[5p-C17-1~17] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[5p-C17-13] 極低バイアスICP-RIEを施したn型GaNのショットキー接合特性によるエッチングダメージの評価

〇山田 真嗣^1,2、櫻井 秀樹^1,2、大森 雅登¹、長田 大和²、上村 隆一郎²、須田 淳^1,3、加地 徹¹ (1.名大　未来材料・システム研究所、2.(株)アルバック半電研、3.名大院工)

キーワード：窒化ガリウム、誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチング、ショットキーダイオード

大電流駆動・高耐圧を有する次世代パワーデバイスとして、GaN縦型パワーデバイスが注目されている。このデバイス構造を実現する上で重要なプロセス技術の一つであるドライエッチング技術の開発を行っている。今回、春の応用物理学会の続報として、誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチングを用いてGaN表面を更に低バイアスパワーにてエッチングしたショットキーダイオードを作製し、GaNへの低ダメージ化を試みた結果を報告する。