[19a-S423-1~13] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

[19a-S423-11] Techniques to improve the etching pattern resolution with high-speed gas-switching Bosch process and minimal multiple exposure process

〇Hiroyuki Tanaka^1,2, Hisato Ogiso^1,2, Shizuka Nakano^1,2, Toshiyasu Hayami^2,3, Toshiya Miyazaki^2,3, Ryoichi Irita^2,4, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.SPPT, 4.PMT)

Keywords:minimal,MEMS,exposure

ミニマルDLP露光機のデジタル解像度は、0.5µmであるが滑らかな曲線を描がく場合、デジタル描画ステップが問題となっていた。DLP露光を1/25強度で前後左右に0.1µmずつ25回シフトする多重露光を行うことで、滑らかな曲線のマスクが描けるようになった。これと、スキャロップフリーボッシュプロセスを組み合わせたところ、凹凸がほぼ解消され、滑らかで垂直性の高い曲側面エッチング形状が得られた。光導波路などへの応用に期待できる。