一般セッション(口頭講演)

[18p-F2-1~13] 7.3 リソグラフィ

2014年3月18日(火) 14:00 〜 17:45 F2 (F204)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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14:00 〜 14:30

[18p-F2-1] 「ビーム応用分科内招待講演」（30分）EUV光利用によるEUVマスク検査技術

^○原田哲男^1,2，渡邊健夫^1,2，木下博雄^1,2 (兵庫県立大学¹，CREST/JST²)

14:30 〜 14:45

[18p-F2-2] 脱保護反応に起因した膜減り量評価による化学増幅系EUV用レジストの反応解析

^○（M1）江村和也¹，渡邉健夫¹，山口太都¹，谷野寛仁¹，福井翼¹，塩野大寿²，春山雄一¹，村松康司¹，大森克実²，佐藤和史²，原田哲男¹，木下博雄¹ (兵庫県立大¹，東京応化工業²)

14:45 〜 15:00

[18p-F2-3] 非科学増幅系EUVレジストの低温現像による解像性能向上

^○山口太都¹，江村和也¹，福井翼¹，谷野寛仁¹，原田哲男¹，渡邊健夫¹，木下博雄¹，星野亮一² (兵庫県立大¹，グルーオンラボ²)

15:00 〜 15:15

[18p-F2-4] 加熱触媒体により生成した原子状水素ラジカルによるイオン注入レジストの除去機構

若月隆一¹，能登雄介¹，^○西山聖¹，佐藤絵理子²，堀邊英夫² (金沢工大¹，阪市大院工²)

15:15 〜 15:30

[18p-F2-5] オゾンマイクロバブルによるレジスト除去

後藤洋介¹，北村瞳¹，^○西山聖¹，小池国彦²，堀邊英夫³ (金沢工大¹，岩谷産業²，大阪市大³)

15:30 〜 15:45

[18p-F2-6] 熱アニール法によるポリスチレンとポリジメチルシロキサンからなるブロック共重合体のランダム配向面内シリンダ構造の形成

^○山口徹，藤原聡 (NTT物性基礎研)

休憩 15:45〜16:00 （15:45 〜 16:00）

16:00 〜 16:15

△ [18p-F2-7] ビルトインレンズマスク・リソグラフィーⅠ-基本概念-

^○上田直樹，笹子勝，菊田久雄，川田博昭，平井義彦 (阪府大工)

16:15 〜 16:30

[18p-F2-8] ビルトインレンズマスク・リソグラフィーⅡ -基本機能の実験検証-

^○上田直樹，笹子勝，菊田久雄，川田博昭，平井義彦 (阪府大工)

16:30 〜 16:45

[18p-F2-9] 屈折率分布型レンズアレイを用いた投影露光リソグラフィの線幅均一性

^○堀内敏行¹，高田直貴²，小林宏史¹ (東京電機大工¹，東京電機大院工²)

16:45 〜 17:00

[18p-F2-10] 半導体露光用ArFエキシマレーザ用オンボード光品位計測装置

^○渡部義信，守屋正人，熊崎貴仁，對馬弘朗，黒須昭彦，太田毅，柿崎弘司，松永隆，溝口計 (ギガフォトン)

17:00 〜 17:15

[18p-F2-11] 半導体露光用ＡｒＦエキシマレーザチャンバ寿命伸長技術

^○諏訪輝，池田宏幸，勝海久和，浅山武志，對馬弘朗，熊崎貴仁，黒須照彦，太田毅，柿崎弘司，松永隆，溝口計 (ギガフォトン)

17:15 〜 17:30

[18p-F2-12] 超並列電子線描画装置用アクテイブマトリクスnc-Si面電子源の開発（Ⅳ）

^○池上尚克¹，小島明^1,3，吉田孝²，西野仁²，吉田慎哉²，宮口裕²，室山真徳²，大井英之³，越田信義¹，江刺正喜² (東京農工大¹，東北大²，クレステック³)

17:30 〜 17:45

[18p-F2-13] 3次元EBリソにおけるTurn-Around-Timeの短縮

^○山崎謙治，山口浩司 (NTT物性基礎研)

一般セッション(ポスター講演)

[18a-PA3-1~2] 7.3 リソグラフィ

2014年3月18日(火) 09:30 〜 11:30 PA3 (アリーナ)