11:00 〜 11:15
△ [18a-D8-8] MONOS型メモリの消去速度と保持特性を両立するためのSiN膜設計指針
キーワード：不揮発性メモリ
講演情報
一般セッション(口頭講演)
13．半導体A（シリコン） » 13.2 絶縁膜技術
[18a-D8-1~12] 13.2 絶縁膜技術
2014年3月18日(火) 09:00 〜 12:15 D8 (D215)
一般セッション(口頭講演)
13．半導体A（シリコン） » 13.2 絶縁膜技術
2014年3月18日(火) 09:00 〜 12:15 D8 (D215)
11:00 〜 11:15
キーワード：不揮発性メモリ