2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19a-S423-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年3月19日(土) 09:00 〜 12:30 S423 (南4号館)

佐々木 実(豊田工大)、角村 貴昭(東京エレクトロン)

11:45 〜 12:00

[19a-S423-11] 高速ガススイッチングボッシュプロセスとミニマル多重露光プロセスを用いたエッチングパターンの解像度向上技術

田中 宏幸1,2、小木曽 久人1,2、中野 禅1,2、速水 利泰2,3、宮崎 俊也2,3、入田 亮一2,4、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.産総研、2.ミニマル、3.SPPT、4.PMT)

キーワード:ミニマル、MEMS、露光

ミニマルDLP露光機のデジタル解像度は、0.5µmであるが滑らかな曲線を描がく場合、デジタル描画ステップが問題となっていた。DLP露光を1/25強度で前後左右に0.1µmずつ25回シフトする多重露光を行うことで、滑らかな曲線のマスクが描けるようになった。これと、スキャロップフリーボッシュプロセスを組み合わせたところ、凹凸がほぼ解消され、滑らかで垂直性の高い曲側面エッチング形状が得られた。光導波路などへの応用に期待できる。