一般セッション(口頭講演)
15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物（SiC）
09:00 〜 09:15
塩田 耕平1、〇川崎 稜平1、羽深 等1、伊藤 英樹2、三谷 真一2、高橋 至直3 (1.横国大院工、2.ニューフレアテクノロジー、3.関東電化工業)
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09:15 〜 09:30
塩田 耕平1、倉島 圭祐1、〇羽深 等1、伊藤 英樹2、三谷 慎一2、高橋 至直3 (1.横国大院工、2.ニューフレアテクノロジー、3.関東電化工業)
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09:30 〜 09:45
〇奥山 将吾1、羽深 等1、高橋 至直2、加藤 智久3 (1.横国大院工、2.関東電化、3.産総研)
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09:45 〜 10:00
〇倉島 圭祐1、奥山 将吾1、羽深 等1、高橋 至直2、加藤 智久3 (1.横国大院工、2.関東電化、3.産総研)
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10:00 〜 10:15
〇土井 拓馬1、竹内 和歌奈1、金 勇2、國分 宏2、安原 重雄2、中塚 理1,3、財満 鎭明3 (1.名大院工、2.(株)ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ、3.名大未来研)
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10:15 〜 10:30
〇奈良 友奎1、成田 舜基1、中澤 日出樹1 (1.弘前大院理工)
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10:30 〜 10:45
〇山田 敬一1,2、河田 泰之1,3、紀 世陽1、先崎 純寿1、小杉 亮治1、米澤 喜幸1、児島 一聡1、奥村 元1 (1.産総研、2.東レリサーチセンター、3.富士電機)
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10:45 〜 11:00
〇西村 辰彦1、中西 英俊1、北村 藤和1、水端 稔1、川山 巌2、斗内 政吉2 (1.SCREEN、2.阪大レーザー研)
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