[21a-W541-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21a-W541-8] 過渡容量測定によるホモエピタキシャル成長n型GaNの深い準位密度のウェハ面内マッピング評価

〇堀田 昌宏¹、成田 哲生²、加地 徹²、上杉 勉²、須田 淳¹ (1.京大院工、2.豊田中研)

キーワード：窒化ガリウム、深い準位、ウェハマッピング

GaNウェハ全体の情報を得ることを目的として，ホモエピタキシャル成長n型GaNの，1/4ウェハ全面に対する過渡容量(C-t)測定を行い，電子トラップ準位密度のマッピング評価を行った．本測定は，一般的な容量計（サンプリング周期10 ms程度）で可能であり，容量-電圧特性や，電流-電圧特性と組み合わせ，ウェハ面内における各種物性値の相関を迅速に評価する手法として有用である．