[16a-P4-1~8] 13.3 Insulator technology

[16a-P4-7] Effects of gate-electrode metals on the electrical properties of Al₂O₃/GeO₂/p-Ge MOS capacitor grown by REALD

〇Daichi Yamada¹, Yohei Otani¹, Chiaya Yamamoto², Junji Yamanaka², Tetsuya Sato², Hiroshi Okamoto³, Yukio Fukuda¹ (1.Tokyo Univ. of Science, Suwa, 2.Univ. of Yamanashi, 3.Hirosaki Univ.)

Keywords:ALD, MOS capacitor, gate-electrode metals

ゲート絶縁膜形成後に行うPDA(Post-deposition annealing)処理やMOS キャパシター形成後に行うPMA(Post-metallization annealing)処理はGe MOS キャパシターの電気的特性改善に有効とされているが、その効果の詳細については不明な点が多い。今回、ゲート電極用金属として金属酸化物に対する還元性が強いAl と弱いPt を用いたAl2O3(3.2nm)/GeO2(1.7nm)/p-Ge MOS キャパシターを作製し、その電気的特性に及ぼすPDA 処理およびPMA 処理の効果を詳しく検討した。