[19p-S223-1~10] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[19p-S223-9] The development of artificial intelligence fusion adsorption simulator for semiconductor process

〇Emi Sato¹, Manami Sato¹, Yukiko Obara¹, Kenji Inaba¹, Yukie Ishizawa¹, Masayuki Miyano¹, Ryuji Miura¹, Ai Suzuki¹, Naoto Miyamoto¹, Nozomu Hatakeyama¹, Akira Miyamoto¹, Patrick Bonnaud¹ (1.Tohoku Univ.)

Keywords:semiconductor,adsorption

Si は半導体材料の代表として位置付けられ様々な面から研究されており、表面の構造解析など原子レベルでの研究が進んでいるが、温度特性や吸着分子との相互作用など、課題は多い。
従来、モンテカルロ吸着シミュレーションで化学吸着を考慮したパラメータを決定する際には手動で行っていたが、より理論的にするために人工知能を融合した超高速量子分子動力学シミュレーションを用いたモンテカルロ法パラメータ開発を行っている。