[20p-H113-1~13] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [20p-H113-5] 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴（5）
-マイクロ波加熱処理がクラスター注入レンジに与える効果-

〇門野 武¹、奥山 亮輔¹、柾田 亜由美¹、廣瀬 諒¹、古賀 祥泰¹、奥田 秀彦¹、栗田 一成¹ (1.株式会社SUMCO)

キーワード：シリコンウェーハ、炭素クラスターイオン注入、マイクロ波加熱処理

我々は,高感度イメージセンサの高性能化,高品質化を目的に炭素クラスターイオン注入による近接ゲッタリング付与基板の研究開発を行っている.これまでの研究により,重金属に対するゲッタリング能力,エピ層への基板酸素の拡散抑制,注入レンジの水素が拡散することによる不活性効果の三つの特徴を明らかにした.本研究では,これらの特徴をさらに向上させることを意図して,注入レンジのみを選択的に加熱することができるマイクロ波加熱処理の適用に関して検討を行った.今回は,注入レンジの水素がマイクロ波加熱処理によって特異なプロファイルを形成することを報告する.