[5p-C11-1~10] 13.3 Insulator technology

△ [5p-C11-1] Improved bias stability atomic-layer-deposition Al₂O₃ films by crystallizing high-temperature annealing

〇(B)Kiyotaka Horikawa¹, Satoshi Okubo¹, Taisuke Kageura¹, Atsushi Hiraiwa^2,3,4, Hiroshi Kawarada^1,2,3 (1.Waseda Univ., 2.Zairean, 3.NTRC, 4.Nagoya Univ.)

Keywords:ALD, Al2O3, anneal

結晶化高温アニールによる原子層堆積（atomic layer deposition、ALD）法により形成した Al₂O₃膜のフラットバンド電圧変動の低減が観測された。この結晶化とV_fb変動との相関およびそのリーク電流に及ぼす影響を含め、高温アニールによるV_fb変動低減効果を報告する。