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[15a-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2016年9月15日(木) 09:00 〜 12:30 B1 (展示ホール内)

塩島謙次(福井大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

▲ [15a-B1-1] Investigation of Mg Ion Implantation for Current Blocking in Vertical Ga₂O₃ Transistors

〇ManHoi Wong¹、Kohei Sasaki^2,1、Akito Kuramata²、Shigenobu Yamakoshi²、Masataka Higashiwaki¹ (1.NICT、2.Tamura Corp.)

09:15 〜 09:30

▲ [15a-B1-2] Characterization of Channel Temperature in Ga₂O₃ MOSFETs

〇ManHoi Wong¹、Yoji Morikawa²、Kohei Sasaki^3,1、Akito Kuramata³、Shigenobu Yamakoshi³、Masataka Higashiwaki¹ (1.NICT、2.Silvaco Japan、3.Tamura Corp.)

09:30 〜 09:45

[15a-B1-3] 1kV耐圧Ga₂O₃フィールドプレート付きショットキーバリアダイオード

〇小西敬太¹、後藤健^2,3、富樫理恵³、村上尚³、熊谷義直³、Bo Monemar^3,4、倉又朗人²、山腰茂伸²、東脇正高¹ (1.情通機構、2.タムラ製作所、3.東京農工大院工、4.リンチョピン大)

09:45 〜 10:00

[15a-B1-4] ダイヤモンドデバイスを用いた無線電力伝送用レクテナの理論的検討

〇大石敏之¹、河野直士¹、嘉数誠¹ (1.佐賀大学)

10:00 〜 10:15

[15a-B1-5] 酸化ガリウムダイオードを用いたレクテナ回路動作

〇河野直士¹、大島孝仁¹、嘉数誠¹、大石敏之¹ (1.佐賀大院工)

10:15 〜 10:30

△ [15a-B1-6] レクテナにおけるダイヤモンドショットキーバリアダイオードの抵抗容量積の影響

〇河野直士¹、桝谷聡士¹、大島孝仁¹、大石敏之¹ (1.佐賀大院工)

10:45 〜 11:00

[15a-B1-7] ダイヤモンド単結晶とSi単結晶基板の常温接合

〇梁剣波¹、桝谷聡士²、嘉数誠²、重川直輝¹ (1.大阪市大工、2.佐賀大工)

11:00 〜 11:15

[15a-B1-8] GaN自立基板上PINダイオードにおける順方向発光パターン解析

〇(D)宇佐美茂佳¹、安藤悠人¹、田中敦之²、永松謙太郎²、久志本真希¹、出来真斗²、新田州吾²、本田善央²、天野浩^2,3,4 (1.名大院工、2.未来材料・システム研究所、3.赤﨑記念研究センター、4.名古屋大学VBL)

11:15 〜 11:30

△ [15a-B1-9] p⁺⁺-GaN薄層を用いた縦型p⁺⁺-n接合ダイオード

〇柘植博史¹、堀切文正²、成田好伸²、金田直樹³、中村徹¹、三島友義¹ (1.法政大学、2.サイオクス、3.クオンタムスプレッド)

11:30 〜 11:45

[15a-B1-10] 界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モフォロジーの2次元評価

〇塩島謙次¹、橋爪孝典¹、堀切文正²、田中丈士²、三島友義³ (1.福井大院工、2.サイオクス、3.法政大学)

11:45 〜 12:00

△ [15a-B1-11] 自立GaN基板上p-n接合ダイオードにおける順方向電流集中領域の検討Ⅱ

〇林賢太郎¹、太田博¹、堀切文正²、成田好伸²、吉田丈洋²、中村徹¹、三島友義¹ (1.法政大、2.サイオクス)

12:00 〜 12:15

[15a-B1-12] 自立GaN基板上p-n接合ダイオードの信頼性試験

〇堀切文正¹、太田博²、成田好伸¹、吉田丈洋¹、北村寿朗¹、中村徹²、三島友義² (1.サイオクス、2.法政大)

12:15 〜 12:30

[15a-B1-13] 表面活性化接合法によるAl箔/ワイドギャップ半導体接合の電気特性

〇森田匠¹、西村拓也¹、梁剣波¹、松原萌子²、ダムリンマルワン²、西尾佳高²、重川直輝¹ (1.大阪市立大学、2.東洋アルミ二ウム)

セッション情報

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▲ [15a-B1-1] Investigation of Mg Ion Implantation for Current Blocking in Vertical Ga₂O₃ Transistors

▲ [15a-B1-2] Characterization of Channel Temperature in Ga₂O₃ MOSFETs

[15a-B1-3] 1kV耐圧Ga₂O₃フィールドプレート付きショットキーバリアダイオード

[15a-B1-4] ダイヤモンドデバイスを用いた無線電力伝送用レクテナの理論的検討

[15a-B1-5] 酸化ガリウムダイオードを用いたレクテナ回路動作

△ [15a-B1-6] レクテナにおけるダイヤモンドショットキーバリアダイオードの抵抗容量積の影響

[15a-B1-7] ダイヤモンド単結晶とSi単結晶基板の常温接合

[15a-B1-8] GaN自立基板上PINダイオードにおける順方向発光パターン解析

△ [15a-B1-9] p⁺⁺-GaN薄層を用いた縦型p⁺⁺-n接合ダイオード

[15a-B1-10] 界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モフォロジーの2次元評価

△ [15a-B1-11] 自立GaN基板上p-n接合ダイオードにおける順方向電流集中領域の検討Ⅱ

[15a-B1-12] 自立GaN基板上p-n接合ダイオードの信頼性試験

[15a-B1-13] 表面活性化接合法によるAl箔/ワイドギャップ半導体接合の電気特性

認証

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[15a-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

▲ [15a-B1-1] Investigation of Mg Ion Implantation for Current Blocking in Vertical Ga2O3 Transistors

▲ [15a-B1-2] Characterization of Channel Temperature in Ga2O3 MOSFETs

△ [15a-B1-6] レクテナにおけるダイヤモンドショットキーバリアダイオードの抵抗容量積の影響

△ [15a-B1-9] p++-GaN薄層を用いた縦型p++-n接合ダイオード

△ [15a-B1-11] 自立GaN基板上p-n接合ダイオードにおける順方向電流集中領域の検討Ⅱ

認証

▲ [15a-B1-1] Investigation of Mg Ion Implantation for Current Blocking in Vertical Ga₂O₃ Transistors

▲ [15a-B1-2] Characterization of Channel Temperature in Ga₂O₃ MOSFETs

△ [15a-B1-9] p⁺⁺-GaN薄層を用いた縦型p⁺⁺-n接合ダイオード