一般セッション(ポスター講演)

[12a-P7-1~4] 7.2 電子ビーム応用

2015年3月12日(木) 09:30 〜 11:30 P7 (総合体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

▲ [12a-P7-1] Measurement of interfacial potential using transport of intensity equation

〇(P)Xiaobin Zhang^1,², Yoshifumi Oshima^2,³ (1.Tokyo Institute of Technology, 2.JST-CREST, 3.JAIST)

09:30 〜 11:30

△ [12a-P7-2] TiO₂を蒸着したカーボンナノチューブからの電界電子放出のTEMその場観察

〇松田薫洋¹、中原仁¹、安坂幸師¹、齋藤弥八¹ (1.名大院工)

09:30 〜 11:30

[12a-P7-3] 先鋭化したシャープペンシル芯からの電界電子放出

〇明神拓真¹、麻薙健¹、堀江翔太¹、山田洋一¹、佐々木正洋¹ (1.筑波大数物)

09:30 〜 11:30

[12a-P7-4] メッシュ型フィラメントによる電子雲の生成

〇(B)金森圭太¹、溝口亜優¹、粕谷俊郎¹、和田元¹ (1.同志社大理工)

一般セッション(口頭講演)

[12p-A11-1~21] 7.2 電子ビーム応用

2015年3月12日(木) 13:30 〜 19:00 A11 (6A-116)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 13:45

[12p-A11-1] [講演奨励賞受賞記念講演] グラフェンのステップ成長のその場TEM観察

〇狩野絵美^1,²、橋本綾子^1,²、竹口雅樹^1,² (1.筑波大数理, 2.NIMS)

13:45 〜 14:00

[12p-A11-2] アルカリハライドを触媒とした電子線励起による炭素ケージの生成

〇舘昌志^1,²、村上勝久^1,²、竹口雅樹³、藤田淳一^1,² (1.筑波大数理, 2.TIMS, 3.物質・材料研究機構)

14:00 〜 14:15

[12p-A11-3] ナトリウムを吸蔵したチタン酸リチウムの高分解能電子顕微鏡観察

〇橘田晃宜¹、香山正憲¹、秋田知樹¹ (1.産総研)

14:15 〜 14:30

△ [12p-A11-4] 反射電子エネルギー損失分光法を用いたリチウム化合物の評価

〇田口昇¹、橘田晃宜¹、栄部比夏里¹、秋田知樹¹ (1.産総研)

14:30 〜 14:45

[12p-A11-5] 金微粒子-チタン酸ストロンチウム界面構造の電子顕微鏡観察

〇秋田知樹¹、前田泰¹、香山正憲¹ (1.産総研ユビキタス)

14:45 〜 15:00

[12p-A11-6] 電子ビーム照射による絶縁体薄膜帯電のバイアス電圧依存性

〇半田勇希¹、東海昌司¹、小寺正敏¹ (1.大阪工大)

15:00 〜 15:15

[12p-A11-7] アウトレンズ型低エネルギー二次電子検出器の開発と像観察

〇関口隆史¹、岩井秀夫¹ (1.物材機構)

15:15 〜 15:30

[12p-A11-8] 低加速電子線偏向法による高空間分解能電界可視化

〇吉田木の実^1,²、粟飯原有輝^1,²、村上勝久^1,²、藤田淳一^1,² (1.筑波大数理, 2.TIMS)

15:30 〜 15:45

[12p-A11-9] 強度輸送方程式による長周期位相情報の取得

〇三石和貴¹、雷丹¹、下条雅幸²、竹口雅樹¹ (1.物材機構, 2.芝工大)

15:45 〜 16:00

[12p-A11-10] 環状明視野位相法による像コントラストの信号対雑音比の改善

〇(D)石田高史¹、川﨑忠寛^2,^3,⁴、丹司敬義^2,⁴、生田孝⁵ (1.名大院工, 2.名大エコ, 3.JFCC, 4.GREEN, 5.大阪電通大)

16:00 〜 16:15

[12p-A11-11] ホローコーンTEMによる軽元素カラムの可視化

〇川崎忠寛^1,^2,⁴、石田高史^3,⁴、丹司敬義^2,⁴ (1.JFCC, 2.名大エコトピア, 3.名大院工, 4.GREEN)

16:15 〜 16:30

[12p-A11-12] 環境電子顕微鏡用の液体セルの開発（2）

〇今枝紀裕¹、川﨑忠寛^2,^3,⁴、丹司敬義^3,⁴ (1.名大院工, 2.JFCC, 3.名大エコトピア科学研究所, 4.ナノ材料科学環境拠点)

16:30 〜 16:45

[12p-A11-13] ナノポアおよび電場を利用した水溶液中のナノ粒子操作

〇星野隆行¹、満渕邦彦¹ (1.東大情理)

休憩（16:45 〜 17:00）

17:00 〜 17:15

[12p-A11-14] 電界放出誘起成長ナノ電子源の計算機シミュレーションによる輝度評価

〇中原仁¹、伊藤真一¹、齋藤弥八¹ (1.名大院工)

17:15 〜 17:30

[12p-A11-15] p型シリコンフィールドエミッタからの光支援電子放射（Ⅱ）

〇嶋脇秀隆¹、長尾昌善²、根尾陽一郎³、三村秀典³、若家冨士男⁴、高井幹夫⁴ (1.八戸工大工, 2.産総研, 3.静岡大, 4.大阪大)

17:30 〜 17:45

[12p-A11-16] GaAs負性電子親和力カソードの活性化過程とその分光感度特性

〇(B)光野圭悟¹、増澤智昭¹、畑中義式¹、根尾陽一郎¹、三村秀典¹ (1.静岡大)

17:45 〜 18:00

[12p-A11-17] 表面をプラズマ処理した窒化ハフニウム薄膜の仕事関数の評価

藤原将¹、辻博司¹、〇後藤康仁¹ (1.京大院工)

18:00 〜 18:15

△ [12p-A11-18] 第一原理計算を用いた転写モールド法エミッタ用導電性セラミック材料の電子状態(Ⅳ)

〇(M2)石川原俊夫¹、中本正幸¹ (1.静岡大院工)

18:15 〜 18:30

[12p-A11-19] スピン方向を制御可能な電界放出型偏極電子源に向けたW(001)面上に堆積されたCr薄膜の結晶構造の観察

〇阪井那央哉¹、永井滋一^1,²、岩田達夫^1,²、梶原和夫^1,²、畑浩一^1,² (1.三重大院工, 2.三重大極限ナノセレセ)

18:30 〜 18:45

[12p-A11-20] エタノール浸漬処理したタングステンエミッタの電界放射顕微鏡および電界イオン顕微鏡観察

〇入場紀明¹、辻博司¹、後藤康仁¹ (1.京大院工)

18:45 〜 19:00

[12p-A11-21] スピント型エミッタの放射線耐性の評価

〇長尾昌善¹、後藤康仁²、佐藤信浩³、秋吉優史²、高木郁二² (1.産総研, 2.京大院工, 3.京大原子炉)

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7 ビーム応用 » 7.2 電子ビーム応用

[12a-P7-1~4] 7.2 電子ビーム応用

▲ [12a-P7-1] Measurement of interfacial potential using transport of intensity equation

△ [12a-P7-2] TiO₂を蒸着したカーボンナノチューブからの電界電子放出のTEMその場観察

[12a-P7-3] 先鋭化したシャープペンシル芯からの電界電子放出

[12a-P7-4] メッシュ型フィラメントによる電子雲の生成

[12p-A11-1~21] 7.2 電子ビーム応用

[12p-A11-1] [講演奨励賞受賞記念講演] グラフェンのステップ成長のその場TEM観察

[12p-A11-2] アルカリハライドを触媒とした電子線励起による炭素ケージの生成

[12p-A11-3] ナトリウムを吸蔵したチタン酸リチウムの高分解能電子顕微鏡観察

△ [12p-A11-4] 反射電子エネルギー損失分光法を用いたリチウム化合物の評価

[12p-A11-5] 金微粒子-チタン酸ストロンチウム界面構造の電子顕微鏡観察

[12p-A11-6] 電子ビーム照射による絶縁体薄膜帯電のバイアス電圧依存性

[12p-A11-7] アウトレンズ型低エネルギー二次電子検出器の開発と像観察

[12p-A11-8] 低加速電子線偏向法による高空間分解能電界可視化

[12p-A11-9] 強度輸送方程式による長周期位相情報の取得

[12p-A11-10] 環状明視野位相法による像コントラストの信号対雑音比の改善

[12p-A11-11] ホローコーンTEMによる軽元素カラムの可視化

[12p-A11-12] 環境電子顕微鏡用の液体セルの開発（2）

[12p-A11-13] ナノポアおよび電場を利用した水溶液中のナノ粒子操作

[12p-A11-14] 電界放出誘起成長ナノ電子源の計算機シミュレーションによる輝度評価

[12p-A11-15] p型シリコンフィールドエミッタからの光支援電子放射（Ⅱ）

[12p-A11-16] GaAs負性電子親和力カソードの活性化過程とその分光感度特性

[12p-A11-17] 表面をプラズマ処理した窒化ハフニウム薄膜の仕事関数の評価

△ [12p-A11-18] 第一原理計算を用いた転写モールド法エミッタ用導電性セラミック材料の電子状態(Ⅳ)

[12p-A11-19] スピン方向を制御可能な電界放出型偏極電子源に向けたW(001)面上に堆積されたCr薄膜の結晶構造の観察

[12p-A11-20] エタノール浸漬処理したタングステンエミッタの電界放射顕微鏡および電界イオン顕微鏡観察

[12p-A11-21] スピント型エミッタの放射線耐性の評価

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[12a-P7-1~4] 7.2 電子ビーム応用

▲ [12a-P7-1] Measurement of interfacial potential using transport of intensity equation

△ [12a-P7-2] TiO2を蒸着したカーボンナノチューブからの電界電子放出のTEMその場観察

[12p-A11-1~21] 7.2 電子ビーム応用

△ [12p-A11-4] 反射電子エネルギー損失分光法を用いたリチウム化合物の評価

△ [12p-A11-18] 第一原理計算を用いた転写モールド法エミッタ用導電性セラミック材料の電子状態(Ⅳ)

認証

△ [12a-P7-2] TiO₂を蒸着したカーボンナノチューブからの電界電子放出のTEMその場観察