一般セッション(ポスター講演)

[13p-PB3-1~2] 15.7 エピタキシーの基礎

2015年9月13日(日) 13:30 〜 15:30 PB3 (白鳥ホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

13:30 〜 15:30

[13p-PB3-1] GaAsマイクロチャンネルエピタキシーの法線方向成長速度に与えるSiドーピングの効果

〇水野陽介¹、冨田将史¹、神林大介¹、高倉宏幸¹、岩川宗樹¹、白木優子¹、丸山隆浩¹、成塚重弥¹ (1.名城大理工)

13:30 〜 15:30

〇高橋幹夫¹、畠山匠¹、尾沼猛儀¹、山口智広¹、本田徹¹ (1.工学院大学)

一般セッション(口頭講演)

2015年9月14日(月) 16:45 〜 18:15 2W (234-2(北側))

座長:高橋正光(原子力研究)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

16:45 〜 17:00

〇東條孝志^1,2、山口浩一²、塚本史郎¹ (1.阿南高専、2.電通大)

17:00 〜 17:15

〇小西智也¹、ベルギャビン²、塚本史郎¹ (1.阿南高専、2.ウォーリック大)

17:15 〜 17:30

〇伊藤智徳¹、秋山亨¹、中村浩次¹ (1.三重大院工)

17:30 〜 17:45

〇大竹晃浩¹、萩原敦²、船附顕汰²、中村淳² (1.物材機構、2.電通大)

17:45 〜 18:00

〇諏澤寛源¹ (1.反射層付LED創始者)

18:00 〜 18:15

〇諏澤寛源¹ (1.反射層付LED創始者)