[15p-A22-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [15p-A22-6] Possible application of IGZO thin film transistor with High-k SrTa₂O₆ as GI using High Pressure Water Vapor Annealing

〇(M2)Kento Oikawa¹, Mami Fujii¹, Juan Paolo Bermundo¹, Kiyoshi Uchiyama², Yasuaki Ishikawa¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST, 2.NIT, Tsuruoka College)

Keywords:oxide semiconductor, thin film transistor, SrTa2O6

低消費電力化を実現するにはディスプレイに用いられている薄膜トランジスタ（TFT）の高性能化が必要不可欠となっている。そこで、タンタル酸ストロンチウム（SrTa₂O₆: STA）を絶縁膜として選んだ。700℃の高温で焼成しなければ実用性のあるリーク電流を実現できなかったので、高圧水蒸気処理に着目し焼成温度を下げて作製した。その結果、低V_g電圧で急峻なスイッチング特性を得るだけでなく、リーク電流を低く抑えることができた。