[15a-B10-1~13] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

[15a-B10-4] Novel microlaser-scan-phase-transition-patterning method and its application to fabricating poly-Si TFTs on flexible glass substrate

〇WENCHANG YEH¹ (1.Shimane Univ.)

Keywords:Thin-film transistor, polycrystalline, poly-Si, phase transition, laser

フォトマスクやレジストを使わない、新しいpoly-Si TFTの作製方法を開発した。ミクロレーザをSi薄膜上に走査してアモルファス相から結晶相へ変換させる方法で、チャネル島とゲート島を形成し、更にS/D領域へはSbスパッタ堆積後にミクロレーザで選択レーザドーピングすることで、湾曲したフレキシブルガラス基板上へpoly-Si TFTを作製した。これにより、低コストで尚且つ環境にやさしい方法で大面積基板へTFT等のデバイスをロールツーロールで形成する事が可能となる。