[21p-P17-1~26] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[21p-P17-7] フラッシュランプアニール(FLA)による高電子濃度かつ高電子移動度のn⁺poly-Ge形成

〇小池 正浩^1,2、臼田 宏治^1,2、鎌田 善己^1,2、森 貴洋^2,3、前田 辰郎^2,3、手塚 勉^1,2 (1.東芝研開セ、2.産総研GNC、3.産総研)

キーワード：半導体、ゲルマニウム、熱処理

フラッシュランプアニール(FLA)を含む様々な熱処理プロセスでn+poly-Ge形成を試みた。ファーネスアニールで結晶化させるとアクセプターライクな欠陥起因のホール(~10¹⁸ cm^-3)が生成され、p+poly-Geが形成された。一方でイオン注入後のFLAを含む熱処理プロセスでは高電子濃度(~10¹⁹ cm^-3)かつ高電子移動度(>140cm²/Vs)のn+poly-Geが形成された。活性化率はバルクGeとほぼ同じであり移動度はバルクSiに匹敵する。欠陥低減するイオン注入後のFLAがn+poly-Ge形成の本質であることが明らかになった。