[21p-P17-1~26] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [21p-P17-3] Multi-Line-Beam CLC poly-Si TFTsにおけるチャネル不純物導入の効果

〇平岩 弘之¹、平田 達誠¹、グエンティ トゥイ¹、小谷 光司²、黒木 伸一郎¹ (1.広島大ナノデバイス、2.東北大工)

キーワード：薄膜トランジスタ、ポリシリコン

Multi-Line-Beam CLC (MLB-CLC)を用いることで結晶面方位と成長方向が均一なpoly-Si薄膜を得ることができる 。作製した低温poly-Si TFTのON電流は高い値が得られているが、OFF電流も高い電流値を示しており、ON/OFF比の改善が求められる。この原因として結晶化領域でDonor型欠陥が発生し、N-type化していることが考えられる。本研究ではチャネル部に不純物注入を行い、欠陥を補償することでOFFリーク電流改善を行ったので報告する。