[18p-E10-1~20] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[18p-E10-18] スパッタ成膜単結晶InGaZnO薄膜のトランジスタ特性

^○山田良則，松林大介，松田慎平，佐藤裕平，太田将志，伊藤大吾，津吹将志，高橋正弘，廣橋拓也，坂倉真之，山﨑舜平 (半エネ研)

キーワード：スパッタ,InGaZnO,単結晶