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11．超伝導 » 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

一般セッション(口頭講演)

[18p-D4-1~13] 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

2014年3月18日(火) 14:00 〜 17:30 D4 (D115)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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14:00 〜 14:15

[18p-D4-1] 低温成膜法により製膜したIBAD-MgO上SmBa₂Cu₃O_y薄膜の超伝導特性

^○渡邊俊哉¹，吉田隆¹，一野祐亮¹，吉積正晃²，和泉輝郎² (名大工¹，ISTEC-SRL²)

14:15 〜 14:30

▲ [18p-D4-2] Nanostructure and Pinning Performance of YBa₂Cu₃O_x Thin Films Added With Artificial Pinning Centers of Different Dimensionality

^○パオロメレ¹，ShrikantSaini¹，AlokK.Jha²，堀出朋哉²，松本要²，淡路智³，吉田隆⁴，一瀬中⁵，喜多隆介⁶，JaumeGazquez⁷，GuzmanRoger⁷，PuigTeresa⁷，ObradorsXavier⁷ (広大¹，九工大²，東北大³，名大⁴，電中研⁵，静岡大⁶，ICMAB バルセロナ⁷)

14:30 〜 14:45

[18p-D4-3] ナノロッドを有するYBa2Cu3O7薄膜における弾性ひずみ機構

^○堀出朋哉¹，北村貴典¹，一瀬中²，松本要¹ (九工大¹，電中研²)

14:45 〜 15:00

△ [18p-D4-4] 成膜基板温度及び添加量を変化させたBaHfO₃添加LTG-SmBa₂Cu₃O_y薄膜の微細構造観察

^○三浦峻¹，吉田隆¹，一野祐亮¹，松本要²，一瀬中³，淡路智⁴ (名大工¹，九工大²，電中研³，東北大金研⁴)

15:00 〜 15:15

[18p-D4-5] BaMO₃(M=Zr, Hf)のM元素の違いによるナノロッド及びSmBa₂Cu₃O_y薄膜の臨界温度と格子定数への影響

^○曽田昇吾，鶴田彰宏，一野祐亮，吉田隆 (名大工)

15:15 〜 15:30

[18p-D4-6] YBCO薄膜中ナノロッド周辺の結晶欠陥および歪みの可視化

山本浩貴，堀出朋哉，山根正博，^○松本要 (九工大工)

15:30 〜 15:45

[18p-D4-7] Cuサイトへの3d金属置換に対するYBa₂Cu₃O_y薄膜の結晶構造および超伝導特性

^○一野祐亮¹，小島翔²，吉田隆² (名大エコ研¹，名大院工²)

15:45 〜 16:00

△ [18p-D4-8] TFA-MOD法を用いた一回塗り厚膜仮焼膜の内部構造

^○林真理子，荒木猛司，小林奈央，福家浩之 (東芝研究開発センター)

休憩 16:00〜16:15 （16:00 〜 16:15）

16:15 〜 16:30

[18p-D4-9] {110}<001>集合組織鉄テープ上への2軸配向CSZ中間層の作製

^○中順平¹，渡邊健¹，内間貴之¹，堀井滋^1,2，土井俊哉^1,2，一瀬中³ (京大院エネ科¹，ＪＳＴーＡＬＣＡ²，電中研³)

16:30 〜 16:45

[18p-D4-10] 配向鉄テープ上へのCaO安定化ZrO₂，CeO₂を中間層としたYBa₂Cu₃O_y薄膜の作製

^○内間貴之¹，渡邊健¹，中順平¹，堀井滋^1,2，土井俊哉^1,2，一瀬中³ (京大¹，ＪＳＴ－ＡＬＣＡ²，電中研³)

16:45 〜 17:00

[18p-D4-11] 圧延と熱処理によるYBCOテープ用金属基板の作製(2)

^○岡井大祐^1,3，池邊和也¹，土井俊哉^2,3，堀井滋^2,3，山本厚之¹ (兵庫県立大工¹，京大エネ科²，科学技術振興機構 ALCA³)

17:00 〜 17:15

[18p-D4-12] Cu被覆されたY系線材のレーザスクライビング

^○町敬人，吉積正晃，和泉輝郎，田辺圭一 (超電導工研)

17:15 〜 17:30

[18p-D4-13] 溶融KOHからのY123-Y124相の生成相関係

^○山田容士，舩木修平，中山文也 (島大総理工)

一般セッション(口頭講演)

[19p-D4-1~13] 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

2014年3月19日(水) 14:00 〜 17:30 D4 (D115)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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14:00 〜 14:15

[19p-D4-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）高J_c BaFe₂(As,P)₂薄膜のヘテロエピタキシャル成長と等方的な磁束ピニング特性

^○佐藤光，平松秀典，神谷利夫，細野秀雄 (東京工業大学)

14:15 〜 14:30

[19p-D4-2] Reel-to-Reel法を用いたIBAD基板上PドープBaFe₂As₂薄膜線材の作製II

^○宮田成紀，石丸喜康，安達成司，下出貴史，村井佑多，中尾公一，田辺圭一 (ＩＳＴＥＣ)

14:30 〜 14:45

[19p-D4-3] PLD法によるCo添加BaFe₂As₂エピタキシャル成長の励起波長依存性と膜質の決定要因

^○平松秀典^1,2，佐藤光¹，片瀬貴義³，神谷利夫^1,2，細野秀雄^1,2,3 (東工大応セラ研¹，東工大元素戦略研²，東工大フロンティア研³)

14:45 〜 15:00

[19p-D4-4] 分子線エピタキシー法 (MBE) を用いた鉄系超伝導体 SmFeAs(O,F) 薄膜の1-Step成長

^○菅原弘晃，常木孝信，渡辺大樹，内藤方夫 (農工大)

15:00 〜 15:15

[19p-D4-5] CaF₂基板上に成膜した三種類の鉄系超電導薄膜のエピタキシャル歪み

^○一瀬中¹，塚田一郎¹，鍋島冬樹²，今井義宗²，前田京剛²，FritzKurth³，BernhardHolzapfel³，飯田和昌³，上田真也⁴，内藤方夫⁴ (電中研¹，東大²，IFW-Dresden³，東京農工大⁴)

15:15 〜 15:30

[19p-D4-6] FeSe_1-xTe_x薄膜の置換量、格子とTcの関係

^○塚田一郎¹，鍋島冬樹²，一瀬中¹，小宮世紀¹，花輪雅史¹，今井良宗²，前田京剛² (電中研¹，東大院総合文化²)

15:30 〜 15:45

[19p-D4-7] 鉄系超伝導体SrFeAsF薄膜の分子線エピタキシー成長

^○常木孝信，渡辺大樹，菅原弘晃，内藤方夫 (農工大)

15:45 〜 16:00

[19p-D4-8] CaFe₂(As,P)₂ 超伝導薄膜の分子線エピタキシー成長

^○（B）藤本亮祐，森康博，生田博志 (名大工)

休憩 16:00〜16:15 （16:00 〜 16:15）

16:15 〜 16:30

[19p-D4-9] エピタキシャル(Hg,Re)Ba2CaCu2Oy超伝導薄膜の作製と特性

古寺航太郎¹，加藤拓¹，堀出朋哉¹，美藤正樹¹，^○松本要¹，吉田隆²，淡路智³，高野義彦⁴ (九工大工¹，名大工²，東北大金研³，物材機構⁴)

16:30 〜 16:45

[19p-D4-10] (Cu,C)系超伝導層を基幹とする積層構造における界面歪効果

^○（M1）酒瀬川健人¹，古賀慎一¹，団一星¹，小原幸三¹，真中浩貴¹，田中康資²，伊豫彰²，SundaresanAthinarayanan³，常盤和靖⁴，寺田教男^1,2 (鹿児島大¹，産総研²，ネルー先端科学研³，東理大⁴)

16:45 〜 17:00

[19p-D4-11] MgB₂線材における不純物添加よるボロンサイトの炭素置換効果

^○熊倉浩明，葉術軍，張雲超，松本明善 (物材機構)

17:00 〜 17:15

[19p-D4-12] 炭素ドープMgB₂薄膜の作製とその臨界電流特性

^○青木翔太¹，竹原寛人¹，堀井滋¹，土井俊哉¹，水上貴彰²，楠敏明²，菅野周一² (京大¹，日立製作所²)

17:15 〜 17:30

[19p-D4-13] B10H14を用いてHPCVD成長したMgB2薄膜の成長レート依存性

佐川真太郎¹，山本明保²，^○内藤方夫¹ (農工大工¹，東大工²)