2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[15a-B10-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年9月15日(木) 09:00 〜 12:15 B10 (展示控室1)

葉 文昌(島根大)、岡田 竜弥(琉球大)

09:45 〜 10:00

[15a-B10-4] 新しいミクロレーザ走査相変換パターニング法による湾曲基板上へのpoly-Si TFT作製

葉 文昌1 (1.島根大総合理工)

キーワード:薄膜トランジスタ、多結晶、相変換、レーザ

フォトマスクやレジストを使わない、新しいpoly-Si TFTの作製方法を開発した。ミクロレーザをSi薄膜上に走査してアモルファス相から結晶相へ変換させる方法で、チャネル島とゲート島を形成し、更にS/D領域へはSbスパッタ堆積後にミクロレーザで選択レーザドーピングすることで、湾曲したフレキシブルガラス基板上へpoly-Si TFTを作製した。これにより、低コストで尚且つ環境にやさしい方法で大面積基板へTFT等のデバイスをロールツーロールで形成する事が可能となる。