[19p-A17-1~11] 13.2 絶縁膜技術

△ [19p-A17-7] プラズマ後窒化HfO₂/Al₂O₃/SiGe_0.32 MOS界面の電極依存性

^○（D）韓在勲^1,2，竹中充^1,2，高木信一^1,2 (東大院工¹，JST-CREST²)

キーワード：SiGe,プラズマ後窒化,ゲート電極