[15p-B9-1~17] 13.3 絶縁膜技術

△ [15p-B9-2] 強誘電性HfO₂膜における局所内部電界に起因する分極の不均質性

〇柴山 茂久^1,2、徐 倫¹、田 璇¹、右田 真司³、鳥海 明¹ (1.東大院工、2.学振特別研究員、3.産総研)

キーワード：HfO2、強誘電体、ピエゾ応答力顕微鏡