[5p-C17-1~17] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[5p-C17-11] AlGaN/GaN上にALD法で形成したAlONゲート絶縁膜の電気特性評価

〇野崎 幹人¹、渡邉 健太¹、山田 高寛¹、施 泓安²、中澤 敏志²、按田 義治²、上田 哲三²、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.パナソニック)

キーワード：窒化ガリウム、AlGaN、AlON

Al₂O₃/AlGaN/GaN MOSHFETはAl₂O₃膜の比較的高い誘電率と広いバンドギャップから有望視されているが、界面特性向上技術の開発や電子注入耐性の低さによる閾値電圧変動等の課題を抱えている。
これまで我々は反応性スパッタリング法で成膜した窒素添加アルミナ（AlON）を用いることでAl₂O₃膜より優れた電子注入耐性や界面特性を実現してきた。本研究では更なる膜質と段差被覆性の向上を狙い、ALD法によるAlON成膜を検討したので報告する。