[19p-S423-1~17] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

[19p-S423-8] Effect of HfN capping layer for PtHfSi formation

〇(M2)Mengyi Chen¹, Yasushi Masahiro², Shun-ichiro Ohmi¹ (1.Tokyo Tech, 2.Tanaka Kikinzoku)

Keywords:silicide,Schottky barrier height,contact resistivity

MOSFETの微細化に伴いシリサイドとソース/ドレイン間のコンタクト抵抗の増大が課題となっている。本研究では、良好な耐熱性を有するPtSiのn-Siに対するコンタクト抵抗の低減を目的として、低い仕事関数を有するHfとの混晶化によるn-Siに対する障壁高さの低減に関する検討を行っている。今回我々は、PtHf合金ターゲットを用いたPtHfシリサイドの形成およびHfN保護層の効果について検討を行ったので報告する。