2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.2 絶縁膜技術

[18p-D8-1~15] 13.2 絶縁膜技術

2014年3月18日(火) 13:30 〜 17:30 D8 (D215)

16:30 〜 16:45

[18p-D8-12] La2O3/InGaAs界面ラフネスに及ぼすALDプロセスの影響

○大嶺洋1，ダリューシュハサンザデ1，角嶋邦之2，西山彰2，杉井信之2，片岡好則2，若林整2，筒井一生2，名取研二1，岩井洋1 (東工大フロンティア研1，東工大院総合理工2)

キーワード：High-k,InGaAs,ALD