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[20p-H121-1~24] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年3月20日(日) 13:15 〜 19:45 H121 (本館)

荒木努(立命館大)、船戸充(京大)、尾沼猛儀(工学院大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:15 〜 13:30

△ [20p-H121-1] THzエリプソメトリーによるGaN膜評価と断面観察による検証

〇達紘平¹、浅上史歩¹、藤井高志^1,3、荒木努¹、名西憓之¹、長島健²、岩本敏志³、佐藤幸徳³、森田直威⁴、杉江隆一⁴、上山智⁵ (1.立命館大学、2.摂南大学、3.日邦プレシジョン、4.東レリサーチセンター、5.名城大学)

13:30 〜 13:45

[20p-H121-2] THzエリプソメトリーとホール効果測定によるサファイア基板上n型GaNの電気特性の比較検討

〇(B)浅上史歩¹、達紘平¹、藤井高志^1,3、荒木努¹、名西憓之¹、長島健²、岩本敏志³、佐藤幸徳³、森田直威⁴、杉江隆一⁴、上山智⁵ (1.立命館大理工、2.摂南大理工、3.日邦プレシジョン、4.東レリサーチセンター、5.名城大理工)

13:45 〜 14:00

[20p-H121-3] SiC/GaNの界面構造とバンドオフセットとの関係の理論的検討

〇小嶋英嗣¹、遠藤賢太郎¹、白川裕規¹、洗平昌晃¹、海老原康裕²、金村高司²、恩田正一²、白石賢二¹ (1.名大、2.デンソー)

14:00 〜 14:15

[20p-H121-4] 貫通転位の絶縁膜/GaN 界面への影響評価

〇横川俊哉¹、山本雄大¹、栫拓也¹、西平貴則¹、岡田成仁¹、只友一行¹ (1.山口大工)

14:15 〜 14:30

[20p-H121-5] PXD法によるハフニウム上へのGaN薄膜成長

金惠蓮¹、〇太田実雄^1,2、井上茂¹、小林篤¹、上野耕平¹、藤岡洋^1,3 (1.東大　生研、2.JSTさきがけ、3.JST-ACCEL)

14:30 〜 14:45

[20p-H121-6] 擬似Ⅲ-Ⅴ族窒化物半導体ZnSnN₂結晶合成

〇川村史朗¹、今井基晴¹、谷口尚¹、山田直臣² (1.物質・材料研究機構、2.中部大工)

14:45 〜 15:00

▼ [20p-H121-7] Growth and Characterizations of a pseudo-III-nitride ZnSnN₂

〇(DC)Cao Xiang¹、Umezome Koji¹、Kawamura Fumio²、Ninomiya Yoshihiro¹、Taniguchi Takashi²、Yamada Naoomi¹ (1.Chubu Univ.、2.NIMS)

15:00 〜 15:15

[20p-H121-8] 窒化物半導体への低濃度ドーピング技術の開発

〇荒川靖章¹、上野耕平¹、太田実雄^1,2、藤岡洋^1,3 (1.東大生研、2.JST-さきがけ、3.JST-ACCEL)

15:30 〜 15:45

[20p-H121-9] その場放射光X線回折によるMBE成長窒化物半導体のひずみ緩和観測

〇佐々木拓生¹、出来亮太²、石川史太郎³、山口智広⁴、高橋正光^1,2 (1.原子力機構、2.兵庫県立大、3.愛媛大、4.工学院大)

15:45 〜 16:00

[20p-H121-10] ステップ高さ制御SiC基板上AlN層の高分解能X線回折評価における界面局在ミスフィット転位に起因する横方向サテライトピーク

〇金子光顕¹、木本恒暢¹、須田淳¹ (1.京大院工)

16:00 〜 16:15

[20p-H121-11] SiC基板上のGaNおよびAlN薄膜のエネルギー論：第一原理計算による検討

〇秋山亨¹、中根晴信¹、中村浩次¹、伊藤智徳¹ (1.三重大院工)

16:15 〜 16:30

[20p-H121-12] C-AFMによるスパイラル成長したGaNの極微領域評価

〇小村一樹¹、荒浪誠生¹、荒木努¹、名西憓之¹、赤坂哲也² (1.立命館大、2.NTT物性科学基礎研)

16:30 〜 16:45

[20p-H121-13] c-BN薄膜のイオンビームアシストMBE成長における基板へのバイアス電圧印加の効果

〇平間一行¹、谷保芳孝¹、山本秀樹¹、熊倉一英¹ (1.NTT物性研)

16:45 〜 17:00

[20p-H121-14] グラフェン上GaNナノコラムの選択成長

〇今野裕太¹、林宏暁¹、岸野克巳^1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテク研究センタ)

17:00 〜 17:15

[20p-H121-15] RF-MBE法を用いたEu添加GaNナノコラムのEu濃度依存性

〇(M1)今西智彦¹、関口寛人¹、西川聡志¹、尾崎耕平¹、山根啓輔¹、岡田浩^2,3、岸野克己³、若原昭浩¹ (1.豊橋技科大工、2.EIIRIS、3.上智大理工)

17:15 〜 17:30

[20p-H121-16] RF-MBE法を用いたInGaN成長時における表面拡散長の評価

〇伊達浩平¹、関口寛人¹、柳原藍²、山根啓輔¹、岡田浩¹、若原昭浩¹、岸野克巳² (1.豊技大工、2.上智大理工)

17:45 〜 18:00

△ [20p-H121-17] N極性InGaN/GaN LEDに形成されたInGaN微小島からの局所発光

〇谷川智之¹、正直花奈子¹、片山竜二¹、窪谷茂幸¹、松岡隆志¹ (1.東北大金研)

18:00 〜 18:15

△ [20p-H121-18] Si/SiO₂/GaN-LED構造を用いたSi-MOSFETおよびLEDのモノリシック集積

〇(DC)土山和晃¹、宇都宮脩¹、中川翔太¹、山根啓補¹、関口寛人¹、岡田浩^2,1、若原昭浩^1,2 (1.豊技大工、2.EIIRIS)

18:15 〜 18:30

△ [20p-H121-19] Si基板上GaN系LEDの素子構造作製に伴う応力の変化

〇岡田葵¹、上杉謙次郎¹、木村重哉¹、坂野竜則¹、吉田学史¹、布上真也¹ (1.東芝研究開発センター)

18:30 〜 18:45

[20p-H121-20] 光電流測定によるLED内部量子効率評価

〇(M2)宇佐美茂佳¹、本田善央^1,3、天野浩^1,2,3 (1.名大院工、2.赤﨑記念研究センター、3.未来材料・システム研究所)

18:45 〜 19:00

△ [20p-H121-21] Si₃N₄による高AlNモル分率n-AlGaN用V系電極の低接触比抵抗化

〇永田訓章¹、森一喜¹、武田邦宏¹、草深敏匤¹、岩谷素顕¹、竹内哲也¹、上山智¹、赤﨑勇^1,2 (1.名城大・理工、2.名古屋大，赤﨑記念研究センター)

19:00 〜 19:15

[20p-H121-22] 表面保護膜形成によるInGaN/GaN多重量子井戸構造太陽電池の高性能化に関する研究

〇加畑智基¹、堤達哉¹、森拓磨¹、加藤正史¹、三好実人¹、江川孝志¹ (1.名工大)

19:15 〜 19:30

▼ [20p-H121-23] P-Channel InGaN/GaN heterostructure metal-oxide-semiconductor field effect transistor based on polarization-induced two-dimensional hole gas

〇SANG Li-wen¹、張克雄¹、角谷正友¹、廖梅勇¹、小出康夫¹ (1.物材機構)

19:30 〜 19:45

[20p-H121-24] 誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチングを用いたGaNの逆メサ加工

〇(M1)板垣憲広¹、永利圭¹、岡田成仁¹、井本良¹、西宮智晴²、松尾文晴²、只友一行¹ (1.山口大学院理工、2.サムコ(株))

セッション情報

[20p-H121-1~24] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [20p-H121-1] THzエリプソメトリーによるGaN膜評価と断面観察による検証

[20p-H121-2] THzエリプソメトリーとホール効果測定によるサファイア基板上n型GaNの電気特性の比較検討

[20p-H121-3] SiC/GaNの界面構造とバンドオフセットとの関係の理論的検討

[20p-H121-4] 貫通転位の絶縁膜/GaN 界面への影響評価

[20p-H121-5] PXD法によるハフニウム上へのGaN薄膜成長

[20p-H121-6] 擬似Ⅲ-Ⅴ族窒化物半導体ZnSnN₂結晶合成

▼ [20p-H121-7] Growth and Characterizations of a pseudo-III-nitride ZnSnN₂

[20p-H121-8] 窒化物半導体への低濃度ドーピング技術の開発

[20p-H121-9] その場放射光X線回折によるMBE成長窒化物半導体のひずみ緩和観測

[20p-H121-10] ステップ高さ制御SiC基板上AlN層の高分解能X線回折評価における界面局在ミスフィット転位に起因する横方向サテライトピーク

[20p-H121-11] SiC基板上のGaNおよびAlN薄膜のエネルギー論：第一原理計算による検討

[20p-H121-12] C-AFMによるスパイラル成長したGaNの極微領域評価

[20p-H121-13] c-BN薄膜のイオンビームアシストMBE成長における基板へのバイアス電圧印加の効果

[20p-H121-14] グラフェン上GaNナノコラムの選択成長

[20p-H121-15] RF-MBE法を用いたEu添加GaNナノコラムのEu濃度依存性

[20p-H121-16] RF-MBE法を用いたInGaN成長時における表面拡散長の評価

△ [20p-H121-17] N極性InGaN/GaN LEDに形成されたInGaN微小島からの局所発光

△ [20p-H121-18] Si/SiO₂/GaN-LED構造を用いたSi-MOSFETおよびLEDのモノリシック集積

△ [20p-H121-19] Si基板上GaN系LEDの素子構造作製に伴う応力の変化

[20p-H121-20] 光電流測定によるLED内部量子効率評価

△ [20p-H121-21] Si₃N₄による高AlNモル分率n-AlGaN用V系電極の低接触比抵抗化

[20p-H121-22] 表面保護膜形成によるInGaN/GaN多重量子井戸構造太陽電池の高性能化に関する研究

▼ [20p-H121-23] P-Channel InGaN/GaN heterostructure metal-oxide-semiconductor field effect transistor based on polarization-induced two-dimensional hole gas

[20p-H121-24] 誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチングを用いたGaNの逆メサ加工

認証

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[20p-H121-1~24] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [20p-H121-1] THzエリプソメトリーによるGaN膜評価と断面観察による検証

▼ [20p-H121-7] Growth and Characterizations of a pseudo-III-nitride ZnSnN2

△ [20p-H121-17] N極性InGaN/GaN LEDに形成されたInGaN微小島からの局所発光

△ [20p-H121-18] Si/SiO2/GaN-LED構造を用いたSi-MOSFETおよびLEDのモノリシック集積

△ [20p-H121-19] Si基板上GaN系LEDの素子構造作製に伴う応力の変化

△ [20p-H121-21] Si3N4による高AlNモル分率n-AlGaN用V系電極の低接触比抵抗化

▼ [20p-H121-23] P-Channel InGaN/GaN heterostructure metal-oxide-semiconductor field effect transistor based on polarization-induced two-dimensional hole gas

認証

▼ [20p-H121-7] Growth and Characterizations of a pseudo-III-nitride ZnSnN₂

△ [20p-H121-18] Si/SiO₂/GaN-LED構造を用いたSi-MOSFETおよびLEDのモノリシック集積

△ [20p-H121-21] Si₃N₄による高AlNモル分率n-AlGaN用V系電極の低接触比抵抗化