[20p-H113-1~13] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [20p-H113-2] 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴（2）
-水素に対する注入領域の捕獲能力-

〇奥山 亮輔¹、廣瀬 諒¹、柾田 亜由美¹、門野 武¹、古賀 祥泰¹、奥田 秀彦¹、栗田 一成¹ (1.SUMCO)

キーワード：シリコンウェーハ、炭素クラスターイオン注入、水素拡散挙動

我々はこれまでの研究から,炭素クラスターイオン注入ウェーハはエピタキシャル成長後も注入領域に水素が捕獲されることを明らかとした.炭素クラスター注入領域の水素に対する捕獲能力の解析は炭素クラスターイオン注入ウェーハの特性の理解に重要である.そのため,注入領域に捕獲された水素の脱離エネルギーの導出をおこない,0.76eVの値が得られた.この値は水素の拡散の活性化エネルギー0.48eVよりも大きく,Si-H結合エネルギー3～4eVよりも小さい値であることから水素は注入領域に形成されている複合体と結合していることが推察される.