[19a-S423-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19a-S423-7] 高速MP・CMP装置を用いたミニマルファブプロセス

〇梅山 規男^1,2、古賀 和博^1,2、居村 史人^1,2、澁谷 和孝³、布施 貴之³、中村 由夫³、市川 浩一郎³、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ技術研究組合、3.不二越機械工業)

キーワード：ミニマルファブ、CMP、研削

高速研削が可能なMechanical Polishing(MP)と、低速であるが表面粗さをデバイス製造レベルに低減できる Chemical Mechanical Polishing(CMP)を併せ持つミニマル装置2台を用いて、高効率でクリーンな研磨を試みた。高速MP処理後に無秩序な研削痕が見られたが、その後のCMP処理で表面粗さRaは未処理ウェハの値に近づき、良化していた。当日は高速MP・CMP処理後の特徴やデバイス試作について報告する予定である。