Xiang Meng¹, Akiko Ueki², Haruo IMAGAWA², Hiroshi ITAHARA², 〇Hirokazu Tatsuoka³ (1.Graduate School of Science and Technology, Shizuoka Univ., 2.Toyota Central R&D Labs., Inc., 3.Graduate School of Engineering, Shizuoka Univ.)

12:15 〜 12:30

[13a-A25-13] キセノンイオンを注入したシリコンのアニールによる構造変化 II

〇北川淳嗣¹、藤田詩織¹、羽渕仁恵¹、飯田民夫¹、大橋史隆²、伴隆幸²、久米徹二²、野々村修一² (1.岐阜高専, 2.岐大工)

一般セッション(口頭講演)

[13p-A25-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2015年3月13日(金) 16:15 〜 19:15 A25 (6A-218)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

16:15 〜 16:30

△ [13p-A25-1] Na-Al-Sn系新規化合物の合成と結晶構造および電気的特性

〇(M1)菅野雅博¹、山田高広¹、山根久典¹ (1.東北大多元研)

16:30 〜 16:45

△ [13p-A25-2] Siクラスレート薄膜のNa含有量と結晶歪みのヨウ素処理依存性

〇(M1)竹下博高¹、境健太郎²、原口智宏¹、鈴木秀俊¹、大橋史隆³、久米徹二³、福山敦彦¹、野々村修一³、碇哲雄¹ (1.宮崎大工, 2.宮崎大産・地連セ, 3.岐大工)

16:45 〜 17:00

[13p-A25-3] Na内包II型Siクラスレート前駆体膜作製条件の最適化

〇野村政貴¹、野口明宏¹、阪上真史¹、大橋史隆¹、久米徹二¹、伴隆幸¹、野々村修一¹ (1.岐大院工)

17:00 〜 17:15

[13p-A25-4] Ⅱ型Siクラスレート薄膜に含まれる不純物の評価および低減

〇上原康暉¹、砂場昭吾¹、浦野和俊¹、大橋史隆¹、久米徹二¹、伴隆幸¹、山家光男¹、野々村修一¹ (1.岐大院工)

17:15 〜 17:30

[13p-A25-5] スパッタ膜を用いた透明基板上へのII型Geクラスレート膜の作製

〇萬條宏行¹、船戸一平¹、向井哲也¹、大橋史隆¹、伴隆幸¹、久米徹二¹、野々村修一¹ (1.岐大院工)

17:30 〜 17:45

[13p-A25-6] W内包Siクラスターを凝集したシリサイド半導体薄膜の電気伝導特性

〇岡田直也^1,²、内田紀行²、金山敏彦² (1.JSTさきがけ, 2.産総研)

17:45 〜 18:00

[13p-A25-7] Bi 原子細線をドーパント源とするSi 結晶中へのBi δ ドーピング法：キャリア輸送特性評価

〇三木一司^1,²、金澤孝^1,²、村田晃一^1,²、日塔光一¹ (1.物材機構, 2.筑波大数物)

18:00 〜 18:15

[13p-A25-8] 界面ナノ構造を利用したIV族半導体へのMnδドーピング：機構解明

村田晃一^1,²、〇三木一司^1,²、新田清文³、金澤孝^1,²、坪松悟史^1,²、日塔光一¹、坂田修身¹、寺田靖子³、宇留賀朋哉³ (1.物材機構, 2.筑波大数物, 3.JASRI)

18:15 〜 18:30

△ [13p-A25-9] 希薄磁性半導体超格子GaGdAs/GaAsへのSiドープが及ぼす影響

〇大西吉行¹、山野高史¹、行廣克成¹、原田優¹、宮川勇人¹、小柴俊¹、中西俊介¹、橋本光博²、高橋敏男² (1.香川大工, 2.東大物性研)

18:30 〜 18:45

[13p-A25-10] Mn_3-xCo_xO₄の磁気相図と新奇な物性

〇平井慈人¹、山田幾也²、八木俊介²、神原陽一³、的場正憲³ (1.高圧先進科研中心, 2.大府大21NRC, 3.慶大理工)

18:45 〜 19:00

[13p-A25-11] ナノアモルファス窒化炭素を用いたRe炭窒化物の高温高圧合成

〇安井望¹、財部健一¹、岡田卓²、山崎大輔³、大藤弘明⁴、小島洋平⁴ (1.岡山理大理, 2.東大物性研, 3.岡大地球研, 4.愛媛大GRC)

19:00 〜 19:15

[13p-A25-12] A型希土類構造とC型希土類構造の混晶系のラマン散乱

〇知花優太郎¹、山中明生¹ (1.千歳科学技術大学)

一般セッション(口頭講演)

[14a-A25-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2015年3月14日(土) 09:00 〜 12:00 A25 (6A-218)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

▲ [14a-A25-1] Formation of MoO3/n-BaSi2 heterojunctions for solar cell applications

〇Weijie Du¹, Masakazu Baba¹, Ryota Takabe¹, Hiroki Takeuchi¹, Daichi Tsukahara¹, Kaoru Toko¹, Noritaka Usami^2,³, Takashi Suemasu^1,³ (1.Univ. of Tsukuba, 2.Nagoya Univ., 3.JST-CREST)

09:15 〜 09:30

[14a-A25-2] MBE法で形成したBaSi_２エピタキシャル膜/酸化膜界面の欠陥準位評価

〇武内大樹¹、Du Weijie¹、高部涼太¹、都甲薫¹、原康祐²、宇佐美徳隆^3,⁴、末益崇^1,⁴ (1.筑波大学院, 2.山梨大学, 3.名古屋大学, 4.JST-CREST)

09:30 〜 09:45

△ [14a-A25-3] BaSi₂ domain boundary の最安定構造及び界面特性についての考察

〇馬場正和¹、香山正徳²、都甲薫¹、末益崇^1,³ (1.筑波大院数理, 2.産総研ユビキタス, 3.JST-CREST)

09:45 〜 10:00

[14a-A25-4] 多結晶Si上に成長したBaSi₂薄膜表面のKFM法によるポテンシャル分布評価

〇李云鵬¹、馬場正和¹、沼田涼平¹、都甲薫¹、宇佐美徳隆^2,⁴、関口隆史³、末益崇^1,⁴ (1.筑波大, 2.名大, 3.物材研, 4.JST-CREST)

10:00 〜 10:15

[14a-A25-5] KFM法によるバイアス印加時Si(111)基板上BaSi₂ pn接合におけるポテンシャル観察

〇塚原大地¹、馬場正和¹、都甲薫¹、渡辺健太郎^1,²、関口隆史²、末益崇^1,³ (1.筑波大数理, 2.物材機構, 3.JST-CREST)

10:15 〜 10:30

[14a-A25-6] RFスパッタ法により作製したBaSi₂薄膜表面の粒界ポテンシャル評価

〇(B)横山晟也¹、Nurul A. A. Latiff¹、馬場正和¹、李云鵬¹、召田雅実²、倉持豪人²、都甲薫¹、末益崇^1,³ (1.筑波大院　電子・物理工学専攻, 2.東ソー株式会社, 3.JST-CREST)

休憩（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[14a-A25-7] BaSi₂における不純物原子拡散と固溶度の理論検討

〇(M1)大須賀祐喜¹、中山隆史¹ (1.千葉大理)

11:00 〜 11:15

[14a-A25-8] 希少元素フリーSnS/BaSi₂太陽電池の提案と数値シミュレーション

〇原康祐^1,²、末益崇^2,³、宇佐美徳隆^2,⁴ (1.山梨大クリスタル研, 2.JST-CREST, 3.筑波大院数理物質, 4.名大院工)

11:15 〜 11:30

[14a-A25-9] 真空蒸着法による導電性基板上への BaSi₂薄膜の作製

〇(B)須原貴道¹、原康祐^2,³、末益崇^2,⁴、宇佐美徳隆^1,² (1.名古屋大, 2.JST-CREST, 3.山梨大, 4.筑波大)

11:30 〜 11:45

[14a-A25-10] 真空蒸着法により作製したBaSi₂薄膜の膜厚による影響

〇中川慶彦¹、原康祐^2,³、末益崇^3,⁴、宇佐美徳隆^1,³ (1.名大工, 2.山梨大, 3.JST-CREST, 4.筑波大)

11:45 〜 12:00

[14a-A25-11] SnS/BaSi₂ヘテロ接合太陽電池に向けた真空蒸着法によるSnS薄膜作製

〇鈴木慎太郎¹、須原貴道¹、原康祐^2,³、末益崇^3,⁴、宇佐美徳隆^1,³ (1.名大工, 2.山梨大クリスタル研, 3.JST-CREST, 4.筑波大)

一般セッション(口頭講演)

[14p-A25-1~4] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2015年3月14日(土) 13:00 〜 14:00 A25 (6A-218)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:00 〜 13:15

[14p-A25-1] アンモニアプロセスを用いたBaSi₂薄膜の合成と評価

〇関口隆史^1,²、山根久典³、陳君¹、渡辺健太郎^1,²、末益崇² (1.物材機構, 2.筑波大数理, 3.東北大多元研)

13:15 〜 13:30

[14p-A25-2] 固相成長テンプレートを用いたGe(111)基板上へのBaSi₂ 膜作製

〇高部涼太¹、原康祐²、都甲薫¹、宇佐美徳隆^3,⁴、末益崇^1,⁴ (1.筑波大電物, 2.山梨大学, 3.名古屋大学, 4.JST-CREST)

13:30 〜 13:45

▼ [14p-A25-3] Fabrication of Ba(Si,C)₂ films on Si(111) by plasma-assisted molecular beam epitaxy

〇(B)JAEJUN LEE¹, HIROKI TAKEUCHI², RYOTA TAKABE², KAORU TOKO^1,², TAKASHI SUEMASU^1,^2,³ (1.Coll. of engineering sciences, Univ. of Tsukuba, 2.Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 3.JST-CREST)

13:45 〜 14:00

[14p-A25-4] Ba_1-xSr_xSi₂の結晶構造

〇今井基晴¹、松下能孝¹ (1.物材機構)

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[12p-P8-1~14] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[13a-A25-1~13] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

▲ [13a-A25-12] Growth of CaSi2 layers on Si substrates induced by Kirkendall void formation

[13p-A25-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

△ [13p-A25-1] Na-Al-Sn系新規化合物の合成と結晶構造および電気的特性

△ [13p-A25-2] Siクラスレート薄膜のNa含有量と結晶歪みのヨウ素処理依存性

△ [13p-A25-9] 希薄磁性半導体超格子GaGdAs/GaAsへのSiドープが及ぼす影響

[14a-A25-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

▲ [14a-A25-1] Formation of MoO3/n-BaSi2 heterojunctions for solar cell applications

△ [14a-A25-3] BaSi2 domain boundary の最安定構造及び界面特性についての考察

[14p-A25-1~4] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

▼ [14p-A25-3] Fabrication of Ba(Si,C)2 films on Si(111) by plasma-assisted molecular beam epitaxy

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▲ [13a-A25-12] Growth of CaSi₂ layers on Si substrates induced by Kirkendall void formation

△ [14a-A25-3] BaSi₂ domain boundary の最安定構造及び界面特性についての考察

▼ [14p-A25-3] Fabrication of Ba(Si,C)₂ films on Si(111) by plasma-assisted molecular beam epitaxy