一般セッション(ポスター講演)

[17a-PA4-1~18] 16.3 シリコン系太陽電池

2014年3月17日(月) 09:30 〜 11:30 PA4 (アリーナ)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

▲ [17a-PA4-1] Grain Evolution in Multicrystalline Silicon Grown from Small Randomly Oriented Seeds

^○Ronit Prakash^1,2，宮村佳児¹，Jun Chen¹，Karolin Jiptner¹，李建永³，原田博文¹，関口隆史^1,2 (物材機構¹，筑波大²，明治大³)

09:30 〜 11:30

[17a-PA4-2] 多結晶シリコン結晶粒界における不純物分布と再結合活性に対する界面構造の影響

^○（D）小島拓人¹，立花福久¹，小島信晃¹，大下祥雄¹，新船幸二²，小椋厚志³，山口真史¹ (豊田工大¹，兵県大工²，明大³)

09:30 〜 11:30

[17a-PA4-3] CW光照射下におけるレーザーテラヘルツエミッション顕微鏡によるSi太陽電池局所特性評価 - CW光波長依存性 -

^○伊藤明¹，中西英俊¹，高山和久²，川山巌²，村上博成²，斗内政吉² (大日本スクリーン製造¹，阪大レーザー研²)

09:30 〜 11:30

[17a-PA4-4] スパッタ法を用いたSi太陽電池形成技術に関する研究

^○（M1）藤村宗平，塚本貴広，須田良幸 (東京農工大)

09:30 〜 11:30

[17a-PA4-5] a-Si/c-Siヘテロ接合ダイオードにおける少数キャリア寿命への低温ドーピングの影響

^○津崎省吾^1,2，小山晃一^1,2，大平圭介^1,2，松村英樹^1,2 (北陸先端大¹，JST CREST²)

09:30 〜 11:30

△ [17a-PA4-6] 霧化塗布PEDOT:PSSミスト輸送時の気相診断と塗布形態

^○菅原広充，宮内直人，石川良，上野啓司，白井肇 (埼玉大)

09:30 〜 11:30

△ [17a-PA4-7] 霧化塗布法による結晶Si/PEDOT:PSS接合太陽電池性能因子の面内分布評価

^○大木達也，宮内直人，菅原広充，石川良，上野啓司，白井肇 (埼玉大理工研)

09:30 〜 11:30

▲ [17a-PA4-8] 結晶Si/PEDOT:PSS系へテロ接合太陽電池性能因子の面内分布評価

^○劉奇明，大木達也，柿沼貴之，KhatriIshwor，石川良，上野啓司，白井肇 (埼玉大理工研)

09:30 〜 11:30

[17a-PA4-9] 液体原料 SiO₂を用いたシリコン表面パッシベーション処理の評価

^○萩原千拡，榊原裕章，永吉浩 (東京高専)

09:30 〜 11:30

[17a-PA4-10] スパッタ法により成膜したAlO_x膜のパッシベーション特性

^○上田圭吾¹，吉田晴彦^1,3，新船幸二^1,3，小椋厚志^2,3，佐藤真一^1,3 (兵庫県立大¹，明治大²，JST-CREST³)

09:30 〜 11:30

[17a-PA4-11] アルミナ薄膜を用いた背面パッシベーションシリコン太陽電池作製

^○（M1）野口卓馬，アブドゥラウズム，神田広之，伊藤省吾 (兵県大工)

09:30 〜 11:30

[17a-PA4-12] ポリビニルアルコールを用いたシリコン太陽電池用アルミニウムペーストの作製

^○足利泰紀¹，野口卓馬¹，松尾敏文²，アブドーラウズム¹，伊藤省吾¹，中西暢³ (兵県大工¹，日本酢ビ・ポバール²，信越化学工業³)

09:30 〜 11:30

[17a-PA4-13] 酸化物ナノコロイドによる結晶Si太陽電池用光反射防止膜の作製

^○栗山将¹，原野敬久¹，AbdullahUzum¹，木村裕²，谷本健二²，伊藤省吾¹ (兵県大工¹，日産化学工業²)

09:30 〜 11:30

[17a-PA4-14] 酸化物微粒子層を用いた透明酸化導電基板の光散乱性の向上

^○三浦修平，田代真樹，鈴木一鋭，野田真一，野々村修一 (岐大院工)

09:30 〜 11:30

[17a-PA4-15] Ion Beam Assist法を用いたa-Si:H膜への過剰水素添加に関する研究

^○美山和樹¹，ジャスティンンダギジマナ¹，松川誠也¹，久保田弘¹，吉岡昌雄²，横山聡² (熊大院自¹，熊大工²)

09:30 〜 11:30

[17a-PA4-16] アモルファスSi/SiO2薄膜の熱アニール効果

近藤稔，^○竹内登志男，河原塚篤，堀越佳治 (早大)

09:30 〜 11:30

[17a-PA4-17] 微細Si構造を利用した太陽電池に適した接合プロセスの提案

^○伊藤勇磨¹，堀隼人¹，筒井一生¹，角嶋邦之¹，若林整¹，片岡好則¹，西山彰¹，杉井信之¹，名取研二²，岩井洋² (東工大総理工¹，東工大フロンティア研²)

09:30 〜 11:30

[17a-PA4-18] Siナノワイヤー曲面における保護膜界面準位密度の研究

^○小路智也¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

一般セッション(口頭講演)

[18a-E12-1~10] 16.3 シリコン系太陽電池

2014年3月18日(火) 09:00 〜 11:45 E12 (E206)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[18a-E12-1] 結晶Si太陽電池用n型nc-3C-SiC:Hヘテロエミッタの高品質化

^○清水一希¹，EricAteto¹，宮島晋介¹，小長井誠^1,2 (東工大院理工¹，PVREC²)

09:15 〜 09:30

△ [18a-E12-2] a-Si:H/c-Siヘテロ接合型太陽電池の再結合抑制に向けた界面SiH₂量の低減

^○宇佐見晃平，藤原裕之 (岐阜大工)

09:30 〜 09:45

[18a-E12-3] Cat-CVDを用いて作製したa-Si/c-Siヘテロ接合界面の表面酸化による品質改善

^○及川貴史¹，大平圭介^1,2，松村英樹^1,2 (北陸先端大¹，JST CREST²)

09:45 〜 10:00

▼ [18a-E12-4] Drastic reduction in surface recombination velocity of Cat-CVD SiN_x/c-Si structures by phosphorus (P) Cat-doping

^○（D）Cham Thi Trinh^1,2，Koyama Koichi^1,2，Ohdaira Keisuke^1,2，Matsumura Hideki^1,2 (JAIST¹，JST CREST²)

10:00 〜 10:15

[18a-E12-5] オゾン支援を用いたミストCVD法による酸化アルミニウム(AlO_x)パッシベーション膜の特性

^○内田貴之¹，川原村敏幸²，柴山健次¹，藤田静雄¹，平松孝浩³，織田容征³ (京大院工¹，高知工大ナノ研²，東芝三菱電機産業システム³)

休憩 10:15〜10:30 （10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

△ [18a-E12-6] 結晶Si太陽電池表面パッシベーションにおける積層構造の検討

^○勝又隆晶^1,2,4，池野成裕¹，佐藤真一^3,4，吉田晴彦^3,4，新船幸二^3,4，知京豊裕^2,4，小椋厚志^1,4 (明治大¹，物材機構²，兵庫県立大³，JST-CREST⁴)

10:45 〜 11:00

[18a-E12-7] Si太陽電池用アルミナパッシベーション膜の電荷量と極性の決定因子

^○八木真人，荻田陽一郎 (神奈川工科大)

11:00 〜 11:15

[18a-E12-8] Sr_xSiO_x+2層の化学組成と膜中固定電荷の相関

^○（M1）谷脇将太¹，豊嶋祐樹¹，堀田育志^1,3，吉田晴彦^1,3，新船幸二^1,3，小椋厚志^2,3，佐藤真一^1,3 (兵庫県立大¹，明治大²，JST-CREST³)

11:15 〜 11:30

△ [18a-E12-9] 硝酸酸化法によるシリコン表面のパッシベーションと単結晶シリコン太陽電池の高効率化

^○廣瀬諒^1,2，松本健俊^1,2，小林光^1,2 (阪大産研¹，CREST-JST²)

11:30 〜 11:45

▲ [18a-E12-10] Oxygen Radical Treatment used for Fabricating Metal-Insulator-Semiconductor Solar Cells

^○（B）滋野聖，吉冨真也，蓮見真彦，鮫島俊之 (東京農工大)

一般セッション(口頭講演)

[18p-E12-1~21] 16.3 シリコン系太陽電池

2014年3月18日(火) 13:15 〜 19:00 E12 (E206)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食 11:45〜13:15 （11:45 〜 13:15）

13:15 〜 13:30

[18p-E12-1] フォトニック結晶構造を有する微結晶シリコン太陽電池の基礎検討

^○石崎賢司¹，MenakaDeZoysa¹，田中良典¹，梅田尚実¹，川本洋輔¹，藤田奨也¹，重田博昭^1,2，冨士田誠之^1,3，野田進¹ (京大院工¹，シャープ²，阪大院基礎工³)

13:30 〜 13:45

[18p-E12-2] 周期構造を有するガラス基板を用いたスーパーストレート型薄膜シリコン太陽電池の検討

^○齋均¹，前島圭剛²，松井卓矢¹，鯉田崇¹，吉田功²，近藤道雄¹ (産総研¹，PVTEC²)

13:45 〜 14:00

[18p-E12-3] モスアイフィルムによるサブストレート型薄膜シリコン太陽電池の光取り込みの改善

^○齋均¹，松井卓矢¹，鯉田崇¹，齊藤公彦³，吉田功²，近藤道雄¹ (産総研¹，ＰＶＴＥＣ²，福島大³)

14:00 〜 14:15

[18p-E12-4] 酸化物微粒子層を用いた高光散乱かつ平坦な透明導電基板の作製

^○鈴木一鋭，三浦修平，田代真樹，野田真一，野々村修一 (岐大院)

14:15 〜 14:30

[18p-E12-5] 機能分離型酸化亜鉛テクスチャ基板の開発

^○片山博貴，矢田茂郎，寺川朗 (パナソニック)

14:30 〜 14:45

[18p-E12-6] Ge量子ドット積層フォトニックナノ構造を用いた光キャリア生成増大

^○太野垣健¹，星裕介²，岸本裕子¹，宇佐美徳隆² (京大化研¹，名大工²)

14:45 〜 15:00

[18p-E12-7] タンデム太陽電池用Siナノウォールの形成技術

^○冨澤浩¹，左近司裕樹¹，市川幸美¹，小長井誠^1,2 (科学技術振興機構¹，東工大院理工²)

休憩 15:00〜15:15 （15:00 〜 15:15）

15:15 〜 15:30

[18p-E12-8] オゾン酸化によるシリコンナノワイヤの細線化

^○（B）石田瑛一¹，山田康晴²，加藤慎也⁵，黒川康良^2,4，山田明^2,3 (東工大工¹，東工大院理工²，東工大PVREC³，JST-さきがけ⁴，JST-FUTURE-PV⁵)

15:30 〜 15:45

△ [18p-E12-9] 多結晶シリコンナノワイヤのキャリアライフタイム評価

^○加藤慎也¹，山崎竜也²，宮島晋介²，小長井誠^1,2 (科学技術振興機構¹，東工大院理工²)

15:45 〜 16:00

▲ [18p-E12-10] A Simple Alternative of Barrier Layer Removal of Nanoporous Alumina Template on Silicon Substrate

^○（P）HoangNguyenVan^1,2，YusukeHoshi¹，NoritakaUsami^1,2 (Nagoya University¹，Japan Science and Technology Agency²)

16:00 〜 16:15

[18p-E12-11] ワイヤ状のPN接合を備えたシリコンナノワイヤ太陽電池の発電特性評価

^○兼松大二^1,2，矢田茂郎¹，寺川朗¹，田中誠¹，小長井誠² (パナソニック¹，東工大²)

16:15 〜 16:30

[18p-E12-12] シリコンナノ粒子の光起電力特性

^○（B）山野邊奎耶¹，鈴木涼子¹，佐藤慶介¹，深田直樹²，平栗健二¹ (東電大¹，物材研²)

16:30 〜 16:45

[18p-E12-13] 導波路結合フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池

^○石橋晃，河西剛，近藤憲治，海住英生，谷口朝哉 (北大電子研)

16:45 〜 17:00

▲ [18p-E12-14] 有機表面修飾したナノ結晶シリコン自立膜セルの光電特性

^○（PC）RomainMentek¹，BernardGelloz²，筆宝大平¹，越田信義¹ (農工大¹，名大²)

休憩 17:00〜17:15 （17:00 〜 17:15）

17:15 〜 17:30

[18p-E12-15] 結晶Si/PEDOT:PSS接合太陽電池へのa-Si:H層挿入効果

^○渡辺恭平，QimingLiu，IshworKhatri，石川良，上野啓司，白井肇 (埼玉大理工研)

17:30 〜 17:45

△ [18p-E12-16] Mgを導入した低SiH₂量アモルファスシリコン系半導体の作製

^○伊藤巧，藤関健正，藤原裕之 (岐阜大)

17:45 〜 18:00

▲ [18p-E12-17] シクロペンタシランを用いた並列蒸着法による常圧でのa-Si:H膜の作製

^○申仲栄^1,2，増田貴史^1,3，高岸秀行^1,2，大平圭介^1,2,3，下田達也^1,2,3 (北陸先端大¹，JST-ALCA²，北陸先端大GDRC³)

18:00 〜 18:15

[18p-E12-18] p型a-Si:H、a-SiO:H、a-SiC:Hの製膜温度特性の検討

^○傍島靖^1,2，木谷彬彦¹，田中貫¹，矢田貴大¹，佐田千年長^1,2，松田彰久^1,2，岡本博明^1,2 (阪大院基礎工¹，JST-CREST²)

18:15 〜 18:30

△ [18p-E12-19] 量子分子動力学法を用いたa-Si_1-xC_x:HのプラズマCVD成長機構に関する研究

^○（D）桑原卓哉，伊藤寿，樋口祐次，尾澤伸樹，久保百司 (東北大院工)

18:30 〜 18:45

▲ [18p-E12-20] Defect analysis of amorphous silicon solar cells by Fourier transform photocurrent spectroscopy

^○AdrienBidiville，TakuyaMatsui (AIST)

18:45 〜 19:00

△ [18p-E12-21] グラフェン透明電極を有する薄膜シリコン太陽電池

^○（PC）石川亮佑¹，宮島晋介²，小長井誠^1,2 (科学技術振興機構¹，東工大院理工²)

一般セッション(口頭講演)

[19a-E12-1~9] 16.3 シリコン系太陽電池

2014年3月19日(水) 09:15 〜 11:45 E12 (E206)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:15 〜 09:30

[19a-E12-1] レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡とEL/PL法による多結晶Si太陽電池局所特性の比較評価

^○中西英俊¹，伊藤明¹，高山和久²，川山巌²，村上博成²，斗内政吉² (大日本スクリーン製造¹，阪大レーザー研²)

09:30 〜 09:45

[19a-E12-2] 結晶Si太陽電池モジュールにおける温度サイクル試験の加速方法の検討

^○鈴木聡^1,2，棚橋紀悟²，土井卓也³，増田淳³ (PVTEC¹，エスペック²，産総研³)

09:45 〜 10:00

[19a-E12-3] 長期曝露太陽電池モジュールと高温高湿試験モジュールの劣化の関係

^○門脇将¹，計智郎²，清水成宜³，鈴木健太郎⁴，辺田祐志⁵，田中秀樹⁶，阪本貞夫⁷，土井卓也⁷，増田淳⁷ (大日本印刷¹，凸版印刷²，日立化成³，帝人デュポンフィルム⁴，デュポン⁵，東京エレクトロン⁶，産総研⁷)

10:00 〜 10:15

[19a-E12-4] 結晶シリコン太陽電池モジュールの信頼性と封止材EVAの架橋条件との関係

^○城内紗千子¹，原浩二郎¹，仲濱秀斉²，筒井悠司²，増田淳¹ (産総研¹，日清紡ホールディングス²)

休憩 10:15〜10:30 （10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

[19a-E12-5] 太陽電池モジュールの剥離劣化の検証

^○内山直美¹，増田淳¹，三橋和成²，堤田秋洋²，渡邊淳一²，白瀧絢子²，松田景子² (産総研¹，東レリサーチセンター²)

10:45 〜 11:00

[19a-E12-6] 結晶シリコン太陽電池モジュール：塩水噴霧によるPID加速

鈴木聡¹，西山直樹²，吉野征治³，宇城工²，渡部信³，土井卓也⁴，増田淳⁴，^○棚橋紀悟¹ (エスペック¹，JFEテクノリサーチ²，エヌ・ピー・シー³，産総研⁴)

11:00 〜 11:15

[19a-E12-7] 太陽電池モジュール出力低下へのPID試験時の印加電圧の影響

^○井上昌尚¹，原浩二郎¹，奥脇経三²，増田淳¹，奥川敦雄² (産総研¹，菊水電子²)

11:15 〜 11:30

[19a-E12-8] 結晶シリコン太陽電池における高いPID耐性を有する反射防止膜の検討

^○三科健¹，大岸厚文¹，池野成裕²，上野清志³，猿渡哲也¹，原浩二郎⁴，小椋厚志²，土井卓也⁴，山崎敏晴³，増田淳⁴ (島津製作所¹，明治大²，長州産業³，産総研⁴)

11:30 〜 11:45

[19a-E12-9] a-Si太陽電池モジュール内への水分浸入の影響と浸入経路、その効果的なバリア法

^○戸田道夫¹，井上昌尚²，山本千津子²，増田淳² (サエスゲッターズ¹，産総研²)

一般セッション(口頭講演)

[19p-E12-1~19] 16.3 シリコン系太陽電池

2014年3月19日(水) 13:15 〜 18:30 E12 (E206)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食 11:45〜13:15 （11:45 〜 13:15）

13:15 〜 13:30

[19p-E12-1] 炉内ガス雰囲気に依存した離型剤と溶融シリコンの界面特性

^○李建永¹，KarolinJiptner²，木村隆²，関口隆史²，原田博文²，宮村佳児²，柿本浩一³，小椋厚志¹ (明治大¹，物材機構²，九州大³)

13:30 〜 13:45

[19p-E12-2] 50cm角 mono cast Si 結晶成長（Ⅱ）

^○宮村佳児¹，原田博文¹，陳君¹，関口隆史¹，中野智²，柿本浩一² (物材機構¹，九大²)

13:45 〜 14:00

▲ [19p-E12-3] Thermal-stress induced dislocation distribution in seed-cast and CZ Si ingots

^○KarolinJiptner¹，BingGao²，宮村佳児¹，原田博文¹，柿本浩一²，関口隆史¹ (物材機構¹，九大²)

14:00 〜 14:15

△ [19p-E12-4] シリコン結晶におけるPL強度と転位密度の相関

^○二宮駿也¹，沓掛健太朗^1,2，大野裕¹，出浦桃子¹，宇佐美徳隆³，米永一郎¹ (東北大金研¹，JST さきがけ²，名大院工³)

14:15 〜 14:30

▲ [19p-E12-5] 多結晶シリコンにおける粒界性格と歪みの関係

^○陳君¹，福澤理行²，RonitPrakash^1,3，李建永^1,4，KarolinJiptner¹，宮村佳児¹，原田博文¹，関口隆史^1,3 (物材機構¹，京都工芸大²，筑波大³，明治大⁴)

休憩 14:30〜14:45 （14:30 〜 14:45）

14:45 〜 15:00

△ [19p-E12-6] 太陽電池用多結晶Si中における小角粒界の偏光PLイメージング解析

^○加藤言^1,2，田島道夫^1,2，豊田裕之²，小椋厚志¹ (明治大¹，JAXA 宇宙研²)

15:00 〜 15:15

[19p-E12-7] ⁵⁷Fe汚染シリコンの蒸着境界におけるFe不純物挙動

^○田中清高¹，伊野裕司¹，吉田豊² (静理大総技研¹，静理大理工²)

15:15 〜 15:30

△ [19p-E12-8] 高濃度・高補償比Si結晶で形成される不純物帯のPL解析

^○田中香次^1,2，田島道夫^1,2，豊田裕之²，小椋厚志¹ (明治大¹，JAXA宇宙研²)

15:30 〜 15:45

[19p-E12-9] テラヘルツ時間領域分光法による太陽電池Siウェーハーの電気特性評価

^○溝端一国雄¹，中西英俊¹，伊藤明¹，中嶋一雄²，森下浩平²，村井良多² (大日本スクリーン製造¹，京大エネルギー科学研究科²)

15:45 〜 16:00

[19p-E12-10] 新顕微メスバウア分光装置に搭載した新MCXレンズの集光特性

^○伊野裕司¹，副島啓義¹，早川一生¹，行平行平¹，原田芳仁²，酒井拓也³，鈴木章夫³，吉田豊¹ (静岡理工科大¹，アプコ²，浜松ホトニクス³)

16:00 〜 16:15

[19p-E12-11] ソーラーセル用mc-Si中の不純物準位の安定性に対する逆バイアス電圧の効果

^○矢吹雅一¹，都倉達郎²，山下善文²，西川亘²，林靖彦² (岡山大工¹，岡山大院自然²)

休憩 16:15〜16:30 （16:15 〜 16:30）

16:30 〜 16:45

△ [19p-E12-12] 熱拡散法によるn型シリコン太陽電池のエミッタ層設計

^○原田顕¹，中村京太郎¹，倉知郁夫²，吉岡献太郎³，池野成裕¹，小椋厚志¹ (明治大理工¹，D&S²，天谷製作所³)

16:45 〜 17:00

[19p-E12-13] シリコン太陽電池用リン不純物拡散剤の開発

^○（M2）深津健¹，AbdullahUzum¹，原田富太郎²，石河泰明³，浦岡行治³，伊藤省吾¹ (兵県大工¹，大和産業²，奈良先端大³)

17:00 〜 17:15

[19p-E12-14] 熱処理条件の違いによる多結晶Si中の欠陥と不純物への影響

^○高橋勲，ジュンウィチェンスパワン，松島悟，宇佐美徳隆 (名大工)

17:15 〜 17:30

[19p-E12-15] Siナノ粒子で作製した拡散層のラマン分光法による解析

^○百瀬美穂^1,2，古川行夫² (帝人¹，早大²)

17:30 〜 17:45

[19p-E12-16] 太陽電池裏面のレーザーポイントコンタクト部の特性解析

^○卜部駿介¹，宮島晋介¹，小長井誠^1,2 (東工大院理工¹，PVREC²)

17:45 〜 18:00

[19p-E12-17] 非真空プロセスによるSi太陽電池用の反射防止膜の作製

^○原野敬久¹，AbdullahUzum¹，石河泰明²，浦岡行治²，吉永征矢²，原田富太郎³，木村裕⁴，谷本健二⁴，伊藤省吾¹ (兵県大工¹，奈良先端大²，大和産業³，日産化学工業⁴)

18:00 〜 18:15

[19p-E12-18] インクジェット印刷によるパターニングプロセスを用いた裏面電極型ヘテロ接合Si太陽電池の開発

^○金子哲也¹，佐藤愛子¹，野毛宏¹，齊藤公彦¹，近藤道雄^1,2 (福島大共生理工¹，産総研再エネ²)

18:15 〜 18:30

[19p-E12-19] インピーダンス解析によるシリコン太陽電池のライフタイム測定

^○（M1）神田広之，アブドーラウズム，伊藤省吾 (兵県大工)

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[17a-PA4-1~18] 16.3 シリコン系太陽電池

▲ [17a-PA4-1] Grain Evolution in Multicrystalline Silicon Grown from Small Randomly Oriented Seeds

△ [17a-PA4-6] 霧化塗布PEDOT:PSSミスト輸送時の気相診断と塗布形態

△ [17a-PA4-7] 霧化塗布法による結晶Si/PEDOT:PSS接合太陽電池性能因子の面内分布評価

▲ [17a-PA4-8] 結晶Si/PEDOT:PSS系へテロ接合太陽電池性能因子の面内分布評価

[18a-E12-1~10] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [18a-E12-2] a-Si:H/c-Siヘテロ接合型太陽電池の再結合抑制に向けた界面SiH2量の低減

▼ [18a-E12-4] Drastic reduction in surface recombination velocity of Cat-CVD SiNx/c-Si structures by phosphorus (P) Cat-doping

△ [18a-E12-6] 結晶Si太陽電池表面パッシベーションにおける積層構造の検討

△ [18a-E12-9] 硝酸酸化法によるシリコン表面のパッシベーションと単結晶シリコン太陽電池の高効率化

▲ [18a-E12-10] Oxygen Radical Treatment used for Fabricating Metal-Insulator-Semiconductor Solar Cells

[18p-E12-1~21] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [18p-E12-9] 多結晶シリコンナノワイヤのキャリアライフタイム評価

▲ [18p-E12-10] A Simple Alternative of Barrier Layer Removal of Nanoporous Alumina Template on Silicon Substrate

▲ [18p-E12-14] 有機表面修飾したナノ結晶シリコン自立膜セルの光電特性

△ [18p-E12-16] Mgを導入した低SiH2量アモルファスシリコン系半導体の作製

▲ [18p-E12-17] シクロペンタシランを用いた並列蒸着法による常圧でのa-Si:H膜の作製

△ [18p-E12-19] 量子分子動力学法を用いたa-Si1-xCx:HのプラズマCVD成長機構に関する研究

▲ [18p-E12-20] Defect analysis of amorphous silicon solar cells by Fourier transform photocurrent spectroscopy

△ [18p-E12-21] グラフェン透明電極を有する薄膜シリコン太陽電池

[19a-E12-1~9] 16.3 シリコン系太陽電池

[19p-E12-1~19] 16.3 シリコン系太陽電池

▲ [19p-E12-3] Thermal-stress induced dislocation distribution in seed-cast and CZ Si ingots

△ [19p-E12-4] シリコン結晶におけるPL強度と転位密度の相関

▲ [19p-E12-5] 多結晶シリコンにおける粒界性格と歪みの関係

△ [19p-E12-6] 太陽電池用多結晶Si中における小角粒界の偏光PLイメージング解析

△ [19p-E12-8] 高濃度・高補償比Si結晶で形成される不純物帯のPL解析

△ [19p-E12-12] 熱拡散法によるn型シリコン太陽電池のエミッタ層設計

△ [18a-E12-2] a-Si:H/c-Siヘテロ接合型太陽電池の再結合抑制に向けた界面SiH₂量の低減

▼ [18a-E12-4] Drastic reduction in surface recombination velocity of Cat-CVD SiN_x/c-Si structures by phosphorus (P) Cat-doping

△ [18p-E12-16] Mgを導入した低SiH₂量アモルファスシリコン系半導体の作製

△ [18p-E12-19] 量子分子動力学法を用いたa-Si_1-xC_x:HのプラズマCVD成長機構に関する研究