[19p-PG3-1~32] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19p-PG3-14] 高温イオン注入によるメタルゲート/high-k SOI FinFETsの高性能化

^○水林亘¹，?田博²，中島良樹²，石川由紀¹，松川貴¹，遠藤和彦¹，柳永勛¹，大内真一¹，塚田順一¹，山内洋美¹，右田真司¹，森田行則¹，太田裕之¹，昌原明植¹ (産総研¹，日新イオン機器²)

キーワード：高温イオン注入,FinFETs,ソース／ドレイン