[19a-S423-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19a-S423-12] ミニマル平坦度検査装置を用いたウェハ形状評価

〇遠江 栄希¹、松橋 淑光^1,2、上斗米 稔^1,2、佐藤 和寛^1,2、クンプアン ソマワン^1,3、原 史朗^1,3 (1.ミニマルファブ、2.黒田精工、3.産総研)

キーワード：ミニマル、平坦度、ウェハ形状

今回我々は、クリーンルームレス環境下でウェハ形状が測定可能なミニマル平坦度検査装置の開発を行った。ウェハを意図的に不均一に加熱してスリップ転位を発生させたウェハを用いて、そのスリップ転位の表面段差を、ミニマル平坦度検査装置で測定し、それをもって、この装置とその平坦度測定方法自体の評価を行ったので報告する。