一般セッション(口頭講演)

[19a-D2-1~11] 16.2 プロセス技術・デバイス

2014年3月19日(水) 09:30 〜 12:30 D2 (D113)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 09:45

[19a-D2-1] ジボランの加熱タングステンワイヤ上での分解過程

^○梅本宏信^1,2，金光泰二郎^1,2，田中晃人¹ (静岡大工¹，JST CREST²)

09:45 〜 10:00

[19a-D2-2] Ge基板上に合成したII型Geクラスレート膜における内包Naの低減

^○大橋史隆，杉山智哉，野口明宏，角谷和保，久米徹二，伴隆幸，野々村修一 (岐大工)

10:00 〜 10:15

[19a-D2-3] 溶液プロセスa-Si:H膜の基礎物性の焼成時間依存性

^○（M2）佐久間陽¹，大平圭介^1,2，増田貴史^1,3，申仲栄^1,2，高岸秀行^1,2，下田達也^1,2,3 (北陸先端大¹，JST-ALCA²，JST-ERATO³)

10:15 〜 10:30

[19a-D2-4] シリコンインクを用いたアモルファスSiC膜の作製

^○増田貴史^1,2，申仲栄^1,3，高岸秀行^1,3，大平圭介^1,2,3，下田達也^1,2,3 (北陸先端大¹，北陸先端大GDRC²，JST-ALCA³)

10:30 〜 10:45

[19a-D2-5] グリーンレーザ照射による液体原料Si薄膜へのテクスチャ形成とその太陽電池への応用

^○溝口雅裕¹，増田貴史^1,3，申仲栄^1,2，高岸秀行^1,2，下田達也^1,2,3 (北陸先端大¹，JST-ALCA²，JST-ERATO³)

休憩 10:45〜11:00 （10:45 〜 11:00）

11:00 〜 11:15

[19a-D2-6] 単結晶Si基板上に固相成長させた結晶SiGe薄膜に関する検討

^○（M1）小島祐二¹，磯村雅夫^1,2 (東海大院工¹，東海大工²)

11:15 〜 11:30

[19a-D2-7] FLAによるテクスチャ透明導電膜上のpoly-Si薄膜形成

^○渡邊大貴，大平圭介 (北陸先端大)

11:30 〜 11:45

[19a-D2-8] Si/Ge多層薄膜を用いた赤外線イメージセンサ用薄膜材料の構造検討

^○太田裕紀，中村優平，宝田隼，古川昭雄 (東理大)

11:45 〜 12:00

[19a-D2-9] 赤外線センサ用ポテンシャル障壁構造素子における電気特性の計算

^○宝田隼，中村優平，古川昭雄 (東理大)

12:00 〜 12:15

[19a-D2-10] メニスカス力による大面積転写技術を用いて形成されたPET基板上単結晶シリコン膜の密着性改善

^○中村将吾，酒池耕平，赤澤宗樹，東清一郎 (広大院先端研)

12:15 〜 12:30

△ [19a-D2-11] フレキシブル基板上での単結晶シリコンMOSFETの作製

^○（DC）酒池耕平，赤澤宗樹，中村将吾，東清一郎 (広大院先端研)

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