のパッシベーション性能

^○井口功嗣^1,3，北野奨¹，三木祥平¹，小椋厚志^2,3，吉田晴彦^1,3，佐藤真一^1,3，新船幸二^1,3 (兵庫県立大¹，明治大²，JST-CREST³)

17:00 〜 17:15

[19p-A25-13] 熱アニールによるALD-AlOx膜のパッシベーション特性変化

^○今枝博紀^1,3，三木祥平¹，小椋厚志^2,3，吉田晴彦^1,3，佐藤真一^1,3，新船幸二^1,3 (兵庫県立大¹，明治大²，JST-CREST³)

17:15 〜 17:30

△ [19p-A25-14] ALD法で成膜したAlO_xパッシベーションのバンド構造評価

^○池野成裕^1,5，山下祥弘¹，陰地宏²，三木祥平³，新船幸二^3,6，吉田晴彦^3,6，佐藤真一^3,6，廣沢一郎²，知京豊裕⁴，小椋厚志^1,6 (明治大¹，高輝度光科学研究センター²，兵県大³，物材機構⁴，学振特別研究員⁵，JST-CREST⁶)

17:30 〜 17:45

△ [19p-A25-15] 結晶Si太陽電池におけるSiNパッシベーション膜および界面のX線による評価

^○山下祥弘¹，池野成裕^1,3，立花福久²，大下祥雄²，小椋厚志¹ (明治大¹，豊田工業大²，学振特別研究員DC³)

17:45 〜 18:00

[19p-A25-16] SrO終端のSi(100)2×1再構成基板上に成長したSr_xSiO_x+2薄膜の電気特性

^○（M2）谷脇将太¹，今西啓司¹，堀田育志^1,3，吉田晴彦^1,3，新船幸二^1,3，小椋厚志^2,3，佐藤真一^1,3 (兵庫県立大¹，明治大²，JST-CREST³)

一般セッション(口頭講演)

[20a-A25-1~5] 16.3 シリコン系太陽電池

2014年9月20日(土) 09:00 〜 10:15 A25 (E318)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[20a-A25-1] SOI太陽電池のポストアニール温度と発電特性との関係

^○堀隼人¹，小路智也¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，大橋弘通¹，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

09:15 〜 09:30

[20a-A25-2] 結晶Si 太陽電池モジュールにおける機械式荷重試験の劣化メカニズムの検討

^○鈴木聡^1,2，棚橋紀悟²，土井卓也³，増田淳³ (PVTEC¹，エスペック²，産総研³)

09:30 〜 09:45

[20a-A25-3] ELとPLを用いた太陽電池モジュールの信頼性評価

^○大谷洋一¹，堤利幸¹，高野和美²，杉原薫²，浅尾秀一³，白澤勝彦³，高遠秀尚³ (明治大¹，アイテス²，産総研³)

09:45 〜 10:00

[20a-A25-4] 太陽電池モジュール内の酸性微量水分検出用ナノ構造pHセンサーの開発

^○浅香孝¹，板山知広¹，長崎秀昭¹，岩見健太郎¹，山本千津子²，原由希子²，増田淳²，梅田倫弘¹ (農工大院工¹，産総研²)

10:00 〜 10:15

[20a-A25-5] シリコン系太陽光システムの劣化調査

^○重松利信¹，川崎仁晴¹，嶋田英樹¹，城野祐生¹，小野文慈² (佐世保高専¹，佐大文教²)

セッション一覧

16．非晶質・微結晶 » 16.3 シリコン系太陽電池

[17a-PB4-1~21] 16.3 シリコン系太陽電池

▲ [17a-PB4-2] Grain Boundary Electrical Activity and Growth in Multicrystalline Silicon

△ [17a-PB4-5] シリコン窒化膜製膜時に導入される結晶欠陥と表面形状の関係

▲ [17a-PB4-19] PEDOT:PSS/poly-Si heterojunction solar cells

[18a-A25-1~13] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [18a-A25-7] 凝集したシリコンナノワイヤの光学解析

△ [18a-A25-12] 霧化塗布法PEDOT:PSSのテクスチャーSi上へのミスト輸送,基板付着過程の診断 Ⅱ

▲ [18a-A25-13] Effects of surface modification on the photovoltaic performance of nanocrystalline silicon membrane cells

[18p-A25-1~17] 16.3 シリコン系太陽電池

▲ [18p-A25-3] Potential and limitation of 3D Alexander-Haasen model in analyzing experimental dislocation-density distribution in single-crystal silicon

▲ [18p-A25-5] Effects of Argon Flow on Carbon Contamination during Melting Process of Czochralski Silicon Crystal Growth

△ [18p-A25-7] 多結晶シリコン中の窒素酸素複合体の熱処理挙動

△ [18p-A25-8] キャスト成長多結晶シリコン中の酸素析出物分布と粒界との関係

△ [18p-A25-11] 顕微PLイメージングによるSi結晶中粒界の電気的特性評価

▲ [18p-A25-13] Additional Low Temperature Multiple Cycles of Annealing and Cooling after Phosphorus Diffusion to Improve Lifetime in Multicrystalline Silicon

△ [18p-A25-15] CO2レーザードーピングのレーザー周波数が結晶シリコン太陽電池に与える影響

△ [18p-A25-17] シリコン太陽電池に利用するナノインプリントテクスチャ構造の最適化

[19a-A25-1~13] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [19a-A25-2] Self-consistent-charge density-functional tight-binding法を用いたアモルファスSiCのCVD成長機構の検討

△ [19a-A25-5] 走査型非線形誘電率顕微鏡によるアモルファスシリコン太陽電池のpin接合の可視化

△ [19a-A25-9] a-Si:H/c-Siヘテロ接合型太陽電池特性における2層構造ITO膜を用いたスパッタイオン衝撃の影響解明

▲ [19a-A25-12] Optimum Design of Antireflection coating for Heterojunction Solar Cell with nc-3C-SiC:H Emitter

[19p-A25-1~16] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [19p-A25-1] 微結晶Si太陽電池におけるMgF2裏面反射層の応用

△ [19p-A25-3] アモルファスSiにおけるプラズモンを利用した光吸収量増大効果

△ [19p-A25-8] 化学的転写法を用いた極低反射Si表面のパッシベーション

▼ [19p-A25-11] A Low Surface Recombination Velocity Realized on Textured c-Si by Cat-CVD SiNx/P Cat-doped Layers

△ [19p-A25-14] ALD法で成膜したAlOxパッシベーションのバンド構造評価

△ [19p-A25-15] 結晶Si太陽電池におけるSiNパッシベーション膜および界面のX線による評価

[20a-A25-1~5] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [18p-A25-15] CO₂レーザードーピングのレーザー周波数が結晶シリコン太陽電池に与える影響

△ [19p-A25-1] 微結晶Si太陽電池におけるMgF₂裏面反射層の応用

▼ [19p-A25-11] A Low Surface Recombination Velocity Realized on Textured c-Si by Cat-CVD SiN_x/P Cat-doped Layers

△ [19p-A25-14] ALD法で成膜したAlO_xパッシベーションのバンド構造評価