[15a-B10-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [15a-B10-6] 自己整合四端子平面型メタルダブルゲート低温poly-Si TFTのV_th制御を利用したE/Dインバータの特性

〇大澤 弘樹¹、原 明人¹ (1.東北学院大工)

キーワード：薄膜トランジスタ、多結晶シリコン、E/Dインバータ

自己整合四端子平面型メタルダブルゲート低温poly-Si TFTを用いてE/Dインバータを作製した。制御ゲートを用いてTFTの閾値電圧を適切な値に制御することによって、ドレイン電圧が1.0 VでのE/Dインバータの動作を確認した。