一般セッション(ポスター講演)

[14p-PB9-1~4] 7.2 電子ビーム応用

2015年9月14日(月) 18:30 〜 20:30 PB9 (白鳥ホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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18:30 〜 20:30

[14p-PB9-1] イオン液体中のZnOナノ結晶の電子線・レーザー同時照射による光腐食のTEM内その場観察

〇小暮一馬¹、大藤功将¹、石岡準也²、メルバートジェーム¹、ラフィックミルザ¹、河口楓¹、谷津茂男²、柴山環樹²、渡辺精一² (1.北大工、2.北大工エネマテ)

18:30 〜 20:30

[14p-PB9-2] 高分解能SEMによるゼオライトのコーク分布の解析

〇生頼義久¹、砂押毅志¹、岡田聡¹、横井俊之² (1.日立ハイテク、2.東工大)

18:30 〜 20:30

[14p-PB9-3] 新奇NEA電子放出表面を目的とした高次ファセット構造の作成

〇松尾和俊¹、平尾昌幸¹、田中翔太¹、飯島北斗¹、塩川高雄²、目黒多加志¹ (1.東理大、2.理研)

18:30 〜 20:30

[14p-PB9-4] 共振器効果によるスミスパーセル放射増強のPIC-FDTD解析

〇(M1)佐藤雄哉¹、岡寿樹² (1.新潟大自然科学、2.新潟大超域)

一般セッション(口頭講演)

[15p-4E-1~23] 7.2 電子ビーム応用

2015年9月15日(火) 13:15 〜 19:30 4E (437)

座長:村田英一(名城大),嶋脇秀隆(八戸工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:15 〜 13:30

[15p-4E-1] [講演奨励賞受賞記念講演] AESおよびREELSを用いた酸化物におけるリチウム元素の評価

〇田口昇¹、橘田晃宜¹、栄部比夏里¹、秋田知樹¹ (1.産総研電池技術)

13:30 〜 13:45

[15p-4E-2] 金微粒子-酸化セリウム界面構造のSTEM観察

〇秋田知樹¹、前田泰¹、田口昇¹、田中真悟¹、香山正憲¹ (1.産総研　電池技術)

13:45 〜 14:00

[15p-4E-3] 2層グラフェンへの安定な細孔の形成

〇(D)狩野絵美^1,2、橋本綾子^1,2、竹口雅樹^1,2 (1.筑波大数理、2.物材機構)

14:00 〜 14:15

[15p-4E-4] 液体セルETEMによる液滴挙動の観察

〇川崎忠寛^1,2、石田高史^2,3、丹司敬義^2,3 (1.JFCC、2.名大エコトピア、3.GREEN)

14:15 〜 14:30

[15p-4E-5] 大気圧SEMにおけるバルク試料観察

〇庄子美南¹、大南祐介¹、河西晋佐¹、中林誠¹、伊東祐博¹ (1.（株）日立ハイテク)

14:30 〜 14:45

[15p-4E-6] 噴水型低エネルギー二次電子検出器による半導体pn接合の観察

〇関口隆史¹、岩井秀夫¹、木村隆¹ (1.物材機構)

14:45 〜 15:00

△ [15p-4E-7] 円環・円孔電極を用いた電界型Csコレクタの開発（１）－計算－

〇高井康行¹、小川雄紀¹、川﨑忠寛^2,3、石田高史³、児玉哲司¹、生田孝⁴ (1.名城大院理工学研究科、2.(財)ファインセラミックスセンター、3.名古屋大学エコトピア科学研究所、4.大阪電気通信大学工学部)

15:00 〜 15:15

△ [15p-4E-8] 円環・円孔電極を用いた電界型Csコレクタの開発（2）―実験―

〇小川雄紀¹、高井康行¹、川﨑忠寛^2,3、石田高史³、児玉哲司¹、生田孝⁴ (1.名城大学大学院理工学研究科、2.(財)ファインセラミックスセンター、3.名古屋大学エコトピア科学研究所、4.大阪電気通信大学工学部)

15:15 〜 15:30

△ [15p-4E-9] 焦点位置追尾機能を有する変調電子顕微鏡システムの開発

〇(D)田村孝弘¹、木村吉秀¹、高井義造¹ (1.阪大院工)

15:30 〜 15:45

△ [15p-4E-10] A-B効果を用いたヒルベルト位相板の開発

〇石田高史^1,2、李偉¹、丹司敬義^1,2 (1.名大エコ、2.GREEN)

休憩（15:45 〜 16:00）

16:00 〜 16:15

[15p-4E-11] 磁界重畳型対物レンズを搭載したマルチエミッタ評価用SEEM/PEEM装置の分解能測定

〇(M2)高須浩貴¹、浅井大誠¹、村田英一¹、六田英治¹、下山宏¹ (1.名城大理工)

16:15 〜 16:30

[15p-4E-12] 電子ビーム照射による試料表面電位形成過程のシミュレーション

〇(M1)福澤諒大¹、小寺正敏¹ (1.大阪工大)

16:30 〜 16:45

[15p-4E-13] 電子ビーム露光によるフォギング電子のバイアス電圧依存性

〇(M1)東海昌司¹、半田勇希¹、河本拓也¹、小寺正敏¹ (1.大阪工大)

16:45 〜 17:00

[15p-4E-14] 走査電子顕微鏡におけるフォギング電子軌跡のシミュレーション

〇西野大輝¹、小寺正敏¹ (1.大阪工大)

17:00 〜 17:15

[15p-4E-15] 試料表面のフォギング電子電流のバイアス電圧依存性

〇(M1)野田拓^1,2、萩原佳史¹、小寺正敏¹、Raynald Gauvin² (1.大阪工大、2.マギル大学)

17:15 〜 17:30

[15p-4E-16] グリシンを蒸着したタングステンエミッタの電界イオン顕微鏡観察

〇入場紀明¹、岡田真¹、辻博司¹、後藤康仁¹ (1.京大院工)

17:30 〜 17:45

[15p-4E-17] イットリウム酸化物で修飾したモリブデン(100)面からの電子放射

〇川久保貴史¹、木谷翼¹、中根英章² (1.香川高専、2.室蘭工大工)

17:45 〜 18:00

[15p-4E-18] GOS(Graphene/Oxide/Semiconductor)型電子放出素子の作製

〇村上勝久^1,2、宮下晃^1,2、田中駿丞^1,2、顧西子^1,2、飯島拓也¹、長尾昌善³、藤田淳一^1,2 (1.筑波大数理、2.TIMS、3.産総研)

休憩（18:00 〜 18:15）

18:15 〜 18:30

[15p-4E-19] GaAs負性電子親和力カソードの活性化過程における放出電子エネルギー分布

〇(M1)光野圭悟¹、増澤智昭¹、畑中義式¹、根尾陽一郎¹、三村秀典¹ (1.静岡大)

18:30 〜 18:45

[15p-4E-20] ボルケーノ構造ダブルゲートスピント型フィールドエミッタアレイのビーム集束特性

〇長尾昌善¹、後藤康仁²、増澤智昭³、根尾陽一郎³、三村秀典³ (1.産総研、2.京大院工、3.静大電研)

18:45 〜 19:00

[15p-4E-21] ダブルゲートスピント型エミッタの電極構造とエミッタ先端電界

〇後藤康仁¹、辻博司¹、長尾昌善² (1.京大院工、2.産総研)

19:00 〜 19:15

▲ [15p-4E-22] Stability of Discharge Characteristics of Nanometer-order Size Transfer Mold Field Emitter Arrays for Plasma Source Applications

〇JONGHYUN MOON¹, Masayuki Nakamoto¹ (1.Shizuoka Univ.)

19:15 〜 19:30

[15p-4E-23] Field Emitter Arrayの電流密度分布を考慮した電子軌道計算

〇後藤浩康¹、村田英一¹、下山宏¹ (1.名城大学理工)

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[14p-PB9-1~4] 7.2 電子ビーム応用

[14p-PB9-1] イオン液体中のZnOナノ結晶の電子線・レーザー同時照射による光腐食のTEM内その場観察

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[14p-PB9-3] 新奇NEA電子放出表面を目的とした高次ファセット構造の作成

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[15p-4E-1~23] 7.2 電子ビーム応用

[15p-4E-1] [講演奨励賞受賞記念講演] AESおよびREELSを用いた酸化物におけるリチウム元素の評価

[15p-4E-2] 金微粒子-酸化セリウム界面構造のSTEM観察

[15p-4E-3] 2層グラフェンへの安定な細孔の形成

[15p-4E-4] 液体セルETEMによる液滴挙動の観察

[15p-4E-5] 大気圧SEMにおけるバルク試料観察

[15p-4E-6] 噴水型低エネルギー二次電子検出器による半導体pn接合の観察

△ [15p-4E-7] 円環・円孔電極を用いた電界型Csコレクタの開発（１）－計算－

△ [15p-4E-8] 円環・円孔電極を用いた電界型Csコレクタの開発（2）―実験―

△ [15p-4E-9] 焦点位置追尾機能を有する変調電子顕微鏡システムの開発

△ [15p-4E-10] A-B効果を用いたヒルベルト位相板の開発

[15p-4E-11] 磁界重畳型対物レンズを搭載したマルチエミッタ評価用SEEM/PEEM装置の分解能測定

[15p-4E-12] 電子ビーム照射による試料表面電位形成過程のシミュレーション

[15p-4E-13] 電子ビーム露光によるフォギング電子のバイアス電圧依存性

[15p-4E-14] 走査電子顕微鏡におけるフォギング電子軌跡のシミュレーション

[15p-4E-15] 試料表面のフォギング電子電流のバイアス電圧依存性

[15p-4E-16] グリシンを蒸着したタングステンエミッタの電界イオン顕微鏡観察

[15p-4E-17] イットリウム酸化物で修飾したモリブデン(100)面からの電子放射

[15p-4E-18] GOS(Graphene/Oxide/Semiconductor)型電子放出素子の作製

[15p-4E-19] GaAs負性電子親和力カソードの活性化過程における放出電子エネルギー分布

[15p-4E-20] ボルケーノ構造ダブルゲートスピント型フィールドエミッタアレイのビーム集束特性

[15p-4E-21] ダブルゲートスピント型エミッタの電極構造とエミッタ先端電界

▲ [15p-4E-22] Stability of Discharge Characteristics of Nanometer-order Size Transfer Mold Field Emitter Arrays for Plasma Source Applications

[15p-4E-23] Field Emitter Arrayの電流密度分布を考慮した電子軌道計算

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