[20a-S221-1~12] 13.3 Insulator technology

△ [20a-S221-3] Evaluation of Si/SiO₂ interface structure obtained by charge-transfer type molecular dynamics

〇(D)So Takamoto¹, Takahiro Yamasaki^2,3, Takahisa Ohno^2,3,4, Chioko Kaneta^3,5, Satoshi Izumi¹, Shinsuke Sakai¹ (1.Univ. of Tokyo, 2.NIMS, 3.MARCEED, 4.IIIS, Univ. of Tokyo, 5.Fujitsu Lab.)

Keywords:molecular dynamics,oxidation simulation,charge-transfer type interatomic potential

本研究では，多数のアモルファス構造を合わせこんだ電荷移動型ポテンシャルを使用し，表面からのO₂分子の侵入によるナノ秒オーダーでの初期酸化のMDを行った．得られた構造について酸化膜の密度および界面でのSiの電荷分布を計算し，実験値と傾向が一致することを確認した．酸化の進行に伴い界面のSiの一部が表面側へ移動する様子や，酸化後のMDによりSiの3配位構造のサイトが表面側へ移動する様子がみられた．