2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[15p-B10-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年9月15日(木) 13:45 〜 18:30 B10 (展示控室1)

佐々木 実(豊田工大)

17:45 〜 18:00

[15p-B10-15] マルチウェル構造TSVを用いたTSV側壁Si-SiO2界面準位の評価

菅原 陽平1、木野 久志2、福島 誉史1、李 康旭3、小柳 光正3、田中 徹1,4 (1.東北大院工、2.東北大学際研、3.東北大未来研、4.東北大院医工)

キーワード:シリコン貫通電極、界面準位